EMC對地線走線畢竟有講究，針對PSR的初級地線，可以分為4個地線，如下圖中所標示的三角地符號。這4個地線需采用“一點接地”的布局。

1.C8的地線為電源輸入地。

2.R5的地為功率地。

3.C2的地為小信號地。

4.變壓器PIN3的地為屏蔽地。


這4個地的交接點為C8的負端，即：輸入電壓經整流橋後過C1到C8地，R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨連線直接引致C8負端相連，連線盡量短;R5地線因考慮到壓降和幹擾應盡量寬些。
C5,R10,U1PIN7和PIN8地線彙集致C2負端再連接於C8負端。

若為雙麵板，以上4條地線盡量不要采用過孔連接，不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。

以上地線布局恰當，產品的共模幹擾會很小。

因PSR線路負載時工作在PFM狀態下的DCM模式
，DI/DT的增大和頻率的提升，所以較難處理的是傳導150K~5M差模幹擾。

就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進行逐個分析。

1.保險絲

將保險絲換用保險電阻理論上來講對產品效率是有負麵影響的
，但實際表現並不明顯
，所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模幹擾，對通過5級能耗並無太大影響，且成本也有所降低。

2.C1,L2,C8

PSR工作在DCM模式，相對而言其輸入峰值電流會大很多
，所以輸入濾波很重要
。
峰值電流的增大會導致低壓輸入時母線電壓較低，且C8的溫升也會增加

；為了提高母線電壓和降低C8的溫升，需提高C1的容量和使用LOWESR的C1和C8。因為提高C1的容量後
，C1和C8的工作電壓會上升，在輸出功率不變的情況下，輸入的峰值電流就會降低。因L2的作用
，實際表現為增加C1的容量比增加C8的容量抑製EMC會更有效。

一般取C1為6.8uF
，C8為4.7uF效果較好，若受空間限製

，采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑製效果好。L2一般從成本考慮采用色環電感，因色環電感的功率有限

，電感量太大會嚴重影響效率，一般取330u~2mH,2mH是效率影響開始變得明顯，330u對差模幹擾的作用不夠分量，為了使效率影響最低且對差模幹擾抑製較佳，建議采用1mH。

因為“一點接地”的布局彙集點在C8的負端
，在C8負端輸入電流的方向是經過C1和BD1流回輸入端，根據傳導測試的原理，這樣產生消極影響，所以需在 C1與C8的地線上作處理，有空間的可以再中間增加磁珠跳線
，空間受限可以采用PCBlayout曲線來實現，雖然效果會弱些
，但相比直線連接會改善不 少。
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3.R6,D2,R2,C4

RCD吸收對EMC的影響大家都應該已經了解，這裏主要說下R6與D2對EMC的影響。R6的加入和D2采用恢複時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負作用，但對傳導有益。所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。

4.R5

R5既為電流檢測點也是限功率設置點。所以R5的取值會影響峰值電流也會影響OPP保護點。建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。一般不低於2R，建議取2.2R。

5.R4,R10,D3,R3,C2

在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有 惡性影響。因IC內部的檢測有采用積分電路
，所以當VCC電壓設置過高，就需要更長的積分時間，在周期不變的情況下，TON的時間就會增加，輸出功率不變 的情況下MOS的峰值電流就會增加
，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加
，且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用，會使輸出電壓的 過衝加劇
，同時影響延時檢測的開啟時間。這一係列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

根據經驗，結合變壓器漏感考慮，VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V
，所以為使空載時VCC不至於太低導致蕩機，建議VCC電壓設計在15V
，變壓器漏感最大不宜超過15%.

6.C5

C5是IC內部延時檢測補償設置端。C5dequzhidalehuidaozhidianyajiancedezhouqijiachang，xiaolehuidaozhidianyajiancedezhouqibianduan。jiancezhouqidebianhuahuiyingxiangdianyadecaiyanglv
，yejiuhuiyingxiangzhenggechanpingechudedianliuwenbo，duiEMC也會造成一定影響
，一般選取0.01~0.1uF。

7.C3,C7

前麵提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過衝的抑製作用和維持產品的穩定性。但C3,C7的容量也不是越大越好，它會對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會導致第5點講到的峰值電流加大，所以不能盲目選擇。

PSR原邊反饋控製開關電源的設計和調試經驗講解到此結束

，大家一定都有所收獲
，好技巧會讓我們更好的解決問題。

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