數字電路中的電源電壓波動和源阻抗
發布時間:2014-07-16 責任編輯:willwoyo
【導讀】因為電子設備內的電源和接地為很多電路所共用,所以它們可能成為噪聲傳出或者進入的便捷通道,如圖1所示。為防止噪聲傳導,可如圖2(a)所示插入一個電源濾波器。濾波器的效用可按照除電源外其他情形的同樣方式以插損或S參數來表示。
同時,電源為負載電路提供電流。如圖2(b)所示連接一個數字IC,數字IChuitongguoqiyunxinggaibiandianyuandianliu,shidianyuanganyingdaozaosheng,jinerkenengganraodianlubenshendeyunxing。xiawenzhongjiangzheyixianxiangchengweidianyuandianyadebodong。dianyuanlvboqiyexuyaojuyouyizhidianyuandianyabodongdezuoyong。
yibaneryan,lvboqifangzhizaoshengchuandaodexiaoguoyuyizhidianyuandianyabodongdexiaoguobingbubutong。qiyizhidianyuandianyabodongdexiaoguotongguoyuanzukanglaibiaoshi。dangdianyuandianyadebodongchuandaowaibushi,zaoshengjianghuirutu2(a)所示被傳出。盡管這兩種噪聲看似不同,但它們卻相互關聯。
本章節主要針對數字電路,介紹電源電壓波動和源阻抗。

圖1 噪聲經過電源線的出入口

圖2 電源噪聲抑製的兩種視角
電源電壓波動
(1) 數字電路的運行與源阻抗
如第2章的章節2-3suoshu,zaidianluyunxingzhong,shuzidianludedianyuanhejiedizhonghuichanshengchangdingxingdedianliu。zhezhongdianliujiangzaoshengganyingdaodianyuan,shidianyuandianyafashengbodong,daozhidianluwufawendingyunxing。tayehuigengrongyiyinqixinhaoboxinghechanshengzaoshengfangmiandewenti。
防止電源電壓波動的功能通過源阻抗[參考文獻 5]來表示。源阻抗是電源品質的一個指標,表示為圖2(b)中連接數字IC(負載)的位置處(電源端子等)電源側的阻抗。[page]
(2) 電源電壓波動的影響
圖3中的示意圖解釋了當噪聲被感應到數字IC電源時整個設備的噪聲產生的影響。IC電源電壓波形如圖中間所示。根據長釘形的波形,可以發現 這zhe是shi數shu字zi電dian路lu運yun行xing中zhong感gan應ying的de噪zao聲sheng。在zai此ci,長chang釘ding形xing的de波bo形xing被bei稱cheng為wei電dian源yuan電dian壓ya的de波bo動dong。這zhe種zhong效xiao應ying會hui幹gan擾rao電dian路lu的de穩wen定ding運yun行xing和he增zeng速su,或huo將jiang噪zao聲sheng擴kuo散san至zhi電dian源yuan線xian或huo信xin號hao線xian,或huo使shi信xin號hao 波形失真,如圖中(1)到(4)所示。如果擴散至電源線的噪聲由電纜發射,則會成為關乎噪聲規定的問題。

圖3 電源電壓波動的影響
(3) 電源噪聲的頻譜
電dian源yuan電dian壓ya的de波bo動dong源yuan自zi在zai數shu字zi信xin號hao上shang升sheng和he下xia降jiang瞬shun間jian流liu經jing的de電dian流liu。因yin此ci,如ru果guo噪zao聲sheng源yuan的de電dian路lu很hen簡jian單dan,電dian源yuan電dian壓ya波bo動dong相xiang關guan的de噪zao聲sheng也ye具ju有you像xiang信xin號hao諧xie波bo一yi樣yang的de離li散san分fen布bu頻pin 譜。圖4給出了一個實驗的示例,其中以20MHz運行的數字IC的電源發射噪聲。電源電壓每隔50ns(20MHz)呈現出長釘形,而且可以發現 當噪聲發射時,每隔20MHz就可以觀察到噪聲頻譜。

圖4 觀察數字IC電源噪聲的實驗
(4) 源阻抗的頻率特征
為減少電源電壓波動,要降低源阻抗。因為根據歐姆定律阻抗與電壓存在比例關係,如果流經數字IC的電流恒定,電壓波動就會減少,因為源阻抗也降低了。
圖5給出了源阻抗測量結果的一個示例。一般而言,電源具有較小的源阻抗更好,這樣能提供較高的電源性能和出色的降噪能力。

