在概念上，電磁兼容性（EMC）包含係統本身的電磁敏感性（EMS）以及電磁雜音發射（EME）兩個部分。EME描述的是器件在測試（DUT）的情況下是噪聲源，而EMS描述的是器件在 DUT的情況下是噪聲受害者。在大多數係統設計中
，EMCbiandeyuelaiyuezhongyao。ruguoshejidexitongbuganraoqitaxitong
，yebushouqitaxitongfasheyingxiang，bingqiebuhuiganraoxitongzishen
，namesuoshejidexitongjiushidiancijianrongde。
　　
在電磁兼容設計中，“受害方”的概念通常指那些由於設計缺乏EMC考慮而受到影響的部件受害部件可能在基於MCU的PCB或者模組的內部，也可能是外部係統通常的受害部件是汽車免持鑰匙入車（Keyless-Entry）模組中的寬帶接收器或者是車庫門開啟裝置接收器，由於接收到MCU發出的足夠強的雜訊
，這些模組中的接收器會誤認為接收到了一個遙控信號。
　　
從長遠角度來看，電磁環境噪聲在一個給定的空間內是增長的
，如圖1曲qu線xian所suo示shi，當dang在zai電dian子zi設she備bei的de抗kang幹gan擾rao性xing高gao於yu電dian磁ci環huan境jing噪zao聲sheng任ren何he點dian時shi，電dian子zi設she備bei的de功gong能neng都dou不bu將jiang受shou影ying響xiang，遺yi憾han的de是shi，現xian在zai電dian子zi係xi統tong大da部bu分fen具ju有you較jiao高gao的de工gong作zuo頻pin率lv和he較jiao低di的de電dian平ping開kai關guan門men限xian（由於較低工作電源）
，防噪聲能力逐漸下降，如圖1中的曲線2。

圖1：環境噪聲長遠發展趨勢

MCU中存在的EMC
　　
MCU一般包括通用型和專用型兩類，大部分都采用了各種不同形式的EMC技術
，其中在用戶端無任何措施的情況下，有些技術是還是有效的，其它則需要適當的留心PCB設計。因此可以說，雜訊來源主要有兩部分∶MCU的內部噪聲
，MCU傳播到外麵的噪聲。
　　
MCU內部存在四種主要的噪聲源∶內部彙流排和節點同步開關產生的電源和地線上的電流；輸出管腳信號的變換
；振蕩器工作產生的雜訊；開關電容負載產生的片上信號假像。根據經驗

，實際應用中高頻率的窄帶雜訊比寬帶雜音能耗高
，所以以下主要介紹窄帶雜訊。

主要噪聲源
　
除AD轉換器

、振蕩器和I/Oring之外，所有內部邏輯被列為內核。典型的內核和外部引腳是沒有關聯的
，但電源引腳除外。例如，在圖2中內核包含CPU、鎖相環
、程序記憶體、RAM及周邊器件包括CAN記憶體。I/Oring包括帶有埠緩衝的電源和地麵通道係統以及保護電路。所以
，大多數MCU的I/Oring電源和內核電源是分開的。

圖2：典型的MCU布局

（1）振蕩器
　　
當涉及到時鍾和窄帶雜訊，大家自然而然地就會想到振蕩器。圖3顯示了NEC公司典型MCU的石英振蕩器信號X1和X2的措施。雖然信號不是完全的正弦波形，但比較接近。事實上，根據頻譜分析僅能表示少數一些諧波。此外，和MCU的總功耗相比，振蕩器的功耗是相當較低的，因此MCU的石英振蕩器引起的噪音輻射相當低。然而，信號形狀和其頻譜可能大大有別於其它類型的振蕩器，例如RC振蕩器。

