IDT3C02的產品特性：

• 100ppm 的總頻率誤差
• 支持標準CMOS 工藝
• 獨特的模擬核設計
• 具有 200nA的低功耗待機模式
• 100μs的快速啟動時間

IDT3C02的應用範圍：

• 適合服務器和企業設計
• 適合采用以太網端口的數據通信設備

致力於豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出業界精度最高的全矽 CMOS 振蕩器，在整個溫度、電壓和其他因數方麵實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。
   
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基於石英晶體的振蕩器
，並采用非常薄的外形，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用於下一代存儲
、數據通信和連接接口，如千兆以太網

、SAS
、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計，以及采用以太網端口的數據通信設備。
   
IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差，IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇，它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全矽 CMOS 振蕩器，擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”
   
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工gong藝yi，采cai用yong了le可ke編bian程cheng架jia構gou，支zhi持chi各ge種zhong配pei置zhi選xuan項xiang
，以yi適shi應ying廣guang泛fan的de應ying用yong範fan圍wei。也ye許xu這zhe些xie選xuan項xiang中zhong最zui為wei關guan鍵jian的de是shi工gong廠chang可ke編bian程cheng的de工gong作zuo頻pin率lv，與yu傳chuan統tong的de石shi英ying解jie決jue方fang案an相xiang比bi，有you助zhu於yu縮suo短duan交jiao貨huo時shi間jian，包bao括kuo特te殊shu或huo罕han見jian的de頻pin率lv。
   
此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低於 2.5mA（空載典型值）
，從而為基於石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。
   
IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式
，以及 100μs（典型值）dekuaisuqidongshijian。zhexiegongnengzuheshigaiqijianfeichangshihegonglvmingandesheji，yunxupinfandekaiguandianyuanyijinyibujieshenggonghao。youyugaiqijianbubaohanrenheyundongyuanjian，qiebushiyongjixiehuoyadiandianzixiezhenlaichanshengdianzipinlv
，quanguidedanpianfanganshixianleyouliangdenaichongjihezhendongnengli。

供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。