得益於半導體和封裝工藝的進步，現在的集成電路(IC)被廣泛應用於各種設備
，包括醫療器械。醫療應用領域的一項特殊挑戰是需要保持產品無菌—— 不含有害汙染，例如真菌、細菌、病(bing)毒(du)及(ji)孢(bao)子(zi)類(lei)。盡(jin)管(guan)有(you)大(da)量(liang)關(guan)於(yu)滅(mie)菌(jun)法(fa)及(ji)設(she)備(bei)的(de)文(wen)獻(xian)，但(dan)是(shi)很(hen)少(shao)涉(she)及(ji)滅(mie)菌(jun)法(fa)對(dui)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)的(de)影(ying)響(xiang)。本(ben)應(ying)用(yong)筆(bi)記(ji)對(dui)常(chang)見(jian)的(de)滅(mie)菌(jun)法(fa)進(jin)行(xing)了(le)比(bi)較(jiao)，並(bing)討(tao)論(lun)了(le)其(qi)對(dui)含(han)有(you)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)的(de)對(dui)象(xiang)的(de)適(shi)用(yong)性(xing)。

物理法

有多種物理滅菌法，其中最有效的是將熱、濕和壓力組合在一個稱為高壓蒸汽滅菌器的裝置中。

高壓蒸汽滅菌器滅菌法

醫療設備的熱滅菌法早在古羅馬已經得到應用。蒸汽的存在明顯加速了熱量滲透(蒸汽滅菌)。發明於1879年的高壓蒸汽滅菌器融合了熱、濕和高壓。

工作原理1

高(gao)壓(ya)蒸(zheng)汽(qi)滅(mie)菌(jun)器(qi)是(shi)類(lei)似(si)於(yu)高(gao)壓(ya)鍋(guo)的(de)容(rong)器(qi)。將(jiang)待(dai)滅(mie)菌(jun)的(de)對(dui)象(xiang)置(zhi)於(yu)其(qi)中(zhong)
，然(ran)後(hou)密(mi)封(feng)。接(jie)著(zhe)，在(zai)高(gao)壓(ya)下(xia)充(chong)入(ru)高(gao)溫(wen)蒸(zheng)汽(qi)，從(cong)而(er)替(ti)代(dai)空(kong)氣(qi)。濕(shi)熱(re)通(tong)過(guo)酶(mei)類(lei)和(he)結(jie)構(gou)蛋(dan)白(bai)的(de)不(bu)可(ke)逆(ni)凝(ning)固(gu)和(he)變(bian)性(xing)殺(sha)死(si)微(wei)生(sheng)物(wu)。實(shi)現(xian)這(zhe)一(yi)目(mu)的(de)的(de)時(shi)間(jian)和(he)溫(wen)度(du)取(qu)決(jue)於(yu)壓(ya)力(li)及(ji)被(bei)滅(mie)殺(sha)的(de)微(wei)生(sheng)物(wu)類(lei)型(xing)。經(jing)過(guo)必(bi)要(yao)的(de)時(shi)間(jian)之(zhi)後(hou)，釋(shi)放(fang)蒸(zheng)汽(qi)，取(qu)出(chu)被(bei)滅(mie)菌(jun)的(de)對(dui)象(xiang)。整(zheng)個(ge)周(zhou)期(qi)持(chi)續(xu) 15至60分鍾(批量處理)。

問題

高壓蒸汽滅菌器滅菌適合於能承受濕氣、高壓(高於環境1至3.5個大氣壓)及高溫(+121℃至+148℃)的對象。典型例子有外科器械。半導體器件通常可承受最高+125℃的溫度。然而，嵌入式電池處於高溫下會大大縮短壽命。采用浮柵技術的存儲器件，例如EEPROM
，對高溫很敏感。然而，如果規定數據保持能力在+125℃下為10年，就不應該破壞數據完整性。否則
，就可能意外刷新(重寫)存儲器數據，在浮柵上恢複滿電荷。這適用於激光微調 EEPROM。由於產品數據資料中往往不給出微調類型
，所以就有必要聯係廠商獲取詳細信息。

化學法

有很多化學法可用於醫療領域的滅菌。本節討論常見的幾種方法。化學法和物理法可組合應用。

環氧乙烷(ETO)滅菌

環氧乙烷(ETO)首次報告於1859年

，早在20世紀初期就在工業領域占有重要地位。用於保存香料的ETO滅菌法在1938獲得專利。由於幾乎沒有替代方案可用於對熱和濕氣敏感的醫療裝置進行滅菌，所以ETO的用途得到了不斷發展。

工作原理2

ETO滅菌器是一種可容納待滅菌對象的容器。基本的ETO滅菌周期包括5個步驟(蒸汽抽空
、氣體注入、擴散、抽空，及空氣衝洗)，需要大約2 1/2個小時，不包括通風時間(排盡ETO)。機械通風在+50至+60℃下需要8至12個小時
；也可以被動通風，但可能需要7天。完成通風後
，取出被滅菌對象(批處理)。ETO與氨基酸
、蛋白質及DNA發生化學反應
，阻止微生物繁殖。

