驅動電路設計(六)——驅動器的自舉電源動態過程
發布時間:2025-03-20 來源:英飛淩工業半導體 責任編輯:lina
【導讀】驅qu動dong電dian路lu設she計ji是shi功gong率lv半ban導dao體ti應ying用yong的de難nan點dian,涉she及ji到dao功gong率lv半ban導dao體ti的de動dong態tai過guo程cheng控kong製zhi及ji器qi件jian的de保bao護hu,實shi踐jian性xing很hen強qiang。為wei了le方fang便bian實shi現xian可ke靠kao的de驅qu動dong設she計ji,英ying飛fei淩ling的de驅qu動dong集ji成cheng電dian路lu自zi帶dai了le一yi些xie重zhong要yao的de功gong能neng,本ben係xi列lie文wen章zhang講jiang詳xiang細xi講jiang解jie如ru何he正zheng確que理li解jie和he應ying用yong這zhe些xie功gong能neng。
驅qu動dong電dian路lu設she計ji是shi功gong率lv半ban導dao體ti應ying用yong的de難nan點dian,涉she及ji到dao功gong率lv半ban導dao體ti的de動dong態tai過guo程cheng控kong製zhi及ji器qi件jian的de保bao護hu,實shi踐jian性xing很hen強qiang。為wei了le方fang便bian實shi現xian可ke靠kao的de驅qu動dong設she計ji,英ying飛fei淩ling的de驅qu動dong集ji成cheng電dian路lu自zi帶dai了le一yi些xie重zhong要yao的de功gong能neng,本ben係xi列lie文wen章zhang講jiang詳xiang細xi講jiang解jie如ru何he正zheng確que理li解jie和he應ying用yong這zhe些xie功gong能neng。
自(zi)舉(ju)電(dian)路(lu)在(zai)電(dian)平(ping)位(wei)移(yi)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)應(ying)用(yong)很(hen)廣(guang)泛(fan),電(dian)路(lu)非(fei)常(chang)簡(jian)單(dan),成(cheng)本(ben)低(di),而(er)且(qie)有(you)很(hen)多(duo)實(shi)際(ji)案(an)例(li)可(ke)以(yi)抄(chao)作(zuo)業(ye),不(bu)過(guo),由(you)於(yu)係(xi)統(tong)往(wang)往(wang)存(cun)在(zai)特(te)殊(shu)或(huo)極(ji)端(duan)工(gong)況(kuang),如(ru)設(she)計(ji)不(bu)當(dang)調(tiao)製(zhi)頻(pin)率(lv)或(huo)占(zhan)空(kong)比(bi)不(bu)足(zu)以(yi)刷(shua)新(xin)自(zi)舉(ju)電(dian)容(rong)器(qi)上(shang)電(dian)荷(he),電(dian)容(rong)上(shang)的(de)電(dian)壓(ya)不(bu)夠(gou),低(di)於(yu)欠(qian)壓(ya)保(bao)護(hu)值(zhi)UVLO,這(zhe)時(shi)候(hou)就(jiu)出(chu)現(xian)了(le)係(xi)統(tong)故(gu)障(zhang),嚴(yan)重(zhong)時(shi)會(hui)損(sun)壞(huai)係(xi)統(tong)。所(suo)以(yi)英(ying)飛(fei)淩(ling)在(zai)相(xiang)關(guan)的(de)數(shu)據(ju)手(shou)冊(ce)和(he)應(ying)用(yong)指(zhi)南(nan)中(zhong)有(you)詳(xiang)細(xi)設(she)計(ji)指(zhi)導(dao)和(he)工(gong)況(kuang)分(fen)析(xi),分(fen)析(xi)了(le)電(dian)壓(ya)紋(wen)波(bo),啟(qi)動(dong)過(guo)程(cheng)的(de)階(jie)躍(yue)響(xiang)應(ying)和(he)三(san)相(xiang)空(kong)間(jian)矢(shi)量(liang)(或三相正弦波+3次諧波)調製的情況。
自舉電路原理
