安森美半導體(ON Semiconductor)擴充NGBTxx係列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。

這些新器件提升係統總體開關能效，降低功率耗散，且提升係統可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品係列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。

安森美半導體功率分立產品高級總監兼總經理John Trice說：“全quan球qiu能neng耗hao的de大da幅fu增zeng加jia及ji對dui經jing濟ji及ji環huan境jing預yu計ji帶dai來lai的de不bu利li影ying響xiang
，持chi續xu推tui動dong對dui更geng高gao性xing能neng功gong率lv分fen立li元yuan器qi件jian的de需xu求qiu。這zhe些xie新xin一yi代dai器qi件jian在zai提ti供gong高gao性xing價jia比bi及ji業ye界jie領ling先xian能neng效xiao的de同tong時shi無wu損sun強qiang固gu性xing。安an森sen美mei半ban導dao體ti專zhuan有you的de溝gou槽cao型xing場chang截jie止zhi技ji術shu能neng為wei工gong程cheng師shi在zai應ying用yong其qi電dian源yuan係xi統tong設she計ji時shi提ti供gong更geng豐feng富fu的de選xuan擇ze。”

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這(zhe)些(xie)產(chan)品(pin)采(cai)用(yong)強(qiang)固(gu)及(ji)高(gao)性(xing)價(jia)比(bi)的(de)溝(gou)槽(cao)型(xing)技(ji)術(shu)結(jie)構(gou)，為(wei)高(gao)頻(pin)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)提(ti)供(gong)優(you)異(yi)的(de)性(xing)能(neng)。低(di)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)及(ji)超(chao)快(kuai)恢(hui)複(fu)二(er)極(ji)管(guan)使(shi)它(ta)們(men)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)於(yu)高(gao)頻(pin)太(tai)陽(yang)能(neng)、UPS及逆變焊機應用。這些器件分別擁有40 A
、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經過高度優化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢複能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供?55 °C至+150 °C的工作結溫。

第二組新器件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT器件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢複二極管，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如電機控製變頻應用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG
、 NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。

封裝及價格
NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG

、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、 NGTB40N120IHLWG
、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG
、NGTB30N120IHSWG及 NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00

、2.50、4.00、2.50、 2.75、3.00、3.25
、2.25及1.60美元。