閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產生低阻抗路徑的條件。這種情況將由觸發事件（電流注入或過電壓）引(yin)起(qi)，但(dan)一(yi)旦(dan)觸(chu)發(fa)，即(ji)使(shi)觸(chu)發(fa)條(tiao)件(jian)不(bu)再(zai)存(cun)在(zai)，低(di)阻(zu)抗(kang)路(lu)徑(jing)仍(reng)然(ran)存(cun)在(zai)。這(zhe)種(zhong)低(di)阻(zu)抗(kang)路(lu)徑(jing)可(ke)能(neng)會(hui)由(you)於(yu)過(guo)大(da)的(de)電(dian)流(liu)水(shui)平(ping)而(er)導(dao)致(zhi)係(xi)統(tong)紊(wen)流(liu)或(huo)災(zai)難(nan)性(xing)損(sun)壞(huai)。在(zai)設(she)計(ji)電(dian)路(lu)應(ying)用(yong)時(shi)
，需(xu)要(yao)確(que)保(bao)應(ying)用(yong)於(yu)器(qi)件(jian)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)水(shui)平(ping)符(fu)合(he)絕(jue)對(dui)最(zui)大(da)額(e)定(ding)值(zhi)要(yao)求(qiu)。

 

在電路設計時, 可以考慮以下建議來防止閂鎖問題。

 

1. 如果由於上電排序而發生閂鎖，可以利用二極管與VDD串聯。

 

如果任何時候器件的數字輸入或輸出都超過VDD，可以在VDD串聯二極管（如下圖使用1N914）來阻止SCR觸發和隨後的閂鎖產生。這是因為二極管能夠防止寄生橫向PNP晶體管的基極電流從VDD引腳流出，從而防止SCR觸發。

 

 

2. 將肖特基二極管添加到DGND（數字地）可防止電壓不足

 

如果器件的數字輸入和輸出隨時低於DGND
，那麼從這些輸入或輸出連接到DGND的肖特基二極管將有效地將負偏移鉗位在-0.3V至-0.4V之間。 這可以防止寄生NPN晶體管的發射極與基極結導通，並且還可以防止SCR觸發。

 

 

3. 在DGND和AGND (模擬地) 之間連接肖特基二極管

 

如果DGND電位偶爾會超過AGND 0.3V或更多
，則可以在器件兩個引腳之間放置肖特基二極管來阻止相關寄生NPN晶體管的導通。 這提供了額外的防止閂鎖的保護。 此外，前麵提到的反向並聯連接的額外二極管可以在另一個方向上將DGND限製到AGND


，這樣就大大減少了數字噪聲被注入器件的可能性。