請注意
，16MHz晶體用於5V應用。與此同時，像3.3V這樣的較低電壓需要在應用中使用較慢的晶體。Microchip規格書中的建議是：在3.3V應用中把晶體速度設置為8MHz。

 

 

Ce是外部電容
，電路圖中為C1和C2

Ci是引腳電容

CL是晶體原廠定義的負載電容

CS是單片機上的一個XTAL引腳上的總寄生電容

我們繼續以原廠評估板上的元件為例
，即ATMEGA328PB-XMINI。

 

評估板上使用的晶體的零件料號為: TSX-3225 16.0000MF09Z-AC3; 原廠為該晶體指定的負載電容為9pF。

 

一般寄生電容值通常介於2pF至5pF之間。確保將晶體放置在盡可能靠近單片機的位置，以避免由此值可能出現的問題。

 

所以套用上麵的公式：（2 x 晶體負載電容）- 寄生電容

(2 x 9pf)- 5pf = 13pF

 

 

XplainedMini ATMEGA328PB板的電路圖顯示它們使用了12pF負載電容，多數情況下，上述信息足以實現振蕩電路。

 

然ran而er
，由you於yu大da多duo數shu人ren無wu法fa測ce量liang實shi際ji的de寄ji生sheng電dian容rong，因yin此ci寄ji生sheng電dian容rong值zhi具ju有you不bu確que定ding性xing。並bing且qie，設she計ji人ren員yuan也ye可ke能neng沒mei有you把ba晶jing體ti放fang在zai盡jin可ke能neng靠kao近jin零ling件jian的de位wei置zhi。

 

大多數情況，晶振可靠性至關重要，且環境溫度可能會影響電容應用，在此情況下，設計人員可以遵循一種稱為安全係數的做法。

 

用安全係數進行測試的快速方法是基於上述負載電容公式
，在本例中將13pF視為起始點，並將電容值逐步代入電路中，使其低於和高於示例電路圖中提供的12pF值，直到電路出現故障。

 

記錄低於和高於13pF的故障值。假設，此例中電路在5pF和25pF時出現故障。取5pF和25pF的中位數，即 (5pf + 25pF)/2 =15pF。

 

此外，如果是複雜的應用場景，則需要在現場溫度下進行這些測試。

 

該測試將考慮電路中的寄生電容
，新值15pF將比提供的公式更可靠。如果對電路可靠性的要求較高，或者作為排除間歇性晶體故障的方法，建議應用此測試方法。

 

晶體振蕩器的一個缺點是機械衝擊/振動會導致它們失效
，在這些情況下，建議使用外部MEMS振蕩器。

 

原創：Digi-Key