靜電屏蔽的目的是防止外界的靜電場進入需要保護的某個區域。靜電屏蔽依據的原理是：zaiwaijiejingdianchangdezuoyongxiadaotibiaomiandianhejiangzhongxinfenbu，zhidaodaotineibuzongchangqiangchuchuweilingweizhi。jiedidefengbijinshukeshiyizhonglianghaodejingdianpingbizhuangzhi。rutusuoshi
，jiedidefengbijinshukebakongjianfengechengkeneihekewailianggequyu，jinshukeweichizailingdianwei。genjujingdianchangdeweiyixingdingli，keyizhengming：金(jin)屬(shu)殼(ke)內(nei)的(de)電(dian)場(chang)僅(jin)由(you)殼(ke)內(nei)的(de)帶(dai)電(dian)體(ti)和(he)殼(ke)的(de)電(dian)位(wei)所(suo)確(que)定(ding)，與(yu)殼(ke)外(wai)的(de)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)無(wu)關(guan)。當(dang)殼(ke)外(wai)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)變(bian)化(hua)時(shi)，殼(ke)層(ceng)外(wai)表(biao)麵(mian)上(shang)的(de)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)隨(sui)之(zhi)變(bian)化(hua)

，以(yi)保(bao)證(zheng)殼(ke)內(nei)電(dian)場(chang)分(fen)布(bu)不(bu)變(bian)。因(yin)此(ci)，金(jin)屬(shu)殼(ke)對(dui)內(nei)部(bu)區(qu)域(yu)具(ju)有(you)屏(ping)蔽(bi)作(zuo)用(yong)。殼(ke)外(wai)的(de)電(dian)場(chang)僅(jin)由(you)殼(ke)外(wai)的(de)帶(dai)電(dian)體(ti)和(he)金(jin)屬(shu)殼(ke)的(de)電(dian)位(wei)以(yi)及(ji)無(wu)限(xian)遠(yuan)處(chu)的(de)電(dian)位(wei)所(suo)確(que)定(ding)
，與(yu)殼(ke)內(nei)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)無(wu)關(guan)。當(dang)殼(ke)內(nei)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)改(gai)變(bian)時(shi)，殼(ke)層(ceng)內(nei)表(biao)麵(mian)的(de)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)隨(sui)之(zhi)變(bian)化(hua)，以(yi)保(bao)證(zheng)殼(ke)外(wai)電(dian)場(chang)分(fen)布(bu)不(bu)變(bian)。因(yin)此(ci)，接(jie)地(di)的(de)金(jin)屬(shu)殼(ke)對(dui)外(wai)部(bu)區(qu)域(yu)也(ye)具(ju)有(you)屏(ping)蔽(bi)作(zuo)用(yong)。在(zai)靜(jing)電(dian)屏(ping)蔽(bi)中(zhong)，金(jin)屬(shu)殼(ke)接(jie)地(di)是(shi)十(shi)分(fen)重(zhong)要(yao)的(de)。當(dang)殼(ke)內(nei)或(huo)殼(ke)外(wai)區(qu)域(yu)中(zhong)的(de)電(dian)荷(he)分(fen)布(bu)變(bian)化(hua)時(shi)，通(tong)過(guo)接(jie)地(di)線(xian)，電(dian)荷(he)在(zai)殼(ke)層(ceng)外(wai)表(biao)麵(mian)和(he)大(da)地(di)之(zhi)間(jian)重(zhong)新(xin)分(fen)布(bu)，以(yi)保(bao)證(zheng)殼(ke)層(ceng)電(dian)勢(shi)恒(heng)定(ding)。從(cong)物(wu)理(li)圖(tu)像(xiang)上(shang)看(kan)，因(yin)為(wei)在(zai)靜(jing)電(dian)平(ping)衡(heng)時(shi)，金(jin)屬(shu)內(nei)部(bu)不(bu)存(cun)在(zai)電(dian)場(chang)
，殼(ke)內(nei)外(wai)的(de)電(dian)場(chang)線(xian)被(bei)金(jin)屬(shu)隔(ge)斷(duan)
，彼(bi)此(ci)無(wu)聯(lian)係(xi)
，因(yin)此(ci)，導(dao)體(ti)殼(ke)有(you)隔(ge)離(li)殼(ke)內(nei)外(wai)靜(jing)電(dian)相(xiang)互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)效(xiao)應(ying)。

