SSM3K318T:Toshiba推出60V N溝道高壓功率MOSFET
發布時間:2009-10-16 來源:中電網
產品特性:
- 適合將電池電壓提升到需要打開LED陣列的電壓
- 低導通電阻值為83.5毫歐姆(典型值)
- 在VDS=30V的低電容為235pF
- 新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm
- 目標應用LCD麵板背景光,如汽車導航顯示器和12吋上網本PC
SSM3K318T在VGS=10V的低導通電阻值為83.5毫歐姆(典型值),和在VDS=30V的低電容為235pF。新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm。
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