意法半導體(STMicroelectronics，ST)新組件包括首個可承受950V峰值電壓的超接麵(super-junction)晶體管(MOSFET)
、同類產品中能效最高的900V晶體管以及唯一采用省空間 PowerFLAT 8x8 HV 超薄封裝的850V組件。超接麵技術可提高 MOSFET 的工作電壓，降低導通電阻-芯片尺寸比，使電源產品在縮減總體封裝尺寸的同時提高係統可靠性和能效。

在展示 SuperMESH 5 組件的高能效的同時，意法半導體還公布首個成功應用超高壓 MOSFET 的客戶設計。意大利固態照明創新企業TCI在其最新的 LED 驅動器設計中采用 LEDIPAK 封裝的950V STU6N95K5 做主電源開關，為設計先進且功能豐富的LED照明燈提供電源，使其成為高成本效益的小型 LED 照明市場的能效標竿。

 意法半導體新的超接麵 MOSFET 的其它主要應用包括平麵電視、PC電源

、 LED 照明驅動器及氣體放電式燈(HID)的電子安定器(electronic ballast)。 MOSFET 將讓設計人員能夠達到能源之星和歐洲的能源相關產品法規(ErP) 等生態設計標準中日益嚴格的能效上限和下限要求。

例如，最新能源之星電視產品技術要求(5.3版)提出了更嚴格的生態設計規定，50吋以上的平麵電視的最大絕對功率為108.0瓦。同時 ErP 的照明法規提高了2012-2017年間製造的各類 HID 燈的能效下限標準。

意法半導體新的超接麵 MOSFET 耐高壓特性可提高係統安全性和可靠性。對於 HID 燈(deng)安(an)定(ding)器(qi)和(he)其(qi)它(ta)以(yi)電(dian)源(yuan)線(xian)或(huo)更(geng)高(gao)電(dian)壓(ya)為(wei)電(dian)源(yuan)的(de)係(xi)統(tong)，例(li)如(ru)太(tai)陽(yang)能(neng)微(wei)轉(zhuan)換(huan)器(qi)和(he)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)充(chong)電(dian)站(zhan)
，耐(nai)高(gao)壓(ya)是(shi)一(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)優(you)勢(shi)。為(wei)最(zui)大(da)幅(fu)度(du)減(jian)少(shao)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)充(chong)電(dian)時(shi)間(jian)和(he)工(gong)作(zuo)成(cheng)本(ben)，充(chong)電(dian)站(zhan)需(xu)要(yao)極(ji)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)。在(zai)微(wei)型(xing)發(fa)電(dian)機(ji)轉(zhuan)換(huan)器(qi)內(nei)
，高(gao)能(neng)效(xiao)的(de) MOSFET 讓設計人員能夠使用更高的開關頻率
，輸出高質量的 AC 電能，同時降低能耗和解決方案尺寸。

新的 MOSFET 晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH 5 第五代超接麵技術的產品。新產品包括采用不同封裝的900V STx21N90K5 、950V STx20N95K5 以及950V STx6N95K5 。 STL23N85K5 850V 采用 PowerFLAT 8x8 HV 高壓表麵安裝封裝，占板麵積為64mm2，較業界標準的 D2PAK 封裝小56%。此外
，這款產品的高度為1mm，較標準 D2PAK 封裝低77%
，適用於超薄型應用設計。

900V STP21N90K5 的靈敏值(FOM)反映了該產品開啟電源以及開啟和關閉時的總體能效
，較市場上唯一可比產品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5
，設計人員即可大幅提高能效。

新 SuperMESH 5 產品已開始提供樣品或接受訂單
，該係列產品未來還將增加新款800V組件。