 

如ru果guo金jin屬shu殼ke未wei完wan全quan封feng閉bi，殼ke上shang開kai有you孔kong或huo縫feng
，也ye同tong樣yang具ju有you靜jing電dian屏ping蔽bi作zuo用yong。在zai許xu多duo實shi際ji應ying用yong中zhong
，靜jing電dian屏ping蔽bi裝zhuang置zhi常chang常chang是shi用yong金jin屬shu絲si編bian織zhi成cheng的de金jin屬shu網wang代dai替ti閉bi合he的de金jin屬shu殼ke，即ji使shi一yi塊kuai金jin屬shu板ban，一yi根gen金jin屬shu線xian，亦yi有you一yi定ding的de靜jing電dian屏ping蔽bi作zuo用yong，隻zhi是shi屏ping蔽bi的de效xiao果guo不bu如ru金jin屬shu殼ke。

 

在外電場的作用下
，電荷在導體上的重新分布

，在10-19秒數量級時間內就可完成，因此對低頻變化的電場，導體上的電荷有足夠長的時間來保證內部場強為零．所suo以yi靜jing電dian屏ping蔽bi裝zhuang置zhi對dui緩huan慢man變bian化hua的de電dian場chang也ye有you屏ping蔽bi作zuo用yong。為wei了le提ti高gao對dui變bian化hua電dian場chang的de屏ping蔽bi效xiao果guo，屏ping蔽bi物wu的de電dian導dao率lv應ying大da，接jie地di線xian要yao短duan，與yu地di的de接jie觸chu要yao良liang好hao。

 

shenchuangaoyazuoyefuderen，youyubeitongsibianzhideyifusuobaoguo，rentineidechangqiangbaochiweiling，yincimeiyoudianliucongrentizhongliuguo
，rentishianquande。buguozaizuoyezheganggangjiechugaoyaxiandeyishunjiangaoyafushangdedianheyouyigeshunshifenbudeguocheng，zaizhejixiaodeshijianneirentihuiyouduanzandeweiruodianchangzuoyong

，yibanzuoyezhedounengjingshouzhuzhekaoyan。jingdianpingbidetedianshiyibanzhikaolvdaoduijingdianchangdepingbi

，fengbidaotidepingbizuoyongshiwanquande（即內部場強可達到真正等於零）

，對屏壁殼的厚度和電導率也無要求。隻有在把低頻交流電場的屏蔽包括在靜電屏蔽中時，總是希望屏蔽殼的電導率愈高愈好。

 

 

靜磁屏蔽的目的是防止外界的靜磁場和低頻電流的磁場進入到某個需要保護的區域，這時必須用磁性介質做外殼。靜jing磁ci屏ping蔽bi依yi據ju的de原yuan理li可ke借jie助zhu並bing聯lian磁ci路lu的de概gai念nian來lai說shuo明ming。把ba一yi高gao磁ci導dao率lv的de材cai料liao製zhi成cheng的de球qiu殼ke放fang在zai外wai磁ci場chang中zhong
，則ze鐵tie殼ke壁bi與yu空kong腔qiang中zhong的de空kong氣qi可ke以yi看kan成cheng是shi並bing聯lian的de磁ci路lu。由you於yu空kong氣qi的de磁ci導dao率lv接jie近jin於yu1，而鐵殼的磁導率至少有幾千，所以空腔的磁阻比鐵殼壁的磁阻大的多。這樣一來
，外磁場的磁感應通量中絕大部分將沿著鐵殼壁內“通過”
，“進入”空腔內部的磁通量是很少的，這就達到了磁屏蔽的目的。

 

外殼的厚度和磁導率對屏蔽效果有很明顯的影響：外殼越厚、磁ci導dao率lv越yue高gao
，屏ping蔽bi的de效xiao果guo就jiu越yue好hao。因yin此ci，在zai重zhong量liang和he體ti積ji受shou到dao限xian製zhi的de情qing況kuang下xia，常chang常chang采cai用yong磁ci導dao率lv高gao達da幾ji萬wan的de坡po莫mo合he金jin來lai做zuo屏ping蔽bi殼ke，而er且qie殼ke的de各ge個ge部bu分fen要yao盡jin量liang結jie合he緊jin密mi

，使shi磁ci路lu暢chang通tong。

 

