【導讀】caiyongdianchishizuifangbianganjingdedianyuan，weidianzidianlutigongdianya。haiyouxuduoqitafangfa
，weidianzishebeigongdian，rushipeiqi，taiyangnengdianchideng，danzuichangjiandezhiliudianyuanshidianchi。tongchang
，suoyoushebeidoudaiyoufangfanjiebaohudianlu，danshiruguoninyourenhedianchigongdiandeshebeimeiyoufangfanjiebaohu，namezaigenghuandianchishishizhongbixuxiaoxin

，fouzetakenenghuizhahuishebei。

防反接保護電路及功耗計算

caiyongdianchishizuifangbianganjingdedianyuan
，weidianzidianlutigongdianya。haiyouxuduoqitafangfa，weidianzishebeigongdian
，rushipeiqi
，taiyangnengdianchideng，danzuichangjiandezhiliudianyuanshidianchi。tongchang
，suoyoushebeidoudaiyoufangfanjiebaohudianlu，danshiruguoninyourenhedianchigongdiandeshebeimeiyoufangfanjiebaohu，namezaigenghuandianchishishizhongbixuxiaoxin，fouzetakenenghuizhahuishebei。

因(yin)此(ci)，在(zai)這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia)
，防(fang)反(fan)接(jie)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)將(jiang)是(shi)電(dian)路(lu)的(de)有(you)用(yong)補(bu)充(chong)。有(you)一(yi)些(xie)簡(jian)單(dan)的(de)方(fang)法(fa)可(ke)以(yi)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)免(mian)受(shou)反(fan)極(ji)性(xing)連(lian)接(jie)的(de)影(ying)響(xiang)
，例(li)如(ru)使(shi)用(yong)二(er)極(ji)管(guan)或(huo)二(er)極(ji)管(guan)橋(qiao)，或(huo)者(zhe)將(jiang)P溝道MOSFET用作HIGH側的開關。

使用二極管的極性反接保護

使用二極管是極性反接保護最簡單
、最(zui)便(bian)宜(yi)的(de)方(fang)法(fa)，但(dan)它(ta)存(cun)在(zai)漏(lou)電(dian)問(wen)題(ti)。當(dang)輸(shu)入(ru)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)很(hen)高(gao)時(shi)，小(xiao)的(de)壓(ya)降(jiang)可(ke)能(neng)沒(mei)關(guan)係(xi)
，特(te)別(bie)是(shi)當(dang)電(dian)流(liu)較(jiao)低(di)時(shi)。但(dan)在(zai)低(di)壓(ya)操(cao)作(zuo)係(xi)統(tong)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，即(ji)使(shi)是(shi)少(shao)量(liang)的(de)壓(ya)降(jiang)也(ye)是(shi)不(bu)可(ke)接(jie)受(shou)的(de)。

眾所周知
，通用二極管上的壓降為0.7V，因此我們可以通過使用肖特基二極管來限製此壓降，因為它的壓降約為0.3V至0.4V
，並bing且qie還hai可ke以yi承cheng受shou高gao電dian流liu負fu載zai。選xuan擇ze肖xiao特te基ji二er極ji管guan時shi要yao注zhu意yi，因yin為wei許xu多duo肖xiao特te基ji二er極ji管guan都dou具ju有you高gao反fan向xiang電dian流liu泄xie漏lou，因yin此ci請qing確que保bao選xuan擇ze具ju有you低di反fan向xiang電dian流liu(小於100uA)的二極管。

雷卯電子有專門開發的超低Vf肖特基二極管和超低漏流的肖特基二極管
，適合防反接使用。

在4安培時
，電路中肖特基二極管的功率損耗為：

4x 0.4V= 1.6W

在普通二極管中：

4x 0.7 V=2.8W

所以肖特基在電路中的節能效果明顯，如果電路電流較大，也可以選用DO-277封裝的肖特基二極管，比如雷卯電子SS10U60。

整流橋堆防反接保護

我(wo)們(men)也(ye)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)全(quan)橋(qiao)整(zheng)流(liu)器(qi)進(jin)行(xing)防(fang)反(fan)接(jie)保(bao)護(hu)
，因(yin)為(wei)它(ta)與(yu)極(ji)性(xing)無(wu)關(guan)。但(dan)是(shi)橋(qiao)式(shi)整(zheng)流(liu)器(qi)由(you)四(si)個(ge)二(er)極(ji)管(guan)組(zu)成(cheng)
，因(yin)此(ci)在(zai)單(dan)二(er)極(ji)管(guan)的(de)上(shang)述(shu)電(dian)路(lu)中(zhong)

，功(gong)率(lv)浪(lang)費(fei)量(liang)將(jiang)是(shi)功(gong)率(lv)浪(lang)費(fei)的(de)兩(liang)倍(bei)。

使用P 溝道MOSFET 的防反接保護

使用P溝道MOSFET進行反接極性保護比其他方法更可靠，因為它具有低壓降和高電流能力。該電路由一個P溝道MOSFET、齊納二極管和一個下拉電阻組成。如果電源電壓低於P溝道MOSFET的柵極至源電壓(Vgs)
，則隻需要不帶二極管或電阻的MOSFET。您隻需要將MOSFET的柵極端子連接到接地即可。

現在，如果電源電壓大於Vgs
，則必須降低柵極端子和源極之間的電壓。下麵提到了製造電路硬件所需的組件。

P 溝道場效應管 型號根據電流電壓選擇

電阻器 (100k)

9.1V 齊納二極管

電路圖

采用P溝道MOSFET的極性反接保護電路的工作原理

xianzai，dangninanzhaodianlutulianjiedianchishi，juyouzhengquedejixing，tahuidaozhijingtiguandakaibingyunxudianliuliuguota。ruguodianchixianghouhuoyifanjixinglianjie
，zejingtiguanguanbi，womendedianlujiangshoudaobaohu。

該保護電路比其他保護電路更有效。讓我們分析一下當電池以正確的方式連接時，P溝道MOSFET將導通，因為柵極和源極之間的電壓為負。查找柵極和源極之間電壓的公式為：

Vgs= (Vg- Vs)

當電池連接不正確時，柵極端子的電壓將為正極，我們知道P溝道MOSFET僅在柵極端子的電壓為負時(此MOSFET的最低-2.0V或更低)導通。因此
，每當電池以相反方向連接時，電路都將受到MOSFET的保護。

現在，讓我們來談談電路中的功率損耗，當晶體管導通時

，漏極和源極之間的電阻幾乎可以忽略不計，但為了更準確，您可以瀏覽P溝道MOSFET的數據表。對於LMAK30P06P 溝道MOSFET，靜態漏源導通電阻(RDS(ON))為0.020Ω(典型值)。因此，我們可以計算電路中的功率損耗，如下所示：

功率損耗=I*I*R

假設流經晶體管的電流為1A。所以功率損耗將是

功率損耗=I²R= (1A)²*0.02Ω= 0.02W

因此，功率損耗比使用單二極管的電路小約27倍。這就是為什麼使用P溝道MOSFET進行防反接保護比其他方法要好得多的原因。它比二極管貴一點，但它使保護電路更安全
，更高效。

我們還在電路中使用了齊納二極管和電阻器，以防止超過柵極到源電壓。通過添加電阻和9.1V的齊納二極管，我們可以將柵源電壓箝位到最大負9.1V，因此晶體管保持安全。

當然MOS的防反接電路也可以采用Nmos來截斷電路
，截斷的就是負極電路，我們一般的理念還是開關正極，就像家裏電燈開關一樣
，是裝在火線上，而不是零線上。

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