圖3：MCU的石英振蕩器引起的噪音

（2）內核、PLL和時鍾樹
　　
正弦時鍾不能使用在如MCU等內部是數位邏輯的器件上，因此，在CMOS型MCU上shang，振zhen蕩dang器qi時shi鍾zhong被bei整zheng形xing為wei矩ju形xing
，並bing且qie通tong過guo時shi鍾zhong樹shu分fen布bu在zai內nei部bu裝zhuang置zhi中zhong。由you於yu時shi鍾zhong具ju有you多duo種zhong用yong途tu
，到dao時shi鍾zhong樹shu的de各ge分fen支zhi具ju有you傳chuan播bo延yan遲chi，必bi須xu調tiao整zheng時shi鍾zhong邊bian緣yuan到dao各ge地di裝zhuang置zhi大da約yue在zai同tong一yi時shi間jian。所suo有you開kai關guan型xing核he心xin組zu件jian的de電dian流liu幾ji乎hu是shi在zai同tong一yi時shi間jian內nei，由you此ci內nei核he的de脈mai衝chong電dian流liu是shi一yi個ge主zhu要yao的de內nei核he噪zao聲sheng源yuan。

MCUtongchangshiyongliangzhongbianyuandeshizhong，youcineihedianliudezhaidaipinpuzaineihedeyunxingpinlvjiqixiebopinlvshangchengxiandianliufengzhi，chengxiandezuigaopinlvyibanshineiheyunxingpinlvdeliangbei。youyuMCU通tong常chang包bao括kuo一yi個ge或huo多duo個ge時shi鍾zhong分fen頻pin器qi，因yin此ci低di頻pin諧xie波bo也ye必bi須xu考kao慮lv。最zui後hou，內nei部bu資zi料liao操cao作zuo等deng在zai低di電dian平ping時shi提ti供gong一yi些xie寬kuan帶dai雜za訊xun。一yi方fang麵mian，振zhen蕩dang器qi之zhi前qian的de外wai擴kuo也ye是shi一yi個ge小xiao的de噪zao聲sheng源yuan
，另ling一yi方fang麵mian，內nei核he電dian流liu是shi和he內nei核he的de運yun作zuo頻pin率lv相xiang關guan的de。
　
如果內核頻率是一樣的，利用一個較慢的振蕩器和鎖相環（例如4MHz×4=16MHz）或使用較快振蕩器（例如16MHz）
，這樣應當引起相似級別的輻射。

（3）外部記憶體接口
　　
外部記憶體接口包括地址彙流排，資料彙流排和一些控製信號。地址彙流排由MCU輸出，由於非線性存取順序提供的是非周期信號，因此
，從EME角度講，地址彙流排相當於寬帶雜訊
，低地址位通常比較高的地址位具有更多的開關頻率，所以這些都是較為重要的信號。
　　
如果外部記憶體是唯讀或Flash記憶體，資料彙流排由記憶體驅動，即便記憶體是RAM，讀取周期也通常占主導地位。因此，資料彙流排的電磁輻射主要是決定於記憶體。
　　
對於控製信號的電磁輻射，是記憶體接口上最應當注意的部分。最關鍵的信號是係統和/或記憶體的時鍾驅動器（SDRAM）
，因為它可產生巨大的窄帶雜訊，在啟動狀態下，即使引腳是開路的
，它的噪聲也是較大的（參見到 I/O埠串擾的說明），因此無論任何地方，時鍾驅動器都應該被關掉。最後，由於這些開關信號（RAS
、CAS、ASTB等）常常無規律的反複跳變，所以它們是潛在的噪聲源。

（4）I/O-ring上的通用埠
　　
這zhe些xie引yin腳jiao的de電dian磁ci輻fu射she無wu法fa估gu計ji，由you於yu這zhe些xie引yin腳jiao一yi般ban由you用yong戶hu配pei置zhi。靜jing電dian或huo偶ou爾er開kai關guan引yin腳jiao應ying不bu會hui造zao成cheng重zhong大da的de輻fu射she，而er頻pin繁fan開kai關guan切qie換huan的de引yin腳jiao已yi被bei視shi為wei潛qian在zai噪zao音yin來lai源yuan。重zhong複fu的de切qie換huan引yin腳jiao由you於yu其qi窄zhai帶dai特te性xing可ke能neng比bi非fei重zhong複fu引yin腳jiao包bao括kuo較jiao高gao的de雜za訊xun，例li如ru係xi統tong時shi鍾zhong或huoCSI時鍾
，還有CSI資料輸出或CAN資料輸出。