將片狀三端子電容器封裝於多層基片時的注意事項

yuyibandeerduanzidianrongqixiangbi，pianzhuangsanduanzidianrongqijuyoujiediduanzizukangjiaodideyoushi，zheyijingchengweixiaochugaopinzaoyindexingnengyaodian。weifahuigaiyoushi
，jiuxuyaozaiPCB結構設計方麵多加注意
，接地端的結構要盡量設計得短而粗。封裝於多層基片時也可以依照同樣的考慮。

圖1是針對在多層基片上改變三端子電容器的封裝方法，進而改變與GND層的連接狀態後的噪聲消除的不同效果的調查示例。在此示例中，GND層被放置在 MCU封裝麵相對一側的附近位置。在A示例中，是將三端子電容器封裝於MCU封裝麵相對一側的GND層附近，縮短與GND層之間的連接。與此相對

，在C示 例中，是將三端子電容器封裝於MCU相同麵，其結果是與GND層之間的距離也長於A示例。可以看出A和C的噪音等級存在著明顯的差異。在考慮GND結構 時，很容易進行平麵思維，但Via長度也是需要考慮的。此外，圖1的B示例對三端子電容器的電源輸入輸出沒有像A一樣明確地進行分離，而是在同一層通過。 （由於很難進行書麵說明，請參照說明圖。）此時的噪音等級多少會高於A時的噪音等級。這被認為是因為三端子電容器的入口和出口的via很接近
，所以一部分 噪音未在三端子電容器中通過
，而是通過Via之間的電容耦合進行了旁路。這樣，為發揮三端子電容器的性能，就需要注意電容器的外部結構。圖2記載了片狀三 端子電容器的封裝要點，請進行參照。

[page]片狀三端子電容器的非貫穿連接

片狀三端子電容器通常使用的方法是對希望降低電源線等噪音的線路進行切割後插入其間，然後連接GND端子。（圖3）最近，出現了稍顯不同的連接方法
，下麵 對此進行說明。該方法適用於將三端子電容器作為IC電源的旁路電容器進行使用時優先穩定IC電壓變動的情況。圖4表示就是該連接方法。不同於圖3的情況， 這zhe種zhong方fang法fa是shi在zai不bu切qie斷duan電dian源yuan模mo式shi的de情qing況kuang下xia
，將jiang兩liang端duan子zi連lian接jie於yu電dian源yuan線xian。由you於yu是shi電dian源yuan線xian不bu貫guan穿chuan三san端duan子zi電dian容rong器qi的de連lian接jie方fang法fa
，所suo以yi這zhe種zhong連lian接jie方fang法fa被bei稱cheng為wei"非貫穿連接"。通過這 種作法，電源線和電容器之間變成並聯
，因此這一部分的阻抗會減半，從而降低旁路阻抗，進而降低IC的電壓變動。另外
，如圖所示，GND端的Via和電源端 的Via相(xiang)鄰(lin)而(er)置(zhi)，由(you)此(ci)相(xiang)互(hu)抵(di)消(xiao)兩(liang)方(fang)電(dian)流(liu)所(suo)產(chan)生(sheng)的(de)磁(ci)通(tong)

，該(gai)部(bu)分(fen)的(de)電(dian)感(gan)效(xiao)應(ying)明(ming)顯(xian)降(jiang)低(di)，具(ju)有(you)進(jin)一(yi)步(bu)降(jiang)低(di)阻(zu)抗(kang)的(de)效(xiao)果(guo)。但(dan)是(shi)，因(yin)為(wei)與(yu)切(qie)斷(duan)電(dian)源(yuan)線(xian)插(cha)入(ru)三(san)端(duan)子(zi)電(dian)容(rong)器(qi)的(de) 情qing況kuang不bu同tong，一yi部bu分fen的de噪zao音yin在zai不bu經jing由you三san端duan子zi電dian容rong器qi的de情qing況kuang下xia經jing由you電dian源yuan線xian通tong過guo
，所suo以yi此ci種zhong方fang法fa在zai降jiang低di外wai流liu噪zao音yin的de效xiao果guo影ying響xiang方fang麵mian要yao少shao於yu常chang規gui的de連lian接jie方fang法fa。