產品特性：

• 額定峰值電壓為600 V
• 在單一封裝中結合了多個碳化矽二極管和多個功率晶體管
• 有助於家電和電力電子設備提高電源效率並實現更緊湊的設計

應用範圍：

• 用於家電（如空調）、PC服務器和太陽能發電係統等電力電子產品

瑞薩電子碳化矽（SiC）功率器件係列

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化矽（SiC）複合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三(san)款(kuan)產(chan)品(pin)在(zai)單(dan)一(yi)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)結(jie)合(he)了(le)多(duo)個(ge)碳(tan)化(hua)矽(gui)二(er)極(ji)管(guan)和(he)多(duo)個(ge)功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)管(guan)
，組(zu)成(cheng)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)電(dian)路(lu)。這(zhe)些(xie)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)是(shi)瑞(rui)薩(sa)電(dian)子(zi)推(tui)出(chu)的(de)采(cai)用(yong)碳(tan)化(hua)矽(gui)的(de)第(di)二(er)個(ge)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)品(pin)係(xi)列(lie)。碳(tan)化(hua)矽(gui)是(shi)一(yi)種(zhong)能(neng)有(you)效(xiao)降(jiang)低(di)損(sun)耗(hao)的(de)新(xin)材(cai)料(liao)。全(quan)新(xin)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)旨(zhi)在(zai)用(yong)於(yu)家(jia)電(dian)（如空調）、PC服務器和太陽能發電係統等電力電子產品。

最近
，為了應對環保問題，降低電氣設備功耗，提高電氣產品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉換效率，以降低空調
、通信基站、PCfuwuqihetaiyangnengfadianxitongdengchanpindedianyuanzhuanhuandianludegonghao
，yijidianjihegongyeshebeidengyingyongdenibiandianludegonghaodequshirijianzengqiang。zhecijileduijubeigenggaoxiaolvhegengdisunhaotexingdegonglvqijiandejudaxuqiu。weici，ruisadianzituichuledisunhaotanhuaguixiaotejishileierjiguan（SiC-SBD）產品。緊隨其後推出的是全新碳化矽複合功率器件係列，這可通過結合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實現電路（開關
、電源轉換等）設計。

這些新產品的額定峰值電壓為600 V
，並使用基於日立株式會社與瑞薩電子聯手開發的低漏電流SiC-SBD技術的碳化矽二極管。它們將低損耗與緊湊設計加以完美結合，並采用5針TO-3P封裝
，而引腳分配則針對具體應用進行了優化，因而很容易在配置電路單元時使用這些器件。

三款全新SiC功率器件的主要特性：

• (1) 麵向臨界導通模式PFC應用的RJQ6020DPM器件RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個SiC-SBD和兩個高壓功率MOSFET
，適用於空調或平板電視電源開關電路等臨界導通模式PFC應用。SiC-SBD的反向恢複時間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實現100 mΩ低導通電阻的高效超結（SJ-MOS）晶體管。全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導通模式PFC-IC結合應用
，因而很容易實現交錯控製。

• (2) 麵向連續導通模式PFC應用的RJQ6021DPM器件RJQ6021DPM器件在單一封裝中結合了一個SiC-SBD和兩個IGBT
，適用於通信設備和PC服務器中的AC/DC整流器等PFC應用。SiC-SBD的反向恢複時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓
，這適用於連續導通模式PFC應用。全新RJQ6021DPM器件也可於瑞薩電子推出的R2A20114A連續導通模式PFC-IC結合應用
，因而很容易實現交錯控製。

• (3) 麵向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件RJQ6022DPM器件在單一封裝中結合了兩個SiC-SBD和兩個IGBT，適用於空調和工業機械中電機驅動半橋式逆變電路應用。SiC-SBD的反向恢複時間（trr）僅15納秒（ns）
，超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓和6微秒（μsec.）的短路時間（tsc）
，這適用於電機驅動應用。一個RJQ6022DPM器(qi)件(jian)足(zu)以(yi)實(shi)現(xian)一(yi)個(ge)半(ban)橋(qiao)式(shi)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)，而(er)兩(liang)個(ge)則(ze)可(ke)以(yi)用(yong)於(yu)實(shi)現(xian)全(quan)橋(qiao)配(pei)置(zhi)，三(san)個(ge)可(ke)用(yong)於(yu)實(shi)現(xian)三(san)相(xiang)橋(qiao)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)。除(chu)簡(jian)化(hua)電(dian)機(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)設(she)計(ji)外(wai)，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分
，與RX600係列等瑞薩微控製器一起提供。

聚ju焦jiao全quan新xin係xi列lie的de高gao壓ya碳tan化hua矽gui複fu合he功gong率lv器qi件jian，其qi開kai發fa是shi為wei了le帶dai給gei客ke戶hu由you微wei控kong製zhi器qi及ji模mo擬ni和he功gong率lv器qi件jian組zu成cheng的de整zheng體ti解jie決jue方fang案an，同tong時shi讓rang瑞rui薩sa電dian子zi躋ji身shen全quan球qiu功gong率lv器qi件jian領ling袖xiu行xing列lie。瑞rui薩sa電dian子zi計ji劃hua推tui出chu將jiang全quan新xin碳tan化hua矽gui複fu合he功gong率lv器qi件jian與yu微wei控kong製zhi器qi、電源控製IC及其他器件相結合的套件解決方案。目前正在規劃裝有全新碳化矽複合功率器件、PFC-IC
、RX600係列微控製器等的參考板，幫助客戶進行套件評估和產品設計。