中心議題：

• 厚膜和薄膜技術
• 各種技術的發展

當前的小型化趨勢將電阻器技術推到了極限。例如
，0201尺寸的片狀電阻器僅封裝就大約占到了元件總成本的60%。對dui某mou些xie在zai電dian路lu板ban上shang同tong一yi相xiang鄰lin位wei置zhi使shi用yong相xiang同tong電dian阻zu值zhi的de設she計ji來lai說shuo，片pian狀zhuang元yuan件jian陣zhen列lie可ke以yi幫bang助zhu緩huan解jie布bu局ju和he封feng裝zhuang問wen題ti。不bu過guo
，這zhe並bing不bu適shi用yong於yu所suo有you廠chang商shang。

厚(hou)膜(mo)和(he)薄(bo)膜(mo)技(ji)術(shu)的(de)最(zui)近(jin)發(fa)展(zhan)可(ke)以(yi)在(zai)給(gei)定(ding)的(de)芯(xin)片(pian)尺(chi)寸(cun)上(shang)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)的(de)額(e)定(ding)功(gong)率(lv)。眾(zhong)所(suo)周(zhou)知(zhi)，與(yu)厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)元(yuan)件(jian)相(xiang)比(bi)，薄(bo)膜(mo)電(dian)阻(zu)元(yuan)件(jian)具(ju)有(you)眾(zhong)多(duo)性(xing)能(neng)優(you)勢(shi)，而(er)厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)器(qi)唯(wei)一(yi)的(de)明(ming)顯(xian)優(you)勢(shi)就(jiu)是(shi)成(cheng)本(ben)。

借(jie)助(zhu)最(zui)新(xin)的(de)材(cai)料(liao)和(he)工(gong)藝(yi)進(jin)步(bu)
，這(zhe)種(zhong)明(ming)顯(xian)的(de)成(cheng)本(ben)差(cha)別(bie)可(ke)被(bei)顯(xian)著(zhu)降(jiang)低(di)
，這(zhe)很(hen)可(ke)能(neng)會(hui)對(dui)片(pian)狀(zhuang)電(dian)阻(zu)器(qi)市(shi)場(chang)產(chan)生(sheng)重(zhong)大(da)影(ying)響(xiang)。目(mu)前(qian)，一(yi)種(zhong)合(he)理(li)的(de)預(yu)期(qi)是(shi)，容(rong)差(cha)1%
、電阻溫度係數（TCR）為±100×10-6/℃的商品薄膜片狀電阻器的價位將與同等精度的厚膜電阻器的價位大致相同。

在硫含量較高的環境，例如汽車裝備
、工gong業ye設she備bei和he重zhong型xing農nong用yong和he建jian築zhu設she備bei中zhong，由you於yu硫liu化hua銀yin的de形xing成cheng，常chang見jian的de厚hou膜mo片pian狀zhuang電dian阻zu器qi會hui出chu現xian阻zu值zhi偏pian移yi問wen題ti。硫liu滲shen過guo電dian鍍du層ceng和he屏ping蔽bi層ceng，與yu銀yin接jie觸chu形xing成cheng硫liu化hua銀yin（如圖1所示）。

圖1硫滲過電鍍層和屏蔽層，與銀接觸形成硫化銀

硫liu化hua銀yin是shi不bu導dao電dian的de，而er持chi續xu暴bao露lu在zai硫liu環huan境jing中zhong將jiang意yi味wei著zhe更geng多duo硫liu化hua銀yin的de形xing成cheng，直zhi到dao所suo有you的de銀yin都dou完wan全quan轉zhuan化hua成cheng硫liu化hua銀yin。導dao電dian層ceng將jiang因yin此ci被bei中zhong斷duan，而er該gai元yuan件jian將jiang變bian成cheng開kai路lu。對dui任ren何he汽qi車che或huo工gong業ye設she備bei製zhi造zao商shang而er言yan，這zhe是shi一yi種zhong特te別bie令ling人ren沮ju喪sang的de現xian象xiang，因yin為wei它ta是shi一yi種zhong在zai製zhi造zao時shi完wan全quan無wu法fa檢jian測ce的de潛qian在zai故gu障zhang。有you些xie汽qi車che和he工gong業ye設she備bei製zhi造zao商shang已yi經jing通tong過guo密mi封feng電dian子zi設she備bei
，成cheng功gong地di阻zu止zhi了le硫liu化hua銀yin的de形xing成cheng，但dan要yao將jiang該gai方fang法fa應ying用yong於yu所suo有you情qing況kuang並bing不bu可ke行xing
，而er且qie這zhe並bing不bu是shi一yi種zhong能neng確que保bao防fang止zhi硫liu汙wu染ran的de可ke靠kao方fang法fa。