圖5 源阻抗測量結果的示例
(5) 源阻抗測量
因為源阻抗非常小,所以很難進行測量。圖5顯示了通過網絡分析儀測量的結果。由於測量值隨測量探針的位置而改變,因此需要在既定的位置仔細 進行測量。通常是在IC(負載)的電源端子和接地端子之間測量。為消除IC的影響並提高測量精確性,需要暫時將IC從PCB移開,然後測量PCB側的阻 抗。[page]
去耦電容器
如果電源電路基於負載的電流恰當運行,源阻抗的理想值應該為零。但是,在現實生活中,在10MHz以上的高頻範圍內阻抗會逐漸增加(如圖5所示),而且在某些情況下,它還會高達幾10Ω。
(1) 去耦電容器
如圖6(a)所示,由於連接電源和負載的線路具有電感和電阻,即使電源在理想情況下運行(0Ω),負載側還是會產生一些阻抗。特別是在高頻範圍內,線路中的電感是使阻抗升高的主要原因。
為降低高頻範圍內的源阻抗,如圖6(b)所示在電源和地線之間靠近負載的地方連接一個電容器。這個電容器稱為去耦電容器、電源旁通電容器或者旁通電容器等。

圖6 去耦電容器的運行
(2) 電源電壓波動的吸收
去(qu)耦(ou)電(dian)容(rong)器(qi)作(zuo)為(wei)臨(lin)時(shi)儲(chu)電(dian)器(qi)吸(xi)收(shou)負(fu)載(zai)電(dian)流(liu)的(de)改(gai)變(bian),防(fang)止(zhi)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)的(de)波(bo)動(dong)和(he)噪(zao)聲(sheng)的(de)產(chan)生(sheng)。因(yin)為(wei)其(qi)放(fang)置(zhi)在(zai)負(fu)載(zai)附(fu)近(jin),線(xian)路(lu)阻(zu)抗(kang)造(zao)成(cheng)的(de)影(ying)響(xiang)會(hui)減(jian)少(shao)。從(cong)阻(zu)抗(kang)的(de)角(jiao)度(du)而(er)言(yan),這(zhe)種(zhong)運(yun)行(xing)方(fang)式(shi)意(yi)味(wei)著(zhe)源(yuan)阻(zu)抗(kang)降(jiang)低(di)了(le)。
但是,即使使用了去耦電容器,還是存在一段導線(如圖6(b)所示),並產生電感。因此,布置電容器時,應使這部分越短越好。
(3) 噪聲限製效果
congzaoshengyizhidejiaodulaikan,keyirenweiquoudianrongqixianzhilefuzaihequoudianrongqizhijianxianlubufenfuzaicedianyuanchanshengdegaopindianliu,congerfangzhilezaoshengchuandaodianyuanxiangengyuandedifang。yin 此,去耦電容器不僅是穩定電路操作而且也是防止噪聲產生的重要元件。為了更有效地防止噪聲傳導,可如圖2(a)所示增加一個鐵氧體磁珠,或者也可 使用具有出色靜噪性能的電容器,如三端子電容器。
(4) 證實去耦電容器的效用
圖7顯示了針對圖4中的測試電路使用去耦電容器時電源電壓波動發生的變化。通過連接電容器,電壓波動幅度從0.48V降至0.10V,同時噪聲發射降低了10dB。
圖8指出了使用更高性能的三端子電容器的情形。對比使用普通MLCCdeqingxing,dianyuandianyadebodongfuduyousuojiangdi,tongshiyexianzhuyizhilezaoshengfashe。zheshiyinweisanduanzidianrongqijuyouzhuanweijiangzaoshejideyoulijiegou。sanduanzidianrongqijiangzaidi6章中進一步講述。

