更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術革命
發布時間:2010-03-15 來源:電子元件技術網
產品特性:
GaNpowIR是IR基於氮化镓 (GaN)的革命性功率器件技術平台。與最先進的矽技術平台相比,能夠改善客戶主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍,可以顯著提高性能並節省能源消耗,包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。
GaN技術平台開創行業先河,是IR研發部門基於IR專利的GaN-on-Si矽上氮化镓異質外延技術,經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm矽上氮化镓外延以及相關的器件製造工藝,完全符合IR具備成本效益的矽製造設施,可為客戶提供世界級的商業可行的氮化镓功率器件製造平台。
2010年3月5日,國際整流器公司(IR)在深圳會展中心舉行新品發布媒體見麵會。會上,IR公司環球市場及企業傳信副總裁Graham Robertson先生為我們詳細介紹了行業首批商用氮化镓集成功率級器件iP2010和iP2011的功能、特性及目標應用。電子元件技術網記者應邀出席了此次會議。
iP2010和iP2011係列器件為多相和負載點 (POL) 應用而設計,應用目標領域包括服務器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉換器。 它是將PowerRtune驅動IC和氮化鉀功率器件集成在一起,采用了無引線封裝,可以滿足最高效率和功率密度需求。
國際整流器公司環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson在新品發布會上指出,“與業內最好的功率器件相比,iP2010和iP2011係列器件在600KHz工作頻率時有超過93%的效率!在1.2MHz工作頻率時也有91%的效率!”

IR環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson先生
這個采用氮化鉀材料的新器件可以將係統的效率改善3.5%到7%,采用簡單的熱控製即可達到節能效果,在目前綠色節能的大趨勢下可以發揮重要作用。在改善功率器件的優值係數方麵,這個氮化镓 (GaN) 功率器件也表現突出,如下圖所示。

改善功率器件的優值係數,Si SiC GaN對比
據介紹,GaN器件可以將應用的優值係數提高10倍!而且可以將開關電源的頻率從KHz提升到MHz級別,所以可以將電源係統的效率提升很多。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度,與分立方案相比,其係統尺寸縮小40%!,與業界最好的DrMOS器件相比,其係統方案電路板空間尺寸縮小35%以上,而且其所需的外圍器件也相比這兩個方案少很多,iP201x係列高達5MHz的(de)開(kai)關(guan)能(neng)力(li)有(you)助(zhu)於(yu)設(she)計(ji)師(shi)顯(xian)著(zhu)減(jian)少(shao)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)和(he)電(dian)感(gan)值(zhi)及(ji)尺(chi)寸(cun),有(you)助(zhu)實(shi)現(xian)空(kong)間(jian)緊(jin)張(zhang)的(de)設(she)計(ji)。由(you)此(ci)可(ke)以(yi)解(jie)降(jiang)低(di)應(ying)用(yong)成(cheng)本(ben)。這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)還(hai)能(neng)夠(gou)使(shi)要(yao)求(qiu)最(zui)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)應(ying)用(yong)設(she)定(ding)在(zai)較(jiao)低(di)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)下(xia)運(yun)行(xing)。”

采用分立器件,GaNpowIR技術,DrMOS方案功率密度比較
iP2010的輸入電壓範圍為7V至13.2V,輸出電壓範圍則為0.6V至5.5V,輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時,與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓範圍,但後者經過優化,從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位麵積提供多種電流額定值器件,IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細小占位麵積的LGA(無引線封裝),為極低的功率損耗作出了優化,並提供高效率的雙麵冷卻功能,並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。
iP2010產品規格

iP2011產品規格

- 無引線封裝
- 超過93%的效率
- 係統效率改善3.5%到7%
- 係統尺寸縮小40%
- 括服務器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉換器
GaNpowIR是IR基於氮化镓 (GaN)的革命性功率器件技術平台。與最先進的矽技術平台相比,能夠改善客戶主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍,可以顯著提高性能並節省能源消耗,包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。
GaN技術平台開創行業先河,是IR研發部門基於IR專利的GaN-on-Si矽上氮化镓異質外延技術,經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm矽上氮化镓外延以及相關的器件製造工藝,完全符合IR具備成本效益的矽製造設施,可為客戶提供世界級的商業可行的氮化镓功率器件製造平台。
2010年3月5日,國際整流器公司(IR)在深圳會展中心舉行新品發布媒體見麵會。會上,IR公司環球市場及企業傳信副總裁Graham Robertson先生為我們詳細介紹了行業首批商用氮化镓集成功率級器件iP2010和iP2011的功能、特性及目標應用。電子元件技術網記者應邀出席了此次會議。
iP2010和iP2011係列器件為多相和負載點 (POL) 應用而設計,應用目標領域包括服務器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉換器。 它是將PowerRtune驅動IC和氮化鉀功率器件集成在一起,采用了無引線封裝,可以滿足最高效率和功率密度需求。
國際整流器公司環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson在新品發布會上指出,“與業內最好的功率器件相比,iP2010和iP2011係列器件在600KHz工作頻率時有超過93%的效率!在1.2MHz工作頻率時也有91%的效率!”

IR環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson先生
這個采用氮化鉀材料的新器件可以將係統的效率改善3.5%到7%,采用簡單的熱控製即可達到節能效果,在目前綠色節能的大趨勢下可以發揮重要作用。在改善功率器件的優值係數方麵,這個氮化镓 (GaN) 功率器件也表現突出,如下圖所示。

改善功率器件的優值係數,Si SiC GaN對比
據介紹,GaN器件可以將應用的優值係數提高10倍!而且可以將開關電源的頻率從KHz提升到MHz級別,所以可以將電源係統的效率提升很多。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度,與分立方案相比,其係統尺寸縮小40%!,與業界最好的DrMOS器件相比,其係統方案電路板空間尺寸縮小35%以上,而且其所需的外圍器件也相比這兩個方案少很多,iP201x係列高達5MHz的(de)開(kai)關(guan)能(neng)力(li)有(you)助(zhu)於(yu)設(she)計(ji)師(shi)顯(xian)著(zhu)減(jian)少(shao)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)和(he)電(dian)感(gan)值(zhi)及(ji)尺(chi)寸(cun),有(you)助(zhu)實(shi)現(xian)空(kong)間(jian)緊(jin)張(zhang)的(de)設(she)計(ji)。由(you)此(ci)可(ke)以(yi)解(jie)降(jiang)低(di)應(ying)用(yong)成(cheng)本(ben)。這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)還(hai)能(neng)夠(gou)使(shi)要(yao)求(qiu)最(zui)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)應(ying)用(yong)設(she)定(ding)在(zai)較(jiao)低(di)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)下(xia)運(yun)行(xing)。”

采用分立器件,GaNpowIR技術,DrMOS方案功率密度比較
iP2010的輸入電壓範圍為7V至13.2V,輸出電壓範圍則為0.6V至5.5V,輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時,與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓範圍,但後者經過優化,從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位麵積提供多種電流額定值器件,IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細小占位麵積的LGA(無引線封裝),為極低的功率損耗作出了優化,並提供高效率的雙麵冷卻功能,並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。
iP2010產品規格

iP2011產品規格

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