厚膜和薄膜

厚膜電阻器的內部端接通常都不同程度地采用了鍍銀/鈀工藝。這些相對廉價的端接材料具有更高的銀含量，但通常正是內部端接中的銀容易受到硫的汙染。

盡(jin)管(guan)有(you)可(ke)能(neng)找(zhao)到(dao)銀(yin)含(han)量(liang)更(geng)低(di)的(de)厚(hou)膜(mo)材(cai)料(liao)，但(dan)至(zhi)今(jin)為(wei)止(zhi)，這(zhe)些(xie)備(bei)選(xuan)材(cai)料(liao)都(dou)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)的(de)成(cheng)本(ben)，因(yin)此(ci)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)似(si)乎(hu)不(bu)太(tai)可(ke)能(neng)。另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)
，薄(bo)膜(mo)片(pian)狀(zhuang)電(dian)阻(zu)器(qi)使(shi)用(yong)濺(jian)射(she)的(de)
、以鎳鉻鐵合金為主要材質的內部端接
，不含銀且通常也不包含任何其他貴金屬。這意味著鎳鉻鐵合金薄膜材料的價位比那些金、鈀或鉑含量更高的厚膜材料更為穩定。
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隻zhi有you內nei部bu端duan接jie不bu包bao含han銀yin或huo銅tong質zhi材cai料liao的de片pian狀zhuang電dian阻zu器qi，或huo者zhe那na些xie內nei部bu端duan接jie由you硫liu無wu法fa滲shen透tou的de中zhong間jian層ceng加jia以yi保bao護hu的de片pian狀zhuang電dian阻zu器qi
，才cai能neng夠gou完wan全quan不bu受shou硫liu汙wu染ran的de影ying響xiang。市shi場chang上shang存cun在zai具ju有you競jing爭zheng力li的de基ji於yu厚hou膜mo的de解jie決jue方fang案an
，它ta們men有you一yi定ding防fang硫liu效xiao果guo
，但dan仍reng不bu能neng完wan全quan避bi免mian硫liu汙wu染ran——時間一長，它們最終也會失效，變成開路。

同tong樣yang，我wo們men知zhi道dao，浸jin鍍du的de保bao護hu性xing鈍dun化hua層ceng的de不bu重zhong合he也ye可ke能neng會hui使shi得de硫liu汙wu染ran的de影ying響xiang更geng為wei嚴yan重zhong。在zai這zhe種zhong情qing況kuang下xia，降jiang低di浸jin渡du工gong藝yi的de速su度du可ke以yi將jiang這zhe種zhong效xiao應ying降jiang至zhi最zui低di
，但dan這zhe樣yang做zuo也ye會hui增zeng加jia製zhi造zao成cheng本ben並bing降jiang低di製zhi造zao產chan能neng。因yin為wei薄bo膜mo內nei部bu端duan接jie不bu受shou硫liu汙wu染ran的de影ying響xiang，所suo以yi這zhe一yi工gong藝yi的de精jing度du並bing不bu重zhong要yao。

很明顯，就其內部端接而言，薄膜電阻器技術可以更好地抵抗硫汙染。除此之外，采用薄膜技術的電阻器也具有整體穩定性

、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決於電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善
，特別是它的電阻值較大。


