納米測量的中心議題:

• 納米器件測量解決方案

納米測量的解決方案:

• 脈衝測試原理
• 脈衝測試方法
• 脈衝測試類型比較

suizhenamijishurixinyueyidefazhan，yanjiuyishenrudaoyuanziaiyuanzidefenziji，gouzaojuyouquanxintexingdexinjiegou。tebiedi，namidianzilingyudefazhanshifenxunsu

，qiqianzaiyingxiangshejifeichangkuandexingyelingyu。muqiandenamidianziyanjiudeneirongzhuyaoshiruhekaifaliyongtannamiguan、半導體納米線、分子有機電子和單電子器件。

不過，由於多方麵的原因，這些微小器件無法采用標準的測試技術進行測試。其中一個主要原因在於這類器件的物理尺寸。某些新型“超CMOS”qijiandenamijichicunhenxiao，henrongyishoudaoceliangguochengshiyongdeshenzhihenxiaodianliudesunhuai。ciwai，chuantongzhiliuceshijishuyebuzongshinenggoujieshiqijianshijigongzuodeqingkuang。

相關鏈接：
納米器件測量解決方案詳解（上）:脈衝測試原理和方法
http://m.0-fzl.cn/art/artinfo/id/80010973
納米器件測量解決方案詳解（下）:選擇合適的納米測量方案和工具
http://m.0-fzl.cn/art/artinfo/id/80010974

脈衝測試：納米器件測量難題解決之道
脈衝式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術。它通過減少焦耳熱效應（例如I2R和V2/R），避免對小型納米器件可能造成的損壞。脈衝測試采用足夠高的電源對待測器件（DUT）施加間隔很短的脈衝，產生高品質的可測信號，然後去掉信號源。

tongguomaichongceshi，gongchengjishurenyuankeyihuodegengduodeqijianxinxi，gengzhunquedifenxihezhangwoqijiandexingweitezheng。liru，liyongmaichongceshijishukeyiduinamiqijianjinxingshuntaiceshi，quedingqizhuanyihanshu，congerfenxidaicecailiaodetezheng。maichongceshiceliangduiyujuyouhengwenxianzhideqijianyeshibixude，liruSOI器件、FinFEThenamiqijian，keyibimianzirexiaoying

，fangzhizirexiaoyingyangaiyanjiurenyuansuoguanxindexiangyingtezheng。qijiangongchengshihaikeyiliyongmaichongceshijishufenxidianhefuhuoxiaoying。zai晶體管開啟後電荷俘獲效應會降低漏極電流。隨著電荷逐漸被俘獲到柵介質中

，晶體管的閾值電壓由於柵電容內建電壓的升高而增大
；從而漏極電流就降低了。

脈衝測試類型比較
脈衝測試有兩種不同的類型：加電壓脈衝和加電流脈衝。

電(dian)壓(ya)脈(mai)衝(chong)測(ce)試(shi)產(chan)生(sheng)的(de)脈(mai)衝(chong)寬(kuan)度(du)比(bi)電(dian)流(liu)脈(mai)衝(chong)測(ce)試(shi)窄(zhai)得(de)多(duo)。這(zhe)一(yi)特(te)性(xing)使(shi)得(de)電(dian)壓(ya)脈(mai)衝(chong)測(ce)試(shi)更(geng)適(shi)合(he)於(yu)熱(re)傳(chuan)輸(shu)實(shi)驗(yan)
，其(qi)中(zhong)我(wo)們(men)所(suo)關(guan)心(xin)的(de)時(shi)間(jian)窗(chuang)口(kou)隻(zhi)有(you)幾(ji)百(bai)納(na)秒(miao)。通(tong)過(guo)高(gao)精(jing)度(du)的(de)幅(fu)值(zhi)和(he)可(ke)編(bian)程(cheng)的(de)上(shang)升(sheng)與(yu)下(xia)降(jiang)時(shi)間(jian)能(neng)夠(gou)控(kong)製(zhi)納(na)米(mi)器(qi)件(jian)上(shang)的(de)能(neng)耗(hao)大(da)小(xiao)。電(dian)壓(ya)脈(mai)衝(chong)測(ce)試(shi)可(ke)用(yong)於(yu)可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)試(shi)中(zhong)的(de)瞬(shun)態(tai)分(fen)析(xi)、電荷俘獲和交流應力測試
，也可用於產生時鍾信號，模擬重複控製線，例如存儲器讀寫周期。

電流脈衝測試與電壓脈衝測試非常相似。其中，將指定的電流脈衝加載到DUT上，然後測量器件兩端產生的電壓。電流脈衝測試常用於測量較低的電阻
，或者獲取器件的I-V特征曲線
，而不會使DUT產生大量的能耗，避免對納米器件的損害或破壞。

電壓和電流脈衝測試都有很多優點，但是它們的缺點卻不盡相同。例如，超短電壓脈衝的速度特征分析屬於射頻（RF）的範疇
，因此如果測試係統沒有針對高帶寬進行優化，那麼測量過程中很容易產生誤差。其中主要有三種誤差來源：由於線纜和連接器造成的信號損耗、由於器件寄生效應造成的損耗以及接觸電阻。

電流脈衝測試的主要問題是上升時間較慢
，可能長達幾百納秒。這主要受限於實驗配置中的電感和電容。