產品特性：

• 業內頂級的低導通電阻
• 采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
• 利用了Si深蝕刻技術的超結結構
• 導通電阻降低47％

適用範圍：

• 麵向太陽能發電的功率調節器市場

日本知名半導體製造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）麵向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

本產品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
，於2011年9月中旬開始提供樣品，並已於2011年12月份開始投入量產。

隨(sui)著(zhe)節(jie)能(neng)趨(qu)勢(shi)漸(jian)行(xing)漸(jian)強(qiang)，作(zuo)為(wei)可(ke)再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)的(de)代(dai)表(biao)，太(tai)陽(yang)能(neng)發(fa)電(dian)市(shi)場(chang)規(gui)模(mo)不(bu)斷(duan)擴(kuo)大(da)。其(qi)功(gong)率(lv)調(tiao)節(jie)器(qi)領(ling)域(yu)，正(zheng)在(zai)努(nu)力(li)通(tong)過(guo)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)的(de)改(gai)善(shan)實(shi)現(xian)節(jie)電(dian)
，因(yin)此(ci)對(dui)實(shi)現(xian)更(geng)低(di)損(sun)耗(hao)的(de)功(gong)率(lv)MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式，為客戶提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET，持續為高效化作出了貢獻。但是
，由於這種方式的製造工序複雜
，因此具有難於微細化和提高生產性能的課題。

此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質濃度的優化
，與傳統產品相比，將導通電阻成功降低了約47％。此產品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來的轉換器部分，而且與羅姆製造的快速恢複二極管或SiCxiaotejishileierjiguandengxiangzuhe，haikeyingyongyunibianqi。youyukeyidafujiangdidianyuanzhuanhuanshidesunhao，yincijianghuidadayouzhuyutigaotaiyangnengfadiandexiaolv。lingwai
，weileshiyongyugengduozhongleidedianlufangshi，luomuzaicaiyongbenjishujinyibuwanshangaonaiyachanpinxiandetongshi，haijiangbuduankuochong“PrestoMOS™”係列。

羅姆今後也會繼續利用獨創的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產品的開發。

<高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點>

１） 業內頂級的低導通電阻
２） 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

<利用了Si深蝕刻技術的超結結構>

采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術。
不僅可簡化工序，而且適合微細化。
 
<導通電阻降低47％>　

※以傳統產品為“1”為例