如果要製造絕對的“靜磁真空”，則可以利用超導體的“邁斯納效應”。即ji將jiang一yi塊kuai超chao導dao體ti放fang在zai外wai磁ci場chang中zhong，其qi體ti內nei的de磁ci感gan應ying強qiang度du永yong遠yuan為wei零ling。超chao導dao體ti是shi完wan全quan抗kang磁ci體ti
，具ju有you最zui理li想xiang的de靜jing磁ci屏ping蔽bi效xiao果guo，但dan目mu前qian還hai不bu能neng普pu遍bian應ying用yong。

 

手表為了防磁
，在機芯外裝一個鐵質的襯套 也是一種屏蔽作用。

 

 

 

在火車車廂裏


，打開半導體收音機，幾乎收不到電台的廣播，這是由於車廂的蒙皮大部分是由鐵皮製成，它起了屏蔽作用。

 

高頻電磁場屏蔽是防止外界的高頻電磁場進入到某個區域。由於電磁場的變化頻率很高（例如百萬赫茲或更高）

，場中導體上的感應電荷已不能再看作靜止的了（導體不再處於靜電平衡狀態）
，因此必須用電磁波在導體中的“貫穿深度”來說明屏蔽的原理：danggaopindianciboshexiangyidaotibiaomian

，bingjinrubiaomianhou
，tahuizaidaotizhongganyingchuyigegaopinjiaobiandianliu，cidianliuhuijifayigexindediancibo，xinjifadediancibozaidaotineibuyurushededianciboxiangweixiangfan
、同時導體內電流的產生還導致入射波場能的消耗，結果使得導體內部總的電磁場基本上隨深度呈指數衰減，可以用“貫穿深度”來表示衰減的程度。“貫穿深度”與入射電磁波的頻率、導體的電導率及磁導率都有關係：頻率越高、電導率越大
、磁導率越大“貫穿深度”jiuyuexiao。dangkezhaobidehoududayuguanchuanshendushi，kezhaojiujuyoulianghaodediancipingbizuoyong。gaodiandaolvhuogaocidaolvcailiaozhichengdekezhaoshiyizhonglianghaodediancipingbizhuangzhi。tigaokezhaocailiaodediandaolvhuocidaolv，zengjiakebidehoudu，keyitigaodiancipingbidexiaoguo。

 

 

像鋁、鋼、鐵這樣的金屬，1兆赫左右的電磁波在其中的“透入深度”約百分之幾毫米，所以這些金屬隻要一張紙那麼厚就基本可以屏蔽Izhaohedediancibo。youqishitie，yinweitadecidaolvhengao，gupingbixiaoguotebiehao。ruzaishouyinjizhong，yongkongxinlvkezhaozaixianquanwaimian
，shitabushouwaijiediancichangdeganraocongerbimianzayin。yinpinkuixianyongpingbixianyeshizhegedaoli。shiboguanyongtiepibaozhe
，yeshiweileshizasandiancichangbuyingxiangdianzishexiandesaomiao。zaijinshupingbikeneibudeyuanjianhuoshebeisuochanshengdegaopindianciboyetoubuchujinshukeerbuzhiyingxiangwaibushebei。

 

高電導率材料製成的屏蔽物對低頻磁場的屏蔽效果比較差。例如
，在工頻50赫時，銅的貫穿深度約為9.4haomi，bobitongkedepingbizuoyonghenxiao。zaishijiyingyongzhong

，changcaiyongjingcipingbicuoshilaipingbidipincichang。diancipingbiwujiedihouyekeyipingbijingdianganrao。diancipingbiwushangbunengsuiyikaifeng，yinweidiancipingbihailiyonglewodianliudezuoyong
，ruofengxigeduanlewodianliudetonglu
，pingbixiaoguoyaojiangdi。

 

 

 

根據兩類基本源的場隨1/r（場點至源點的距離）的變化來劃分遠近場
，兩類源在遠近場的場特征及傳播特性均有所不同。故遠近場的劃分滿足以下原則：

 

 

電磁屏蔽材料：

 

選擇使用什麼種類電磁密封襯墊時要考慮四個因素：屏蔽效能要求、有無環境密封要求、安裝結構要求
、成本要求。按機理可分為電場屏蔽
、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。

 

 

【屏蔽機理】：將電場感應看成分布電容間的耦合。

 

