答：因為要描述的幅度和頻率範圍都很寬
，在圖形上用對數坐標更容易表示，而dB就是用對數表示時的單位。

 

 

答：受兩個因素的影響，一是機箱上的導電不連續點，例如孔洞、縫隙等；另一個是穿過屏蔽箱的導線，如信號電纜、電源線等。

 

 

答：將同軸電纜的外層(屏蔽層)剝開

，使芯線暴露出來
，將芯線繞成一個直徑1~2 厘米小環(1~3匝)

，焊接在外層上。

 

（4）在設計屏蔽結構時，有一個原則是：盡量使機箱內的電纜遠離縫隙和孔洞，為什麼?

 

答：由於電纜近旁總是存在磁場，而磁場很容易從孔洞泄漏(與磁場的頻率無關)。因此，當電纜距離縫隙和孔洞很近時
，就會發生磁場泄漏，降低總體屏蔽效能。

 

 

答：從電磁屏蔽的角度考慮，主要要考慮所屏蔽的電場波的種類。對於電場波

、平麵波或頻率較高的磁場波，一般金屬都可以滿足要求，對於低頻磁場波，要使用導磁率較高的材料。

 

 

答：滿足產品功能要求、減少調試時間
，使產品滿足電磁兼容性（EMC）標準的要求，使產品不會對係統中的其它設備產生電磁幹擾。

 

 

答：因(yin)為(wei)頻(pin)譜(pu)分(fen)析(xi)儀(yi)是(shi)一(yi)種(zhong)窄(zhai)帶(dai)掃(sao)頻(pin)接(jie)收(shou)機(ji)
，它(ta)在(zai)某(mou)一(yi)時(shi)刻(ke)僅(jin)接(jie)收(shou)某(mou)個(ge)頻(pin)率(lv)範(fan)圍(wei)內(nei)的(de)能(neng)量(liang)。而(er)靜(jing)電(dian)放(fang)電(dian)等(deng)瞬(shun)態(tai)幹(gan)擾(rao)是(shi)一(yi)種(zhong)脈(mai)衝(chong)幹(gan)擾(rao)，其(qi)頻(pin)譜(pu)範(fan)圍(wei)很(hen)寬(kuan)


，但(dan)時(shi)間(jian)很(hen)短(duan)，這(zhe)樣(yang)頻(pin)譜(pu)分(fen)析(xi)儀(yi)在(zai)瞬(shun)態(tai)幹(gan)擾(rao)發(fa)生(sheng)時(shi)觀(guan)察(cha)到(dao)的(de)僅(jin)是(shi)其(qi)總(zong)能(neng)量(liang)的(de)一(yi)小(xiao)部(bu)分(fen)
，不(bu)能(neng)反(fan)映(ying)實(shi)際(ji)的(de)幹(gan)擾(rao)情(qing)況(kuang)。

 

 

答：由(you)於(yu)磁(ci)場(chang)波(bo)的(de)波(bo)阻(zu)抗(kang)很(hen)低(di)，因(yin)此(ci)反(fan)射(she)損(sun)耗(hao)很(hen)小(xiao)
，而(er)主(zhu)要(yao)靠(kao)吸(xi)收(shou)損(sun)耗(hao)達(da)到(dao)屏(ping)蔽(bi)的(de)目(mu)的(de)。因(yin)此(ci)要(yao)選(xuan)擇(ze)導(dao)磁(ci)率(lv)較(jiao)高(gao)的(de)屏(ping)蔽(bi)材(cai)料(liao)。另(ling)外(wai)，在(zai)做(zuo)結(jie)構(gou)設(she)計(ji)時(shi)，要(yao)使(shi)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)盡(jin)量(liang)遠(yuan)離(li)輻(fu)射(she)源(yuan)(以增加反射損耗)，盡量避免孔洞
、縫隙等靠近輻射源。

 

 

答：電路設計(包括器件選擇)
、軟件設計、線路板設計
、屏蔽結構、信號線/電源線濾波
、電路的接地方式設計。

 

 

答：首(shou)先(xian)考(kao)慮(lv)屏(ping)蔽(bi)材(cai)料(liao)的(de)選(xuan)擇(ze)問(wen)題(ti)，由(you)於(yu)要(yao)屏(ping)蔽(bi)頻(pin)率(lv)很(hen)低(di)的(de)磁(ci)場(chang)，因(yin)此(ci)要(yao)使(shi)用(yong)高(gao)導(dao)磁(ci)率(lv)的(de)材(cai)料(liao)
，比(bi)如(ru)坡(po)莫(mo)合(he)金(jin)。由(you)於(yu)坡(po)莫(mo)合(he)金(jin)經(jing)過(guo)加(jia)工(gong)後(hou)，導(dao)磁(ci)率(lv)會(hui)降(jiang)低(di)，必(bi)須(xu)進(jin)行(xing)熱(re)處(chu)理(li)。因(yin)此(ci)
，屏(ping)蔽(bi)室(shi)要(yao)作(zuo)成(cheng)拚(pin)裝(zhuang)式(shi)的(de)
，由(you)板(ban)材(cai)拚(pin)裝(zhuang)而(er)成(cheng)。事(shi)先(xian)將(jiang)各(ge)塊(kuai)板(ban)材(cai)按(an)照(zhao)設(she)計(ji)加(jia)工(gong)好(hao)，然(ran)後(hou)進(jin)行(xing)熱(re)處(chu)理(li)，運(yun)輸(shu)到(dao)現(xian)場(chang)
，十(shi)分(fen)小(xiao)心(xin)的(de)進(jin)行(xing)安(an)裝(zhuang)。每(mei)塊(kuai)板(ban)材(cai)的(de)結(jie)合(he)處(chu)要(yao)重(zhong)疊(die)起(qi)來(lai)，以(yi)便(bian)形(xing)成(cheng)連(lian)續(xu)的(de)磁(ci)通(tong)路(lu)。這(zhe)樣(yang)構(gou)成(cheng)的(de)屏(ping)蔽(bi)室(shi)能(neng)夠(gou)對(dui)低(di)頻(pin)磁(ci)場(chang)有(you)較(jiao)好(hao)的(de)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)，但(dan)縫(feng)隙(xi)會(hui)產(chan)生(sheng)高(gao)頻(pin)泄(xie)漏(lou)。為(wei)了(le)彌(mi)補(bu)這(zhe)個(ge)不(bu)足(zu)
，在(zai)坡(po)莫(mo)合(he)金(jin)屏(ping)蔽(bi)室(shi)的(de)外(wai)層(ceng)用(yong)鋁(lv)板(ban)焊(han)接(jie)成(cheng)第(di)二(er)層(ceng)屏(ping)蔽(bi)，對(dui)高(gao)頻(pin)電(dian)磁(ci)場(chang)起(qi)到(dao)屏(ping)蔽(bi)作(zuo)用(yong)。

 

以上就是一些電磁兼容性（EMC）的基礎知識點，希望對工程師在電磁兼容性（EMC）設計方麵有幫助！