問題

ETO滅菌適合於不能承受蒸汽(高壓蒸汽滅菌器)滅菌所必需的高溫和蒸汽的對象。由於溫度條件為+30°至+60℃，所以ETO滅菌非常適合於含有嵌入式電子的醫療器械。然而，嵌入式電池可能不能接受真空。此外，該方法有個不利因素：ETO是一種高易燃、石油基氣體和致癌物。[page]

二氧化氯(CD)氣體滅菌

二氧化氯(CD)發現於1811年或1814年(這兩年均有列出)，作為造紙行業的漂白劑得到廣泛應用。1988年，EPA將其登記為一種殺菌劑。這為醫療領域的應用打開了大門。

工作原理4，5

CD滅菌器是一種可容納待滅菌對象的容器。基本的CD滅菌周期包括5個步驟(潮濕預處理
、調理
、產生和供應二氧化氯氣體、擴散，及通風)
，需要大約2 1/2個小時，包括通風時間(排盡CD)。完成通風後，取出被滅菌對象(批處理)。二氧化氯(ClO2)作為氧化劑與幾種細胞成分發生反應，包括微生物的細胞膜。CD通過從對象中“盜竊”電子(氧化)
，斷開其分子鍵，使有機物細胞破裂而死亡。由於CD改變微生物結構中的蛋白質
，酶功能被破壞，導致細菌快速死亡。CD的de威wei力li歸gui因yin於yu對dui許xu多duo蛋dan白bai質zhi同tong時shi進jin行xing氧yang化hua侵qin蝕shi，因yin此ci能neng防fang止zhi細xi胞bao突tu變bian為wei抗kang型xing。此ci外wai，由you於yu二er氧yang化hua氯lv的de低di活huo性xing
，其qi製zhi菌jun作zuo用yong在zai存cun在zai有you機ji物wu的de情qing況kuang下xia能neng保bao持chi較jiao長chang時shi間jian。

問題

CD滅菌適合於不能承受蒸汽(高壓蒸汽滅菌器)滅菌所必需的高溫和蒸汽的對象。由於溫度條件為+15°至+40℃，所以CD滅菌非常適合於含有嵌入式電子的醫療器械。CD氣體在該方法使用的濃聚物中為非易燃性，也非致癌物。它不需要高濃度即可達到殺死孢子的效果。

過氧化氫滅菌

過氧化氫於1818年首次被隔離出來。它在製藥行業具有很長的使用曆史，是環氧乙烷(ETO)的常見替代品。過氧化氫有兩種使用方法：a)汽化過氧化氫滅菌和b)過氧化氫離子滅菌。

汽化過氧化氫(VHP)滅菌

工作原理6，7

首先將待滅菌的對象置於VHP滅菌器中。基本的VHP滅菌周期包括3個步驟(包括真空發生的調理、H2O2注入和通風)，需要大約1 1/2個小時，包括通風時間(排盡H2O2)。完成通風後，取出被滅菌對象(批處理)。HPV的準確作用機理尚待完全理解，並且可能依微生物的不同而有所不同。H2O2通過生成活性氧粒子

，例如羥基，從而發生氧化應激

，攻擊多個目標，包括核酸、酶類、細胞壁蛋白質及脂類。

問題

VHP滅菌適合於不能承受蒸汽(高壓蒸汽滅菌器)滅菌的高溫環境和蒸汽處理的對象。由於溫度條件為+25°至+50℃，所以VHP滅菌非常適合於含有嵌入式電子的醫療器械。然而
，嵌入式電池可能不能接受真空。VHP的滲透能力不如ETO
，並且美國FDA尚未批準將該方法用於衛生保健機構的醫療器械滅菌。

過氧化氫離子滅菌

工作原理1

該方法是化學與物理法的組合。首先將待滅菌的對象置於過氧化氫離子滅菌器中。基本的過氧化氫離子滅菌周期包括4個步驟(生成真空、H2O2注入

、擴散和離子放電)，需要大約1至3個小時。無需通風。周期完成後
，取出被滅菌對象(批處理)。過氧化氫離子滅菌主要利用過氧化氫氣體及在周期的離子階段產生遊離基(羥和過氧遊離基)組合作用來殺滅微生物。

問題

過氧化氫離子滅菌適合不能承受蒸汽(高壓蒸汽滅菌器)滅菌的高溫環境和蒸汽處理的對象。所需的真空沒有VHP滅菌深。盡管+40℃至+ 65℃的過程溫度很合適，但離子放電階段的13.56MHz射頻能量達到200W至400W範圍
，會對嵌入式電子造成影響。過氧化氫離子滅菌不應用於含有半導體的對象。