【設計要點】：

 

a、屏蔽板以靠近受保護物為好，而且屏蔽板的接地必須良好！！！

b、屏蔽板的形狀對屏蔽效能的高低有明顯影響。全封閉的金屬盒最好，但工程中很難做到！

c、屏蔽板的材料以良導體為好，但對厚度無要求，隻要有足夠的強度就可了。

 

有通風需求的屏蔽板

 

 

 

磁場屏蔽通常是指對直流或低頻磁場的屏蔽，其效果比電場屏蔽和電磁場屏蔽要差的多。

 

 

 

【 屏蔽機理】：主要是依靠高導磁材料所具有的低磁阻，對磁通起著分路的作用
，使得屏蔽體內部的磁場大為減弱。

 

【設計要點】：

 

a、選用高導磁材料，如坡莫合金；

b、增加屏蔽體的厚度
；

 

以上均是為了減小屏蔽體的磁阻
；

 

c、被屏蔽的物體不要安排在緊靠屏蔽體的位置上

，以盡量減小通過被屏蔽物體體內的磁通；

d
、注意屏蔽體的結構設計
，凡接縫、通風空等均可能增加屏蔽體的磁阻
，從而降低屏蔽效果。

e
、對於強磁場的屏蔽可采用雙層磁屏蔽體的結構。

 

 

 

 

對要屏蔽外部強磁場的，則屏蔽體的外層選用不易飽和的材料，如矽鋼；而(er)內(nei)部(bu)可(ke)選(xuan)用(yong)容(rong)易(yi)達(da)到(dao)飽(bao)和(he)的(de)高(gao)導(dao)磁(ci)材(cai)料(liao)
，如(ru)坡(po)莫(mo)合(he)金(jin)等(deng)。反(fan)之(zhi)，如(ru)果(guo)要(yao)屏(ping)蔽(bi)內(nei)部(bu)強(qiang)磁(ci)場(chang)時(shi)
，則(ze)材(cai)料(liao)的(de)排(pai)列(lie)次(ci)序(xu)要(yao)到(dao)過(guo)來(lai)。在(zai)安(an)裝(zhuang)內(nei)外(wai)兩(liang)層(ceng)屏(ping)蔽(bi)體(ti)時(shi)，要(yao)注(zhu)意(yi)彼(bi)此(ci)間(jian)的(de)絕(jue)緣(yuan)。當(dang)沒(mei)有(you)接(jie)地(di)要(yao)求(qiu)時(shi)
，可(ke)用(yong)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)做(zuo)支(zhi)撐(cheng)件(jian)。若(ruo)需(xu)接(jie)地(di)時(shi)
，可(ke)選(xuan)用(yong)非(fei)鐵(tie)磁(ci)材(cai)料(liao)（如銅
、鋁）做支撐件。

 

 

 

 

電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻止電磁場在空間傳播的一種措施。

 

【電磁場屏蔽的機理】：

 

a、當(dang)電(dian)磁(ci)波(bo)到(dao)達(da)屏(ping)蔽(bi)體(ti)表(biao)麵(mian)時(shi)，由(you)於(yu)空(kong)氣(qi)與(yu)金(jin)屬(shu)的(de)交(jiao)界(jie)麵(mian)上(shang)阻(zu)抗(kang)的(de)不(bu)連(lian)續(xu)，對(dui)入(ru)射(she)波(bo)產(chan)生(sheng)的(de)反(fan)射(she)。這(zhe)種(zhong)反(fan)射(she)不(bu)要(yao)求(qiu)屏(ping)蔽(bi)材(cai)料(liao)必(bi)須(xu)有(you)一(yi)定(ding)的(de)厚(hou)度(du)

，隻(zhi)要(yao)求(qiu)交(jiao)界(jie)麵(mian)上(shang)的(de)不(bu)連(lian)續(xu)
；

 

b、未被表麵反射掉而進入屏蔽體的能量

，在體內向前傳播的過程中，被屏蔽材料所衰減。也就是所謂的吸收；

 

c
、在屏蔽體內尚未衰減掉的剩餘能量
，傳到材料的另一表麵時，遇到金屬－空氣阻抗不連續的交界麵，會形成再次反射，並重新返回屏蔽體內。這種反射在兩個金屬的交界麵上可能有多次的反射。

 

總之
，電磁屏蔽體對電磁的衰減主要是基於電磁波的反射和電磁波的吸收。

 

【吸收損耗】不同的材料
、不同的材料厚度對於電磁波的吸收效果不一樣。可根據材料吸收損耗的列線圖得出。

 