圖7 通過去耦電容器抑製電源電壓波動

圖8 當三端子電容器用作去耦電容器時
[page]環路阻抗
(1) 源阻抗的頻率範圍
圖5中所示的源阻抗實際上給出了一個例子,其通過使用多個去耦電容器實現了極低的阻抗。這些頻率特征可以分為如圖9所示的三個區域。
(2) 什麼控製著低頻範圍?
①的低於1MHz較(jiao)為(wei)平(ping)緩(huan)部(bu)分(fen)可(ke)觀(guan)察(cha)到(dao)的(de)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)輸(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)。如(ru)果(guo)不(bu)使(shi)用(yong)去(qu)耦(ou)電(dian)容(rong)器(qi),阻(zu)抗(kang)會(hui)從(cong)圖(tu)中(zhong)虛(xu)線(xian)所(suo)指(zhi)示(shi)的(de)較(jiao)低(di)頻(pin)率(lv)處(chu)開(kai)始(shi)增(zeng)加(jia)。這(zhe)是(shi)因(yin)為(wei)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)的(de)輸(shu)出(chu)特(te)征(zheng)和(he)線(xian)路(lu)中(zhong)電(dian)感(gan)的(de)作(zuo)用(yong)。
如果使用去耦電容器,可抑製高頻範圍的阻抗。
(3) 什麼控製著高頻範圍?
圖9中(2)和(3)指示的是相對較高的頻率範圍,在其中可觀察到去耦電容器的阻抗。(2)是電容器存在電容阻抗的頻率範圍,可通過將靜電 容量的大小進行一定程度地控製。(3)是電容器存在電感阻抗的頻率範圍。為進一步降低此區域的阻抗,需要降低去耦電容器的ESL,或者降低連接至電容器線 路的電感。

圖9 源阻抗的頻率特征及發揮作用的元件
(4) 環路阻抗
線路電感由負載IC和去耦電容器之間連接的模式和通孔構成,如圖10中所示。將經過這些元件的整個電流環路之和與電容器的ESL相加,可得出總電感。圖11為等效電路。
去耦電容器所建立電流環路的阻抗可以稱為環路阻抗。圖9所示區域(3)的環路阻抗是主要來自線路和電容器本身的電感所致。
為降低高頻範圍內的環路阻抗,需要降低電感。也就是說,當環路阻抗的目標值為ZTarget (Ω),頻率為ƒ(Hz),總阻抗為LLoop (H),可得出如下公式:
(公式1)
例如,如果需要將100MHz處的環路阻抗降低到1Ω或更少,總阻抗需要約為1.6nH或以下。這是一個極低的值。
(5) 環路阻抗的要素
因為實際電路可能存在導線分支的情況或者有多個電容器,所以不能像圖10和圖11nayangjiandandisikaowenti。danshi,zhegemoxingshiyouyongde,keyizuoweijianghuanluzukangfenjieweigegeyaosudelinian。weiyouxiaodijinliangjiangdihuanluzukang,xuyaojiangdizaizongzukangzhongzhanhendayibufendediangan。

圖10 環路阻抗的要素

圖11 去耦電路的等效電路
[page]如何盡量降低環路阻抗
為盡量降低高頻範圍內的環路阻抗,需要降低電容器的ESL和線路的電感。如果能夠進行巧妙地設計,可以將雙層基板的總電感降低至約幾nH,多層基板則可降低至1nH或以下。在圖9的示例中,其值約為0.3nH。
(1) 使用低ESL電容器
每個電容器(如果是MLCC)的ESL約為0.5nH,在總電感中占很大一部分。為降低此值,可使用低ESL電容器。
(2) 降低線路電感
要降低線路和通孔中的電感,線路和通孔應該要“粗且短”。例如,在布置電容器和通孔時,應減少圖10中所示電流環路的麵積。此外,布局模式應該盡可能地寬。將電容器放置在(基板另一側)IC的正下方,並使基板變薄,通常能夠讓電流環路變小。
(3) 電容器和通孔的並聯
當並聯使用眾通孔通路和電容器時,可降低阻抗。
因為線路和通孔的電感非常小,而且還涉及互感,所以很難得到一個簡單的判斷。為此,可使用電磁模擬裝置估計這樣的環路阻抗。圖12給出了電感的一 般範圍供您參考。但是,根據線路的不同形狀,電感可能相差好幾倍。此外,即使隻是1mm的長度,也會造成約0.5nH的電感,這是無法忽略的。

