產品特性：

• 工作電壓可以覆蓋400V—900V區間
• 可兼容多晶穩壓管結構
• 高可靠性
  ，高效率，高EAS能力
• 導通電阻低，動態參數優
• 具有相對較小的芯片麵積

應用範圍：

• AC-DC功率電源，DC-DC轉換器
• PWM馬達驅動

杭州士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產品——S-RinTM係列高壓VDMOS。這是士蘭微電子曆經多年的自主研發所推出的第三代高壓MOSFET產品。相比較於前兩代的產品，S-RinTM係列高壓VDMOS產品性能更加優越，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間，可以兼容多晶穩壓管結構以提高ESD特性

；具有高可靠性
，高效率
，高EAS能力

，導通電阻低
，動態參數優等特點，已被廣泛應用於AC-DC功率電源，DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。

S-RinTM產品采用了條形元胞結構
，並優化了元胞的工藝及設計尺寸。相對於采用其他結構元胞的器件，在EAS能力方麵具有較大的優勢；此外，由於采用了尺寸較小的GR環作為其保護環，這樣在相同規格的條件下
，S-RinTM產品就具有相對較小的芯片麵積，這一優勢能有效降低成本，增加芯片的利用效率。

該係列產品優化了柵氧化層的厚度和工藝質量，提高了柵源擊穿電壓
，從而提高了可靠性指標，並改善了器件的易損性；其突出表現在於對IDSS漏電的控製。與其他公司同類型的產品相比，S-RinTM產品在經過HTRB可靠性試驗後，IDSSrengrankeyiweichizaijinaandaoshijinaanfeichangxiaodeshuiping，qiexiangduishiyanqian，jibenbuhuizengda，zhejiuzaihendachengdushangbaozhengleqijianzaichangshijiangongzuozhihou，buhuiyinweiloudianzengdashixiaoeryingxiangqizhengchangshiyong。

此外
，S-RinTM產品通過在工藝上對N-JFET的調整
，減小JFET效應
，使得器件的導通電阻減小，從而降低了器件工作時的溫升，提高了AC-DC係統的轉換效率。對多晶柵進行了重摻雜處理，以提高器件的響應速度
，從而使該係列產品在動態參數方麵表現出了一定的優勢。