MOS管等效電路及應用電路如下圖所示：

    

 

把MOS管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：

 

 

我們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效於一個反相器，也可以理解為一個反相工作的運放，如下圖：

 

 

有了以上模型
，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出
，這就是一個反相積分電路
，當輸入電阻較大時，開關速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯
，但是當開關速度比較高，而且VDD供電電壓表高
，比如310V下
，通過Cgd的電流比較大
，強的積分很容易引起振蕩
，這個振蕩叫米勒振蕩。所以Cgd也叫米勒電容，而在MOSguankaiguandaotonghuozheguanduandenaduanshijian，yejiushijifennaduanshijian，jiaomilepingtai，ruxiatuyuanquanzhongdenabufenweimilepingtai
，youbiandeshizhendangyanzhongdemilezhendang：

 

 

因為MOS管guan的de反fan饋kui引yin入ru了le電dian容rong
，當dang這zhe個ge電dian容rong足zu夠gou大da，並bing且qie前qian段duan信xin號hao變bian化hua快kuai
，後hou端duan供gong電dian電dian壓ya高gao，三san者zhe結jie合he起qi來lai
，就jiu會hui引yin起qi積ji分fen過guo充chong振zhen蕩dang
，這zhe個ge等deng價jia於yu溫wen控kong的dePID中的I模型，要想解決解決這個米勒振蕩
，在頻率和電壓不變的情況下
，一般可以提高MOS管的驅動電阻
，減緩開關的邊沿速度
，其次比較有效的方式是增加Cgs電容。在條件允許的情況下
，可以在Cds之間並上低內阻抗衝擊的小電容
，或者用RC電路來做吸收電路。

 

下圖給出常用的三顆大功率MOS管的電容值：LCR電橋直接測量
，具體型號就不提了。

 

 

從圖上可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能遠遠不如碳化矽性能，它的各個指標都很小
，當米勒振蕩通過其他手段無法降低時，可以考慮更換更小的米勒電容MOS管，尤其需要重視Cgd要盡可能的小於Cgs。