圖2根據額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

zaiguoqu
，zhezhongdianzaoshenggengdidegaijincuoshizhiyouzaigaoduanyinpinyingyongzhongcainengtixianqizhongyaoxing。danshi，houmodianzuqinanyimanzumuqianzuixindegaosutongxinshebei
，liruluyouqi
、網橋和DSL調tiao製zhi解jie調tiao器qi等deng對dui噪zao聲sheng的de要yao求qiu。許xu多duo因yin素su導dao致zhi厚hou膜mo電dian阻zu器qi的de噪zao聲sheng更geng大da
，薄bo膜mo和he厚hou膜mo技ji術shu最zui顯xian著zhu的de一yi個ge差cha異yi體ti現xian在zai激ji光guang修xiu整zheng特te性xing上shang。一yi旦dan燒shao製zhi成cheng功gong

，厚hou膜mo材cai料liao的de性xing狀zhuang實shi際ji上shang與yu玻bo璃li類lei似si。因yin此ci，隨sui著zhe材cai料liao的de冷leng卻que，激ji光guang修xiu整zheng會hui在zai修xiu整zheng區qu域yu周zhou圍wei形xing成cheng許xu多duo細xi小xiao的de微wei裂lie痕hen。這zhe些xie微wei裂lie痕hen是shi寄ji生sheng電dian容rong和he錯cuo誤wu電dian流liu路lu徑jing的de一yi種zhong來lai源yuan
，所suo有you這zhe些xie都dou會hui固gu有you地di導dao致zhi對dui高gao速su通tong信xin信xin號hao的de處chu理li性xing能neng的de下xia降jiang。

為(wei)了(le)降(jiang)低(di)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)對(dui)厚(hou)膜(mo)元(yuan)件(jian)的(de)影(ying)響(xiang)，製(zhi)造(zao)商(shang)通(tong)常(chang)會(hui)增(zeng)加(jia)一(yi)層(ceng)絕(jue)緣(yuan)玻(bo)璃(li)來(lai)穩(wen)定(ding)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)。這(zhe)一(yi)層(ceng)包(bao)含(han)微(wei)量(liang)的(de)鉛(qian)，而(er)且(qie)人(ren)們(men)深(shen)知(zhi)它(ta)對(dui)於(yu)保(bao)持(chi)厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)器(qi)長(chang)期(qi)可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)重(zhong)要(yao)性(xing)；鑒於其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬於RoHS標準的豁免項目。

但(dan)是(shi)，這(zhe)種(zhong)豁(huo)免(mian)今(jin)後(hou)是(shi)會(hui)繼(ji)續(xu)存(cun)在(zai)，抑(yi)或(huo)業(ye)界(jie)會(hui)要(yao)求(qiu)使(shi)用(yong)一(yi)種(zhong)不(bu)含(han)鉛(qian)的(de)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)穩(wen)定(ding)的(de)備(bei)選(xuan)方(fang)法(fa)，前(qian)景(jing)尚(shang)不(bu)明(ming)朗(lang)。薄(bo)膜(mo)技(ji)術(shu)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)一(yi)種(zhong)“更為綠色”或更為環保的電阻器，因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到的含鉛玻璃。

發展

薄膜技術以及厚膜技術的一項最新發展是在給定的EIA標準片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進步使得工程師能夠使設計小型化
，而無須犧牲功率處理能力。對於增強電流設計
、減小未來設計的尺寸、產出更小的最終產品或在同尺寸產品中提供更多功能而言
，這項突破都是至關重要的。


影響薄膜技術批量應用於片狀電阻器製造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產品高10〜100倍(bei)。為(wei)了(le)減(jian)少(shao)這(zhe)種(zhong)差(cha)異(yi)，供(gong)應(ying)商(shang)需(xu)要(yao)對(dui)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)進(jin)行(xing)完(wan)全(quan)重(zhong)新(xin)設(she)計(ji)，以(yi)滿(man)足(zu)高(gao)速(su)低(di)成(cheng)本(ben)生(sheng)產(chan)的(de)需(xu)要(yao)。它(ta)還(hai)需(xu)要(yao)開(kai)發(fa)一(yi)種(zhong)高(gao)速(su)的(de)內(nei)聯(lian)式(shi)薄(bo)膜(mo)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)。降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)的(de)最(zui)後(hou)一(yi)步(bu)是(shi)將(jiang)對(dui)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)的(de)要(yao)求(qiu)從(cong)高(gao)精(jing)度(du)級(ji)別(bie)（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項進步可以同時應用於價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%〜20%的片狀電阻器。那可能是所有發展中最引人注目的一項。