新聞事件：

• 半導體分立器件年會對微波功率半導體器件的進展和應用進行了介紹

事件影響：

• 微波功率半導體器件目前擁有每年20億美元的全球市場
• 這些新進展和新應用勢必會推動微波率半導體器件的進一步發展

8月20日，深圳，由中國半導體行業協會主辦，分立器件分會
、華強電子網等聯合承辦的“2009中國半導體分立器件市場年會”上，中(zhong)國(guo)電(dian)科(ke)集(ji)團(tuan)南(nan)京(jing)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)研(yan)究(jiu)所(suo)，單(dan)片(pian)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)與(yu)模(mo)塊(kuai)國(guo)家(jia)級(ji)重(zhong)點(dian)實(shi)驗(yan)室(shi)邵(shao)凱(kai)先(xian)生(sheng)對(dui)於(yu)微(wei)波(bo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的(de)進(jin)展(zhan)和(he)應(ying)用(yong)進(jin)行(xing)了(le)介(jie)紹(shao)。微(wei)波(bo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)目(mu)前(qian)擁(yong)有(you)每(mei)年(nian)20億美元的全球市場，在很多應用中它是不可缺少的非常重要的一類半導體器件。它的應用主要分為三大類：以手機射頻功放為代表的輸出功率小於5W
，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件；以移動通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用於通信
、雷達等領域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。它涉及到的半導體材料包括第一代的矽，第二代的砷化镓
、磷化銦以及第三代的氮化镓和碳化矽等。不同材料適合不同應用。目前砷化镓異質結雙極晶體管（GaAs HBT）是手機射頻功放的主流技術；移動通信基站功放則主要用矽橫向擴散金屬氧化物半導體場效應器件（Si LDMOS）；微波毫米波功放主要用砷化镓贗配高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）。但其它材料和器件結構也在參與激烈競爭
，尤其是第三代半導體材料氮化镓（GaN）和碳化矽（SiC）的出現帶來了新的希望。

在本次會議上，全國200多位行業主管部門領導、zhuanjiajiyejiedaibiaohuijushenzhen，jinjinweiraojinrongweijixiazhongguobandaotifenliqijianshichangjiyujiqushi，fenliqijianxinjishuxingongyidefazhan
，xinxingfenliqijianzaiqichedianzi、節能照明等領域的應用前景進行了深入探討。工業和信息化部電子信息司丁文武副司長、中國半導體行業協會徐小田秘書長、中國半導體行業協會分立器件分會趙小寧秘書長、中國科學院許居衍院士等領導、專家出席了本次會議並發言。