產品特性：

• 采用TSOP-6封裝
• 具備極低的導通電阻(RDS(on))
• 能夠大幅降低傳導損耗
• 最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等

適用範圍：

• 適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier

，簡稱IR) 推出一係列采用TSOP-6封裝
、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET矽技術的器件，適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關
、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置裏的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET係列，與采用SOT-23和SO-8封(feng)裝(zhuang)的(de)現(xian)有(you)器(qi)件(jian)相(xiang)輔(fu)相(xiang)成(cheng)，為(wei)客(ke)戶(hu)設(she)計(ji)係(xi)統(tong)提(ti)供(gong)了(le)更(geng)大(da)的(de)靈(ling)活(huo)性(xing)。這(zhe)個(ge)平(ping)台(tai)擁(yong)有(you)極(ji)低(di)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)，因(yin)而(er)這(zhe)些(xie)新(xin)器(qi)件(jian)能(neng)夠(gou)取(qu)代(dai)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)較(jiao)大(da)的(de)MOSFET，有助於減少電路板麵積和係統成本。”

所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS)
，不含鉛、溴化物和鹵素。

產品規格