Vishay新款二極管MOSFET具低反向恢複電荷與導通電阻-電路保護-電子元件技術網

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Vishay新款二極管MOSFET具低反向恢複電荷與導通電阻

發布時間：2015-05-22 責任編輯：susan

【導讀】2015 年 5 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布3款新600V EF係列快恢複二極管N溝道高壓MOSFET，分別是SiHx21N60EF、SiHx47N60EF以及SiHx70N60EF。這三款器件具備低反向恢複電荷和導通電阻，可提高在工業、電信、計算和可再生能源應用中的可靠性，同時能節省能耗。

今天推出的這些600V快恢複二極管MOSFET采用第二代超級結技術製造，充實了Vishay現有的標準E係列器件，使公司有更多的器件可用於類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。

　　　

在這些應用裏，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢複電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助於避免直通擊穿和熱擊穿。

　　　

21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用裏，可實現極低的導通和開關損耗。

　　　

這些器件能夠承受雪崩和換流模式裏的高能脈衝，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。

器件規格表：

產品編號	VDS (V) (最小值)	ID (A) @ 25 °C	RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值)	QG (nC) @ 10 V (典型值)	封裝
SiHP21N60EF	600	21	176	56	TO-220
SiHB21N60EF	600	21	176	56	TO-263
SiHA21N60EF	600	21	176	56	Thin lead TO-220F
SiHG21N60EF	600	21	176	56	TO-247AC
SiHG47N60EF	600	47	65	152	TO-247AC
SiHW47N60EF	600	47	65	152	TO-247AD
SiHG70N60EF	600	70	38	253	TO-247AC
SiHW70N60EF	600	70	38	253	TO-247AD

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