圖12 降低環路阻抗的電容器布置
(4) 注意反諧振
如(ru)果(guo)使(shi)用(yong)了(le)兩(liang)個(ge)或(huo)更(geng)多(duo)個(ge)電(dian)容(rong)器(qi),需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)電(dian)容(rong)器(qi)之(zhi)間(jian)發(fa)生(sheng)的(de)諧(xie)振(zhen)。一(yi)般(ban)而(er)言(yan),如(ru)果(guo)並(bing)聯(lian)連(lian)接(jie)具(ju)有(you)不(bu)同(tong)自(zi)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)的(de)多(duo)個(ge)電(dian)容(rong)器(qi),反(fan)諧(xie)振(zhen)會(hui)導(dao)致(zhi)具(ju)有(you)高(gao)阻(zu)抗(kang)的(de)頻(pin)率(lv)(將在第6章中進行探討)。
除了線路電感之外,還需要考慮在100MHz以上的高頻範圍內存在的靜電容量。此外,電源層的諧振和IC封裝的影響也會在高頻範圍內變得顯著。鑒於要素如此複雜,也可使用電磁模擬裝置。
[page]源阻抗和噪聲抑製之間的不同
前(qian)已(yi)述(shu)及(ji),使(shi)用(yong)電(dian)源(yuan)濾(lv)波(bo)器(qi)的(de)另(ling)一(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)目(mu)的(de)在(zai)於(yu)防(fang)止(zhi)噪(zao)聲(sheng)進(jin)入(ru)和(he)傳(chuan)出(chu)。通(tong)常(chang)而(er)言(yan),濾(lv)波(bo)器(qi)包(bao)括(kuo)電(dian)容(rong)器(qi)和(he)電(dian)感(gan)器(qi),它(ta)們(men)形(xing)成(cheng)一(yi)個(ge)低(di)通(tong)濾(lv)波(bo)器(qi)。圖(tu)2(b)顯示了電源用典型濾波器的結構。(濾波器的功能和結構將在第3章中進一步描述。)
盡管電容器和電感器都能減少噪聲,但它們在抑製源阻抗方麵以不同的方式發揮作用。圖13顯示了一個T型濾波器的情形,其中電容器用於降低阻抗,而 電感器卻用於增加阻抗。因此,在使用電容器時,如果使用的是如圖7和8所示的高性能電容器,通常能在抑製電源電壓波動和減少發射的噪聲方 mianqudegenghaodechengxiao。danshi,ruguoshiyongdianganqi,jiuxuyaozhuyi,jishinenggoujianshaozaosheng,danquekenengjiajudianyuandianyadebodong。yinci,ruguoshiyongdianganqiyizhiIC電源終端的噪聲,應 該將電感器放置在圖13(a)中的位置(b)而不是位置(a)。此外,耦合電容器靜電容易應該要足夠大。

圖13 使用濾波器元件的作用和反作用
在噪聲路徑上采取噪聲措施
盡管使用去耦電容器降低了源阻抗從而抑製了電壓波動,但在減少噪聲方麵可能無法看到充分的實效。圖14給出了一個模擬之前測試中相關情形的示例。
圖14中指示了電容器(a)和(b)的位置((a)與圖7中采用MLCC的一樣)。兩個IC都在距電源終端6mm的位置處布置了去耦電容器,因此可以認為環路阻抗是相同的。電源電壓波動也在同樣的範圍內。但是,(b)發射的噪聲比(a)高10dB。
產生這種差別的原因在於(a)在能夠傳導噪聲的路徑上使用電容器,而(b)在(IC和會發射噪聲的天線之間的)噪聲路徑之外使用電容器。因此,需要沿著噪聲路徑連接濾波器,以便消除噪聲。[page]

圖14 在不同位置連接電容器產生的噪聲抑製效果的差別
噪聲路徑未知時怎麼辦
圖14中的測試說明,如果提前知道噪聲路徑在哪裏,就可以很輕鬆地將電容器連接在位置(a)。但是,噪聲路徑通常是未知的。在某些情況下,線路的兩個部分都存在噪聲路徑,如圖15(a)所示。這時,哪裏才是放置電容器的最佳位置呢?
在這種情況下,可如圖15(b)suoshijiangdianrongqifangzhizaixianludeliangceyixianzhizaosheng。jinguanzhezhongfangfaxuyaogengduodedianrongqi,danyouyudianrongqishibinglianlianjiezaixianluzuoceheyouce,keyijianshaozaoshengganraodefengxian,tongshiyekejiangdihuanluzukang。
或者,可如圖15(c)所示通過電容器再連接電源線。這種方法可以加強源阻抗和降噪效果,但不足以完全消除噪聲。
效果最好的方法是通過一個低ESL電容器(如三端子電容器)連接電源線,如圖15(d)所示。這樣可以獲得源阻抗和噪聲均減少的出色效果。

圖15 噪聲傳到兩側時的電容器布置
ruguozhenduiduocengdianlubanshiyongdianyuanceng,youyuqixianludianganxiao,yinciyouliyuyizhiyuanzukang。danshi,zhijielianjiedianyuanzhongduanhedianyuancenghuidaozhinanyisuoxiaozaoshengchuanbolujingdekuandu,conger 不利於防止噪聲傳出。圖15(c)和圖15(d)所示的通過電容器連接噪聲源電源(電源層)的方法也適用於多層線路板,能夠改善噪聲抑製 效果。
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