產品特性：

• PV-IPM麵積比以前減小約30％
• MPD係列額定電流提升到原係列的1.5倍以上
• 新VI係列IPM功率大尺寸小
  
  、有效利用能源
• 第6代IGBT模塊進一步降低模塊的開關和通態損耗

應用範圍：

• 工業用功率模塊

三菱電機將攜同最新推出的四個工業用功率模塊係列產品

，包括適合可再生能源設備使用的新型PV-IPM和新型MPD係列
；其他工業使用的V1係列 IPM和第6代NX 係列IGBT模塊，在6月1日至3日於上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展中亮相，向參觀者介紹麵積更小
、損耗更低
、和容量更大的變頻工業技術。

三菱電機推出的新封裝型PV-IPM產品的麵積比以前的產品減小了約30％
，weigonglvbianhuanqidexiaoxinghuazuochugongxian。youyutademianjixiao
，tebieshihezhuangzaishineidejiayongtaiyangnengfadianxitongdegonglvbianhuanqishiyong，jiangtaiyangnengdianchibandezhiliudianzhuanhuanchengjiaoliudian。zhekuanmokuaiyekeyingyongzairanliaodianchixitongdegonglvbianhuanqi
，jinyibutuidongzaishengnengyuandeshiyong。

根據內置功率矽片的數量
，可以將該係列產品分為4單元
、5單元和6單元共3種
，其對應的電路拓撲結構分別為單相逆變電路
、單相逆變加1個升壓電路、單相逆變加2個升壓電路。額定電流包括50A和75A兩個電流等級。

三菱電機的新型MPD係列產品是另一款適合容量大的再生能源設備使用的功率模塊。新型MPD係列IGBT模塊針對大電流專用的內部結構采用專門的封裝
，並采用低損耗的第6代IGBT矽片，使得額定電流提升到原MPD係列的1.5倍以上。原MPD係列早在2002年推出，額定電壓為1200V，額定電流為1400A的2單元MPD係列IGBT模塊。

新型MPD係列CM2500DY-24S的額定電流為2500A，是目前工業用2單元IGBT模mo塊kuai中zhong電dian流liu最zui大da的de，從cong而er使shi得de利li用yong再zai生sheng能neng源yuan發fa電dian的de係xi統tong可ke以yi做zuo到dao更geng大da的de容rong量liang。同tong時shi，為wei了le提ti高gao水shui冷leng的de冷leng卻que效xiao率lv
，模mo塊kuai內nei部bu的de矽gui片pian布bu局ju空kong間jian保bao持chi較jiao大da餘yu量liang。這zhe種zhong新xin品pin還hai適shi用yong於yu工gong業ye用yong大da容rong量liang變bian頻pin器qi

、不間斷電源（UPS）等裝置。

這個新型MPD係列產品更能滿足發電係統大容量化的需求
，切合現時各國政府極力推進風力發電
、太tai陽yang能neng發fa電dian等deng利li用yong可ke再zai生sheng能neng源yuan的de發fa電dian政zheng策ce。在zai政zheng府fu的de大da力li推tui動dong下xia，新xin能neng源yuan發fa電dian係xi統tong已yi經jing達da到dao兆zhao瓦wa級ji的de大da規gui模mo，對dui應ying用yong於yu這zhe些xie發fa電dian係xi統tong的de功gong率lv變bian換huan裝zhuang置zhi的de容rong量liang也ye比bi以yi前qian大da幅fu提ti高gao。
三菱電機現在推出的小型V1係列IPM，則可應用在大功率電機上。它的特性是低損耗，可用於37kw以上的變頻器和15kw以上的伺服驅動器等。

新設計的VI係列IPM，gonglvdaqiechicunxiao，gengyouxiaodiliyongnengyuan。zhekuanpinlvketiaodebianpinqikeguangfanshiyongyugongyedianjidequdongkongzhixitong。bianpinqideshuchubufenpubiancaiyongneizhiqudongdianlu、保護電路的功率半導體模塊IPM來高速開關電流。

新的V1係列IPM把三菱電機早期的2單元S係列和V係列IPM統一成兩種封裝，采用CSTBTTM矽片具有低損耗的優點
，最優化的集成在矽片上的溫度傳感器，功率循環能力較以前的產品相比得到顯著提高。

電壓分別有600V和1200V兩個等級
，電流從200A/1200V到900A/600V，產品豐富。V1係列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比降低約20%（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。另外
，V1係列IPM在每一個矽片上都有溫度傳感器用於檢測溫度，與傳統產品V係列IPM相比，新的V1係列IPM的溫度保護功能得到增強。 三菱電機最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT矽片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。第6代IGBT模塊內的續流二極管矽片
，由於采用薄膜晶片工藝和擴散技術
，這種矽片優化了緩衝層雜質分布和本征層、緩衝層厚度，減小了反向恢複的拖尾電流，並且獲得更好的VF和Qrr的折衷關係。

實驗表明新型矽片具有足夠寬SCSOA和最少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX係列模塊采用第6代矽片，最大允許結溫可高達175C。 采用第6代NX係列IGBT模塊的變頻器功率損耗比傳統產品的降低約20%。例如：1200V/150A IGBT模塊應用於30kW的變頻器
，功耗可從200W減少到160W（CM150TX-24S與CM150DX-24A對比）。

第6代NX係列IGBT模塊產品豐富，包括1200V和1700V兩個電壓等級
，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)
、七單元

、六單元、二單元和一單元模塊，共5種電路拓撲。全係列產品采用同一封裝平台從而降低了模塊的製造成本
，使得NX係列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。