產品特性：

• 采用2mm x 2mm封裝
• 具有業界領先的低導通電阻
• 有助於實現產品的小型化並降低了重量
• 將所要求的安裝區域縮小為原尺寸的40%

適用範圍：

• 便攜式電子產品

全球領先的半導體和解決方案的主要供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723
，以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導體場效晶體管（MOSFET）產品，理想用於包括智能手機和筆記本在內的便攜式電子產品。具有業界領先的低功耗（低導通電阻）
，新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm × 2 mm封裝
，從而具有提升的功率效率並實現了小型移動器件封裝尺寸的小型化。

隨著功能豐富的智能手機的普及和用戶對於這些器件無縫體驗期望值的提升
，現在對於更小型、更(geng)輕(qing)薄(bo)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)的(de)器(qi)件(jian)的(de)需(xu)求(qiu)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao)，而(er)且(qie)要(yao)求(qiu)這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)具(ju)有(you)更(geng)低(di)的(de)功(gong)耗(hao)，可(ke)以(yi)在(zai)兩(liang)次(ci)充(chong)電(dian)期(qi)間(jian)，實(shi)現(xian)更(geng)長(chang)的(de)電(dian)池(chi)續(xu)航(hang)能(neng)力(li)。為(wei)了(le)滿(man)足(zu)這(zhe)些(xie)需(xu)求(qiu)，設(she)計(ji)者(zhe)開(kai)始(shi)將(jiang)目(mu)光(guang)投(tou)向(xiang)具(ju)有(you)更(geng)低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)的(de)功(gong)率(lv)MOSFET，用於進行充電/放電控製，RF功率放大器開/關控製以及過流切斷開關，同時也可支持大電流。

新款µPA2600 和µPA2601 MOSFET滿man足zu了le上shang述shu要yao求qiu，在zai便bian攜xie設she備bei中zhong進jin一yi步bu實shi現xian了le小xiao型xing化hua和he業ye界jie領ling先xian的de低di導dao通tong電dian阻zu，同tong時shi在zai廣guang泛fan的de應ying用yong中zhong，降jiang低di了le安an裝zhuang區qu域yu
，這zhe些xie應ying用yong包bao括kuo在zai便bian攜xie式shi器qi件jian中zhong的de負fu載zai開kai關guan（它將應用到的IC進行開或關處理）和充電/放電控製


，以及在RF功率放大器(用於高頻信號的放大器)的過流切斷開關。

多種具有不同電壓和極性的器件
，如功率MOSFET
，要求匹配便攜器件（包括耳機在內）中的電源技術規格要求。為了滿足這些相關要求，瑞薩已經致力於降低導通電阻並創建更小型的封裝，提供這些產品的豐富陣列。  

P通道和N通道功率MOSFET的主要特性：

(1) 業界領先的低導通電阻 (N通道，µPA2600和µPA2601)

µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2 mm × 2 mm超緊湊型封裝，20 V (VDSS) µPA2600 器件實現了9.3 mΩ (在VGSS=4.5 V的典型值)的導通電阻，30 V µPA2601器件實現了10.5 mΩ (在VGSS=10 V下的典型值) 的導通電阻
，從而達到了終端產品的節能目的。

(2) 可以降低安裝區域的超小型封裝

瑞薩電子通過將大麵積的高性能芯片置於超小型的封裝
，並通過采用裸露的散熱型小封裝
，實現了超緊湊型2 mm × 2 mm封裝的應用，有效降低了從封裝傳到安裝板的熱量。與現有的3 mm × 2 mm封裝相比，µPA2600和類似產品可以減少大約30%的安裝麵積，而與現有3 mm × 3 mm封裝相比較，µPA2672和類似產品可以減少大約40%的安裝麵積。這將有助於降低終端應用產品的尺寸和重量。

(3) 器件的擴展陣列

8個在產品中，新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V
，用於常見的便攜設備：4個P通道產品包括µPA2630，3個n通道產品包括µPA2600，還有µPA2690，此產品將N通道和P通道器件全部集成在一個單獨的封裝中。因此，這一係列可以支持多樣化的應用
，包括充電/放電控製，RF功率放大器開/關控製和過流切斷開關。

新款功率MOSFET產品為環保型產品，符合RoHS指令(注1)和無鹵要求。

在(zai)便(bian)攜(xie)式(shi)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)領(ling)域(yu)
，設(she)備(bei)的(de)多(duo)功(gong)能(neng)性(xing)在(zai)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao)
，而(er)由(you)於(yu)像(xiang)智(zhi)能(neng)手(shou)機(ji)這(zhe)類(lei)設(she)備(bei)的(de)外(wai)形(xing)尺(chi)寸(cun)不(bu)斷(duan)趨(qu)向(xiang)薄(bo)型(xing)化(hua)，因(yin)此(ci)元(yuan)件(jian)可(ke)用(yong)的(de)安(an)裝(zhuang)空(kong)間(jian)也(ye)在(zai)日(ri)益(yi)變(bian)得(de)更(geng)有(you)限(xian)。為(wei)了(le)滿(man)足(zu)對(dui)於(yu)小(xiao)型(xing)化(hua)和(he)更(geng)高(gao)性(xing)能(neng)的(de)要(yao)求(qiu)，瑞(rui)薩(sa)將(jiang)持(chi)續(xu)開(kai)發(fa)新(xin)產(chan)品(pin)，它(ta)們(men)將(jiang)保(bao)持(chi)之(zhi)前(qian)產(chan)品(pin)的(de)性(xing)能(neng)水(shui)平(ping)，但(dan)能(neng)滿(man)足(zu)更(geng)小(xiao)安(an)裝(zhuang)空(kong)間(jian)的(de)要(yao)求(qiu)，同(tong)時(shi)擴(kuo)展(zhan)其(qi)係(xi)列(lie)，從(cong)而(er)有(you)助(zhu)於(yu)進(jin)一(yi)步(bu)實(shi)現(xian)便(bian)攜(xie)設(she)備(bei)的(de)小(xiao)型(xing)化(hua)和(he)更(geng)高(gao)性(xing)能(neng)。

（注1）歐盟RoHS指令：歐洲議會的2002/95/EC指令和歐盟委員會在2003年1月27日關於即在電子電氣設備中限製使用某些有害物質指令。

定價和供貨情況

瑞薩電子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的樣品將於2012年4月推出

，定價為每片0.4美元。量產計劃於2012年5月開始
，到FY2013的上半年所有八個產品每月的總共產量將達到3,000,000件。