新聞事件：

• 飛兆半導體和英飛淩科技公司宣布就H-PSOF MOSFET封裝技術達成許可協議

事件影響：

• 封裝高度降低了50%
• 占用空間減小了20%以上
• 這項協議為設計人員提供了可靠的創新型封裝來源

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛淩科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛淩的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成許可協議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。

這款封裝專為包括混合動力車輛電池管理
、電動助力轉向(EPS)
、主動式交流發電機(active alternator)和其他大負載電氣係統在內的大電流汽車應用而設計。TO無鉛封裝是首個具有300A電流處理能力的封裝。這種封裝在線路板占用空間方麵比現今的D2PAK封裝具有更顯著優勢
，占用空間減小了20%以上，封裝高度降低了50%。

為了滿足更高效率和更低排放強製要求
，開發新型啟-停係統、電動助力轉向
、dianchiguanlihezhudongshijiaoliufadianjideqichedianziqiyebuduanxunqiuchuangxinxingjiejuefangan，tongshibixujinkenengjianxiaochanpinyoudanyigongyingshanggonghuodefengxian。weilequebaokekaodechanpingongying，feizhaobandaotiheyingfeilingdachengcixiangxieyi，mudeshijiangxianjindeTO無鉛MOSFET方案帶入汽車市場

，同時最大限度地減小單一供應商來源的相關風險。

飛兆半導體將TO無鉛功率封裝技術用於其最新的MOSFET技術，預計於2012年下半年提供首個采用TO無鉛封裝的MOSFET器件
，並於2013年年中提供在產器件。

飛兆半導體汽車業務部副總裁Marion Limmer表示：“飛fei兆zhao半ban導dao體ti在zai服fu務wu汽qi車che工gong業ye方fang麵mian擁yong有you悠you久jiu曆li史shi

，在zai滿man足zu當dang今jin汽qi車che製zhi造zao商shang對dui功gong率lv半ban導dao體ti的de需xu求qiu方fang麵mian處chu於yu領ling先xian地di位wei。飛fei兆zhao半ban導dao體ti通tong過guo引yin入ru這zhe種zhongTO無鉛功率封裝技術，正在幫助設計人員利用最新的低電阻MOSFET技術

，進一步擴大我們在汽車市場的影響力。”
 
英飛淩科技汽車分部總裁Jochen Hanebeck表示：“有了這項協議，汽車行業便可受益於可靠的第二來源供應商，獲取在占用空間、效(xiao)率(lv)和(he)性(xing)能(neng)方(fang)麵(mian)具(ju)有(you)諸(zhu)多(duo)優(you)點(dian)的(de)大(da)電(dian)流(liu)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)。作(zuo)為(wei)汽(qi)車(che)功(gong)率(lv)應(ying)用(yong)的(de)領(ling)先(xian)廠(chang)商(shang)
，英(ying)飛(fei)淩(ling)利(li)用(yong)專(zhuan)門(men)的(de)技(ji)術(shu)知(zhi)識(shi)，為(wei)汽(qi)車(che)係(xi)統(tong)供(gong)應(ying)商(shang)提(ti)供(gong)能(neng)夠(gou)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)更(geng)高(gao)性(xing)能(neng)的(de)MOSFET器件，同時將單一供應商來源的相關風險降低至最小。”

feizhaobandaotiyushijielingxiandeqichezhizaoshanghexitonggongyingshangjinxinghezuo，chuangjianzhichigezhongqicheyingyongbandaotijiejuefangan，baokuoyouhuaxianjincheliangjiagouzhongdegonglvguanli
、降低油耗以及減少環境汙染物質。