晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標稱值一致。一般來講
，有低負載電容（串聯諧振晶體）
，高負載電容（並聯諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一隻電容跨接在IC兩隻腳上的，則為串聯諧振型
；一隻腳接IC，一(yi)隻(zhi)腳(jiao)接(jie)地(di)的(de)

，則(ze)為(wei)並(bing)聯(lian)型(xing)。如(ru)確(que)實(shi)沒(mei)有(you)原(yuan)型(xing)號(hao)，需(xu)要(yao)代(dai)用(yong)的(de)可(ke)采(cai)取(qu)串(chuan)聯(lian)諧(xie)振(zhen)型(xing)電(dian)路(lu)上(shang)的(de)電(dian)容(rong)再(zai)並(bing)一(yi)個(ge)電(dian)容(rong)，並(bing)聯(lian)諧(xie)振(zhen)電(dian)路(lu)上(shang)串(chuan)一(yi)隻(zhi)電(dian)容(rong)的(de)措(cuo)施(shi)。例(li)如(ru)：4.433MHz晶振,並一隻3300PF電容或串一隻70P的微調電容。 

 

常見的晶振大多是二隻腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的複合元件。由於在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個晶振（或其它諧振元件）和兩個電容組成回路，為便於簡化電路及工藝，人們便研製生產了這種複合件。其3個引腳中
，中間的1個腳通常是2 個電容連接一起的公共端，另外2個引腳即為晶振兩端
，也是兩個電容各自與晶振連接的兩端。由此可見
，這種複合件可用一個同頻率晶振和兩個 100～200pF的瓷片電容按常規連接後直接予以代換。 

 

單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容，隻有在外部所接電容為匹配電容的情況下
，振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差範圍內。 

最好按照所提供的數據來，如果沒有
，一般是30pF左右。太小了不容易起振。 

 

在某些情況下
，也可以通過調整這兩個電容的大小來微調振蕩頻率，當然可調範圍一般在10ppm量級。 

 

晶振等效於電感/電容/內阻