huidaozangshenchuhou，bijibendiannaozuizhongbengkuile，jinguandaizhemianjudeshizijunzhanshiquanshenguanzhuzaidingpengzhushizheta
，dengdaizheyigejihuibataduohuilai。bijibendiannaozhongde8TBSSD（固態器件或固態“驅動”–其中沒有移動部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性，並不惜一切去破壞它

，無意中給他最大的敵人一個機會尾隨他到了受保護的藏身處。為了確保SSD中的內容是真的和被永久的破壞，Planner碩士打碎了機箱

，然後又額外用機電臂在其端口釋放強大的閃電

，當它明顯的劈啪作響並片刻變成藍色時咧嘴而笑。

 

他沒有料到的是安森美半導體的固態硬盤和硬盤驅動器（HDD）從個人電腦到數據中心的應用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”（開路）保護電器
，而且這種方式類似於普通保險絲。不同的是，這些器件可以電子複位到導電狀態。eFuse提供一些額外的功能，其規格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵

、精密的過流保護、熱關斷、三態使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護。

 

不是所有的eFuse都相同。在當今的電力係統中
，能效是關鍵，較低性能的eFuses其實可以對係統的整體性能產生有害的影響。關鍵的參數是eFuse的靜態電阻RDS(ON) 
，由內部MOSFET確定。低的RDS(ON)值zhi確que保bao正zheng常chang運yun行xing時shi的de功gong率lv傳chuan輸shu是shi高gao效xiao的de和he極ji低di功gong耗hao的de。更geng高gao效xiao的de運yun行xing還hai支zhi持chi在zai較jiao高gao環huan境jing溫wen度du下xia工gong作zuo，而er器qi件jian升sheng溫wen相xiang對dui較jiao低di


，這zhe意yi味wei著zhe需xu要yao較jiao少shao的de冷leng卻que，從cong而er可ke節jie省sheng空kong間jian。雖sui然raneFuses的工作溫度可達150˚C，但工作溫度越低
，使用壽命越長。這一點尤其重要，因為數據中心的硬件被期望能工作10年或更長。

 

安森美半導體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33mΩ，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET，由電荷泵升壓。

 

圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。

 

在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從cong懸xuan崖ya扔reng到dao飛fei泉quan洶xiong湧yong的de水shui下xia後hou，一yi個ge受shou傷shang的de蜘zhi蛛zhu俠xia從cong潮chao濕shi的de山shan洞dong裏li溜liu出chu來lai
，蹲dun在zai邊bian上shang盯ding著zhe它ta，然ran後hou在zai一yi個ge不bu可ke能neng的de角jiao度du溜liu下xia岩yan壁bi。差cha不bu多duo六liu個ge小xiao時shi後hou，他ta取qu回hui了le電dian子zi產chan品pin，並bing送song到dao數shu據ju醫yi學xue實shi驗yan室shi進jin行xing分fen析xi。果guo然ran，eFuse保護了SSD免(mian)受(shou)有(you)害(hai)電(dian)擊(ji)的(de)損(sun)壞(huai)，這(zhe)隻(zhi)是(shi)個(ge)時(shi)間(jian)問(wen)題(ti)，然(ran)後(hou)閃(shan)存(cun)芯(xin)片(pian)被(bei)從(cong)設(she)備(bei)中(zhong)取(qu)出(chu)

，並(bing)被(bei)安(an)裝(zhuang)到(dao)一(yi)個(ge)新(xin)的(de)機(ji)箱(xiang)中(zhong)，提(ti)供(gong)獲(huo)取(qu)豐(feng)富(fu)的(de)數(shu)據(ju)，包(bao)括(kuo)用(yong)來(lai)譯(yi)碼(ma)惡(e)人(ren)名(ming)字(zi)
、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數據。

 

如果要求eFuse的額定電流超過5A，可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出並聯在一起。由於RDS(ON)的正溫度係數，均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。

 

圖2. 評估板展示4個NIS5452的並行配置。

 

圖3. 4個NIS5452器件並行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。

 

內部高能效的SenseFET架構支持限流以保護免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節省檢測電阻的功耗和便於通過外部電阻RLIMIT編程。可調的轉換速率特性控製浪湧電流
，同時為高容性負載提供電源。

 

可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 標準評估板上測試最新的NIS5452 和NIS5431
，以(yi)簡(jian)化(hua)測(ce)試(shi)。請(qing)點(dian)擊(ji)這(zhe)裏(li)獲(huo)取(qu)更(geng)多(duo)信(xin)息(xi)或(huo)聯(lian)係(xi)您(nin)當(dang)地(di)的(de)銷(xiao)售(shou)代(dai)表(biao)以(yi)申(shen)請(qing)評(ping)估(gu)板(ban)和(he)樣(yang)品(pin)，和(he)您(nin)在(zai)打(da)擊(ji)犯(fan)罪(zui)的(de)努(nu)力(li)中(zhong)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)任(ren)何(he)其(qi)他(ta)幫(bang)助(zhu)！

 

 

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息
，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

 

推薦閱讀：