【反射損耗】分為三類：低阻抗磁場、高阻抗電場
、平麵波場。

 

其中低阻抗磁場和高阻抗電場的反射損耗列線圖計算方法相同，與金屬材料
、頻率及輻射源到屏蔽體的距離有關。

 

duiyupingmianbo，bozukangweiyichangshu，eryufusheyuandaopingbitidejuliwuguan，zailiexiantuzhongzhixulianjiejinshucailiaoheganxingqudepinlvjiukeqiuchucishidefanshesunhaozhi。

 

 

【結構材料】

 

a、適用於底板和機殼的材料大多數是良導體

，如銅、鋁等，可以屏蔽電場，主要的屏蔽機理是反射信號而不是吸收。

 

b
、對磁場的屏蔽需要鐵磁材料

，如高導磁率合金和鐵。主要的屏蔽機理是吸收而不是反射。

 

c、zaiqiangdiancihuanjingzhong，yaoqiucailiaonengpingbidianchanghecichangliangzhongchengfen，yincixuyaojiegoushangwanhaodetiecicailiao。pingbixiaolvzhijieshoucailiaodehouduyijidajiehejiedifangfahaohuaideyingxiang。

 

d、對於塑料殼體，是在其內壁噴塗屏蔽層
，或在汽塑時摻入金屬纖維。

 

bixujinliangjianshaojiegoudedianqibulianxuxing，yibiankongzhijingdibanhejikejinchudexieloufushe。tigaofengxipingbixiaonengdejiegoucuoshibaokuozengjiafengxishendu，jianshaofengxichangdu，zaijiehemianshangjiarudaodianchendian
，zaijiefengchutushangdaodiantuliao
，suoduanluodingjianjulideng。

 

【搭接】

 

a
、在底板和機殼的每一條縫和不連續處要盡可能好的搭接。最壞的電搭接對殼體的的屏蔽效能起決定性作用。

b、保證接縫處金屬對金屬的接觸，以防電磁能的泄漏和輻射。

c、在可能的情況下，接縫應焊接。在條件受限製的情況下，可用點焊、曉間距的鉚接和用螺釘來固定。

d、在不加導電襯墊時，螺釘間距一般應小於最高工作頻率的1％
，至少不大於1/20波長。

e、用螺釘或鉚接進行搭接時，應首先在縫的中部搭接好
，然後逐漸向兩端延伸，以防金屬表麵的彎曲。

f
、保證緊固方法有足夠的壓力，以便在有變形應力
、衝擊、震動時保持表麵接觸。

g、在接縫不平整的地方，或在可移動的麵板等處
，必須使用導電襯墊或指形彈簧材料。

h、選擇高導電率的和彈性好的襯墊。選擇襯墊時要考慮結合處所使用的頻率。

i、選擇硬韌性材料做成的襯墊
，以便劃破金屬上的任何表麵。

j、保證同襯墊材料配合的金屬表麵沒有任何非導電保護層。

k、當需要活動接觸時，使用指形壓簧
，並要注意保持彈性指簧的壓力。

l、導電橡膠襯墊用在鋁金屬表麵時
，要注意電化腐蝕作用。純銀填料的橡膠或monel線性襯墊將出現最嚴重的電化腐蝕。銀鍍鋁填料的導電橡膠是鹽霧環境下用於鋁金屬配合表麵的最好襯墊材料。

 

以下是按優先等級排列的各種襯墊。

 

1.金屬網射頻襯墊：容易變形，壓力為1.4kg/cm時

，衰減為54db。資料表明
，頻率較低時衰減最大。用於永久密封較好，不適宜用於開與關的麵板。

 

2.銅鍍合金：有很高的導電性和很好的抗腐蝕性。彈性好，最適合用於和活動麵板配合。可製成指條形、螺旋和鋸齒麵。衰減為100db。

 

3.導電橡膠：適用於隻需名義上連接和少量螺釘的地方。實現水汽密封和電氣密封經1500℃、48小時老化後
，體電阻率為10～20mω/cm（max）。變形度限製值為25％。資料表明，頻率較高時衰減為最大。

 

4.導電蒙布：在泡沫塑料上蒙一塊鍍銀編織物，形成一個軟襯墊
，占去大部分疏鬆空間，主要為民用，適用於泡沫襯墊 機櫃和門板。