【導讀】本文將介紹在SiC MOSFET這一係列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什麼樣的電流和電壓。

在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一係列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什麼樣的電流和電壓。

下麵的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路

，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。

ID的變化dID/dt所產生的電壓

ID的變化將會產生下述公式（1）所示的電壓。

ID的變化dID/dt所產生的電壓

這是由於存在於SiC MOSFET源極的寄生電感中流過ID而產生的電壓
，是由電路圖中的(I)引起的。該電壓會使電流(I’)流過。

VDS的變化dVDS/dt所產生的電流

以HS為例
，當SiC MOSFET關斷
、VDS變化時，Gate-Drain寄生電容CGD中會流過電流ICGD。如電路圖所示
，該電流分為Gate-Source寄生電容CGS側流過的電流ICGD1：(II)-1和柵極電路側流過的電流ICGD2：(II)-2。當VDS開始變化時，柵極電路側的阻抗較大，因此大部分ICGD都在CGS側

，此時的ICGD1如公式（2）所示。

VDS的變化dVDS/dt所產生的電流

從公式可以看出，當CGD較大時或CGD/CGS的比值變小時，ICGD1會增加。

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負
，所以因它們而產生的電流和電壓的極性在導通（Turn-on）和關斷（Turn-off）時是不同的。在下一篇文章中將會進一步詳細解說。

（來源：Rohm）

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息
，版權歸原作者所有。本文所用視頻
、圖片、文字如涉及作品版權問題
，請電話或者郵箱聯係小編進行侵刪。

推薦閱讀：

安森美智能感知技術和方案助力工業自動化創新

SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作

SiC MOSFET的橋式結構

基於LM5036的半橋DC／DC電源非恒定電流限製

如何才能更易於實施安全性
？擴展工業控製係統中的安全終端！