在(zai)研(yan)究(jiu)半(ban)橋(qiao)拓(tuo)撲(pu)中(zhong)使(shi)用(yong)的(de)自(zi)舉(ju)電(dian)路(lu)元(yuan)器(qi)件(jian)取(qu)值(zhi)大(da)小(xiao)細(xi)節(jie)之(zhi)前(qian),需(xu)要(yao)複(fu)習(xi)前(qian)兩(liang)篇(pian)提(ti)到(dao)的(de)一(yi)些(xie)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi),為(wei)此(ci)我(wo)們(men)再(zai)放(fang)一(yi)張(zhang)簡(jian)化(hua)等(deng)效(xiao)電(dian)路(lu)有(you)助(zhu)於(yu)分(fen)析(xi)加(jia)深(shen)理(li)解(jie)(見圖1)。
圖1. 自舉電路的等效電路
自舉等效電路簡化了VBS即自舉電容器Cboot上的電壓特性作為模擬調製開關S1開關狀態函數的計算,也簡化其與占空比(D=占空比=T(ON)/T≡1-D)、柵極電荷QG、漏電流Ileak以及自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot的計算。
VBSMAX代表電源電壓、加上或減去自舉電路的靜態電壓降。
自舉電壓紋波和平均值
研究自舉電路動態過程的最好方法是仿真,下麵舉一個數值的案例做些分析:
設計條件
QG=40nC, f=1/TS=20kHz,
Ileak=200μA, Rboot=220Ώ
圖2顯示了不同自舉電容在10%的占空比時的效果,不難發現電容值的大小隻影響VBS紋波(平均值保持不變)。而圖3所示為Cboot等於47nF和1µF(預充電到VBSMAX=15V),占空比等於DMIN=10%或30%時的仿真結果。
綠色和黃色曲線表示47nF自舉電容器的VBS。紫色和紅色曲線表示使用1µF自舉電容器的VBS。
圖2. 紋波與自舉電容
自舉電路的時間常數
自舉建立過程是建立在下管導通期間,這時候半橋電路已經開始工作了,但上管平均自舉電壓的建立是需要一個過程,圖3顯示了係統在自舉電容器完全充電至15V(D=100%)時的階躍響應。從圖中可以看出,平均自舉電壓VBS的行為類似於單階係統,其時間常數由下列公式計算得出。
通過占空比與係統階躍響應之間的關係,我們可以了解到,占空比越小,時間常數(τ)越大,因此響應越慢,建立平均電壓時間長,如紅色曲線,而占空比越高,響應越快,達到平均電壓時間短,如粉紅曲線。
從上麵公式還可以看出,達到平均電壓的時間與電容大小也有關,電容小則時間短,可以比較粉紅色和綠色的平均電壓建立過程曲線。
圖3. 開關的占空比與自舉電容
圖4中顯示了兩種占空比:
1. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=10%,紅色曲線;
2. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=30%,粉紅色曲線;
看到占空比是10%時,時間常數是2.2ms,當占空比提高到30%時,時間常數隻有733μs.
按照上一篇文章的穩態討論結論:
QTOT=QG+Ileak*TOFF=QG+Ileak*(1-D)*TS,
QTOT在低占空比時會增加。在這種情況下,就需要采用較大的自舉電容器,以控製紋波和增加平均電壓時間常數。
自舉電壓與基波的關係
由於有自舉電阻和電容存在,可以認為其是占空比變化的自適應濾波器。以正弦調製加3次諧波注入的為例,在仿真中,一個基於正弦波基波加上3次諧波調製的PWM信號被送到電路中(TS=50µs,頻率=fe)。
圖4顯示了不同輸出頻率下的預期(計算值)VBS。占空比用角度表示(等於2πfe,其中fe為輸出頻率)的函數(正弦+3次諧波),該角度從0°到360°。
圖4. 不同輸出頻率下的VBS
係統的不同輸出頻率也會影響自舉電壓值,即不同fe得到的VBS電壓,基波頻率低,自舉電壓紋波就大。黃色曲線VBS(DC)代表使用前麵提到的靜態方程時得到的曲線,是最最嚴酷的工況。
本文的例子是使用三相空間矢量(或三相正弦波+3次諧波)調製的情況。其他類型的調製時的工況需要另外分析。
結論:
自舉電源的電壓會比驅動電路的供電電源電壓VCC要低,其電壓降取決於自舉電阻的壓降和自舉電容上的紋波
自舉平均電壓建立的時間常數由占空比、自舉電容和電阻決定;
自舉電容器大,VBS紋波小(平均值保持不變);
輸出基波頻率低,自舉紋波大,靜態計算結果嚴酷。
(作者:陳子穎,鄭姿清;來源:英飛淩工業半導體)
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