輻射法

γ射線滅菌8

γ輻射是在1900年研究鐳的輻射時被發現的。隨後又發現了其它源，例如锝99m和鈷60。γ輻射的工業應用始於20世紀50年代
，輻射源為鈷 60。鈷60不會自然發生
，在反應器中人工生成。鈷60的半衰期為5.2714年。

工作原理9

待滅菌對象置於傳送裝置上，將其送至強γ輻射源附近，例如鈷60。待滅菌對象停止在輻射場後，接受一定的劑量，然後移動傳送裝置，繼續處理下一個對象。傳送裝置也可不采用停-走的方式
，而是以一定的速度(確保劑量合適)連續移動(連續處理)。電離輻射產生激勵、電離，當有水存在時，形成遊離基結構。遊離基是強氧化(OH、HO2)和還原(H)劑，能夠破壞活細胞中必不可少的分子。所以，全部三個過程均造成必不可少的細胞成分的裂變
，例如酶類和 DNA。從而造成細胞死亡。γ輻射的最嚴重生物損傷形式發生在γ射線窗內，介於3MeV和10MeV之間。鈷60發射的γ輻射為1.17MeV和 1.33MeV水平
，稍低於最有效的範圍。

問題10

γ輻射可深入照射對象。它比物理和化學法快，在高於室溫及標準大氣壓下發生。輻照器體積大
，用2m厚混凝土牆屏蔽環境，以防輻射。由於放射衰變的原因
，需要定期調整照射時間，維持恒定的輻射劑量。除影響活細胞外，γ輻射還影響高分子材料和半導體。對電子器件的影響取決於劑量和劑量率。矽材料中大於 5000 rad的總離子持續數秒到數分鍾
，將長時間影響半導體。電路變得不穩定

，將不再符合技術指標。因此，γ射線滅菌不應用於含有半導體的對象。[page]

電子束滅菌11

由於電子束是由電子管(也稱為真空管)的陽極發射的，所以最早被稱為陽極射線。陽極射線管(CRT)產生和偏轉電子束
，掃描熒光屏
，發明於 1897年。隨著電視機的推廣，它變為一種家用電器。在電視機用的CRT中，用10kV (黑白電視)或25kV (彩色電視)的陽極電壓加速成束的電子
，電子在到達屏幕時返回金屬導體。電子束發生器與CRT類似。然而，加速電壓可能高1000倍，屏幕被由鈦箔製成的窗口所代替，它使電子離開真空，但防止來自於大氣的氣體分子進入。電子束用於滅菌始於1956年

，當時醫療器械行業推動了其首次商業應用。

工作原理9，12

待滅菌對象置於傳送裝置，緩慢通過電子束發生器的窗口。選擇傳送裝置的速度，確保輻射劑量合適(連續處理)。達到滅菌所需的穿透深度要求能量水平為5MeV至10MeV數量級。電子束輻射形成遊離基，與高分子發生反應，從而破壞DNA，造成細胞死亡。該方法能夠破壞所有類型的病原體，包括病毒、真菌、細菌、諸蟲

、孢子，以及黴菌。

問題

電子束輻射沒有γ輻射的穿透力強。然而，它比γ射線滅菌快

，不產生核廢料，在高於室溫及標準大氣壓下進行。電子束對材料的兼容性比γ輻射更好。當直接照射電子元件時
，電子束會造成電荷累積(ESD)
，進而造成損壞。因此，電子束不應用於含有半導體的對象。

總結

醫療應用的滅菌方法有物理、huaxuehefushefa。meizhongmiejunfangfadouyouqitedian，kezuoyongyuhuobunengzuoyongyubandaotiqijian。xuanzejutifangfashi
，yingkaolvqianzaidefuzuoyong
，youqishejidaodianziqijianshi。

表1彙hui總zong了le本ben文wen討tao論lun的de方fang法fa及ji其qi與yu嵌qian入ru式shi電dian子zi的de兼jian容rong性xing。二er氧yang化hua氯lv對dui電dian子zi元yuan件jian沒mei有you不bu利li影ying響xiang
，總zong體ti來lai說shuo具ju有you最zui好hao的de電dian子zi元yuan件jian兼jian容rong性xing。環huan氧yang乙yi烷wan和he蒸zheng汽qi過guo氧yang化hua氫qing對dui除chu電dian池chi之zhi外wai的de電dian子zi醫yi療liao器qi械xie也ye是shi非fei常chang好hao的de滅mie菌jun方fang法fa。IC的環氧封裝材料不會浸入化學滅菌劑，因此不會受到影響。如果需要置於放射性環境
，請參閱 JEDEC文獻JEP133C, Guide for the Production and Acquisition of Radiation-Hardness-Assured Multichip Modules and Hybrid Microcircuits。屏蔽可防止x射線和電子輻射
，但不防γ輻射。