寬輸入範圍和高輸出電流單片式解決方案
發布時間:2021-02-25 責任編輯:lina
【導讀】當設計用於48V總線係統的降壓型轉換器時,電源設計師傾向於選擇控製器解決方案(外部MOSFET),而非尺寸小得多的單片式穩壓器(內部MOSFET),這是因為,能夠處理如此高輸入電壓的單片式穩壓器寥寥無幾,其中大多數的輸出電流被限製在5A以下。LT8645S/LT8646S單片式穩壓器破除了這一陳規。
LT8645S和LT8646S是65V同步降壓型單片式穩壓器,支持8A輸出。它們的SilentSwitcher®2架構可實現優異的EMI性能,這與電路板布局無關。LT8646S具有RC外部補償功能電路,以優化瞬態響應。
寬輸入範圍和高輸出電流單片式解決方案
當設計用於48V總線係統的降壓型轉換器時,電源設計師傾向於選擇控製器解決方案(外部MOSFET),而非尺寸小得多的單片式穩壓器(內部MOSFET),這是因為,能夠處理如此高輸入電壓的單片式穩壓器寥寥無幾,其中大多數的輸出電流被限製在5A以下。LT8645S/LT8646S單片式穩壓器破除了這一陳規。
LT8645S/LT8646S的65V輸入、高電流單片式SilentSwitcher2降壓型穩壓器接受3.4V至65V的寬輸入電壓範圍,並支持高達8A的輸出電流。圖1示出了一款采用LT8645S的完整12V輸出(在8A)解決方案。LT8645S運用內部補償,因而可減少外部組件數目並簡化設計。旁路電容器的集成進一步縮減了總體解決方案尺寸。如圖2所示,該解決方案的效率達到97%。

圖1.采用LT8645S(在400kHz)的12V、8A應用電路。

圖2.LT8645S12V/8A輸出效率(圖1所示設計)。
快速瞬態響應和超低EMI
針對特定的應用,隻需采用兩個外部組件(VC引腳上的一個電阻器和一個電容器)以優化LT8646S的瞬態響應。圖3示出了5V/8A輸出LT8646S解決方案,圖4則顯示了采用優化補償所實現的負載瞬態響應。

圖3.超低EMILT8646S5V、8A降壓型轉換器(擴展頻譜模式被啟用)。

圖4.LT8646S12V至5V、2A負載階躍瞬態響應(圖3所示設計,fSW=2MHz)。
在該解決方案中,開關頻率被設定在2MHz,因而允許使用一個小的1μH電感器。另外,LT8645S/LT8646Shaikezaiguozaihuoduanluqingkuangxiaanquandichengshoudianganqibaohe,zhedeyiyugaosufengzhidianliumoshijiagou。yinci,bubiweileyingduiguoliushunbianershiyongguodadedianganqi,chufeibixufangzhichuxianchixushijianhenchangdeguozaihuoduanlu。
LT8645S/LT8646S均采用一種SilentSwitcher2架構,此架構結合了分離的熱環路和集成化旁路電容器。因此,EMI性能對電路板布局是不敏感的,從而在那些要求超低EMI的設計中解除了工程師的這一設計擔憂。圖5給出了采用圖3所示解決方案時的CISPR25輻射EMI測試結果。利用鐵氧體磁珠和電容濾波器,電路能夠滿足嚴格的CISPR25Class5限製。

圖5.圖3所示設計的LT8646SCISPR25輻射發射測試結果(14V輸入至5V/4A輸出,fSW=2MHz)。
小的最短導通時間和高降壓比
LT8645S和LT8646S具有僅40ns的最短導通時間,因而使其能支持高降壓比,甚至在2MHz的高開關頻率條件下也不例外。例如,在2MHz頻率下將48V轉換至5V需要52ns的導通時間,這是采用大多數轉換器都做不到的。該降壓比通常將要求工程師選擇一款兩級轉換器(具有一個中間電壓),但是,LT8645S和LT8646S單片式穩壓器則皆能單獨完成此轉換,從而降低了電源尺寸和複雜性。
圖6示出了一款用於達30V之輸入的1.8V/8A輸出解決方案,其采用了工作在1MHz開關頻率的LT8645S。如果跳過某些開關周期是可以接受的,那麼輸入可升高至65V的絕對最大額定值。當輸出低於3.1V時,LT8645S的BIAS引腳可連接至一個高於3.1V(即3.3V或5V)的外部電源,以改善效率。
圖6.穿越65V輸入瞬變過程運行的LT8645S1MHz1.8V/8A應用電路。
LT8645S和LT8646S8A同步超低EMI單片式開關穩壓器可提供小型6mmx4mmLQFN封裝。其獲專利的SilentSwitcher2架構可實現相當低的EMI輻射、高效率和緊湊的解決方案占板麵積。輸入可以高達65V。40ns的最短導通時間提供高降壓比,實現了直接低電壓輸出,不需要兩級轉換。
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