產品特性：

• 采用業界標準SOT-23封裝
  ，具有超低導通電阻 (RDS(on))
• 支持-30V至100V的電壓
• 采用IR最新的中壓矽技術

應用範圍：

• 電池充電及放電開關
  、係統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET係列。該器件采用業界標準SOT-23封裝

，具有超低導通電阻 (RDS(on)) 

，適用於電池充電及放電開關、係統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓矽技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優化了性能及價格。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的SOT-23 MOSFET係列支持從 -30V至100V的寬電壓範圍
，並提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”

新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，所采用的材料不含鉛，並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。