ZXMN15A27K/ZXMN20B28K：Diodes推出兩款N溝道MOSFET
發布時間：2009-12-07 來源：電子產品世界
產品特性：
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的複雜性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基於用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音係統、PBX係統、有線和DSL網關。
兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環境下的高脈衝雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器，這些MOSFET就能驅動150V以上的線路電壓，並以6公裏以上的環路長度提供多種用戶線路。
這些MOSFET的低輸入電容使其易於以很少或沒有緩衝直接從SLIC控製IC進行驅動，進一步簡化了電路設計，減少了元件數量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現低柵極驅動。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。
- 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V
- 能夠承受SLIC環境下的高脈衝雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路
- 其低輸入電容使其易於以很少或沒有緩衝直接從SLIC控製IC進行驅動
- 采用TO252-3L封裝
- 寬帶語音係統、PBX係統、有線和DSL網關
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的複雜性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基於用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音係統、PBX係統、有線和DSL網關。
兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環境下的高脈衝雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器，這些MOSFET就能驅動150V以上的線路電壓，並以6公裏以上的環路長度提供多種用戶線路。
這些MOSFET的低輸入電容使其易於以很少或沒有緩衝直接從SLIC控製IC進行驅動，進一步簡化了電路設計，減少了元件數量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現低柵極驅動。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。
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