FDMC8010的產品特性：

• 3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸節省66%的線路板空間
• 具有業界最佳RDS(ON)
  
  ，最大僅為1.3 mΩ
• 減小了傳導損耗，從而提高散熱效率25%

FDMC8010的應用範圍：

• 要求在小空間內實現最低RDS(ON) 的電源應用

在zai能neng源yuan效xiao率lv標biao準zhun和he最zui終zhong係xi統tong要yao求qiu的de推tui動dong之zhi下xia，電dian源yuan設she計ji人ren員yuan需xu要yao有you助zhu於yu縮suo減jian其qi應ying用yong電dian源yuan的de外wai形xing尺chi寸cun且qie不bu影ying響xiang功gong率lv密mi度du的de高gao能neng效xiao解jie決jue方fang案an。飛fei兆zhao半ban導dao體ti公gong司si(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業界最佳功率密度和低傳導損耗，能夠滿足這些需求。

FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench® 技術

，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON) 的應用
，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點(POL)、高效負載開關和低端切換、穩壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設計人員使用FDMC8010器件，能夠將封裝尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm，節省66%的MOSFET占位麵積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉換器應用中，Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位麵積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗
，從而提高散熱效率多達25%。 

特性和優勢

• 高性能技術，具有業界最佳RDS(ON)
  ，最大僅為1.3 mΩ
• 3.3mm x 3.3mm行業標準外形尺寸，PQFN，節省線路板空間
• FDMC8010具有更低的傳導損耗
  
  ，能夠實現比競爭解決方案更高的功率密度和更高的效率。
• 無鉛RoHS封裝

新增PowerTrench®器件豐富了飛兆半導體中等電壓範圍MOSFET產品陣容
，作為齊全的PowerTrench MOSFET產品係列的一部分，它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在實現更高能效水平方麵發揮重要的作用。

價格：訂購1,000個  FDMC8010     每個0.87美元

供貨: 按請求提供樣品

交貨期: 收到訂單後8至12周內

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