產品特性：

• 具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率
• 采用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術
• 在緊湊 (1.6mm x 1.6mm) 和低側高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封裝中，集成了兩個分立器件
• 具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 範圍

適用範圍：

• 手機、醫療
  、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關產品FDFME3N311ZT，有助提高手機
、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管
，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)
，以提升DC-DC升壓設計的效率。FDFME3N311ZT 采用飛兆半導體專有的PowerTrenchgongyijishu，tongguozaixiyouhuadongtaixingnenglaijiangdikaiguansunhao。qixiaotejierjiguandefanxiangxieloudianliusuiwendushenggaodebianhuaxiao，keyifangzhizhuanhuanqixiaolvsuifengzhuangwendushenggaoerjiangdi。gaiqijianzaijincou (1.6mm x 1.6mm) 和低側高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封裝中，集成了兩個分立器件

，不但能夠滿足緊湊型DC-DC升壓設計的需求，而且相比先前的升壓開關產品節省36% 的電路板空間。

FDFME3N311ZT提供30V的擊穿電壓
，可為手機等應用驅動多達7個或8個白光LED(實際數字取決於所選擇的LED和設計保護帶)。白光LED通常用作手機等移動設備的顯示器的背光照明，一般以串聯方式連接，以確保每個LED具有相同的正向電流和亮度。以每個LED的正向電壓約為3-3.5V計算，使用這款升壓開關將有助於逐步提高現有的電池升壓輸出電壓(大多數情況下為單一鋰電池)。

這款升壓開關是飛兆半導體多元化的MOSFET產品係列的最新成員，該產品係列具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 範圍和先進的封裝技術等特點，能夠解決現時設計所麵對的各種複雜的功率和空間難題。