鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點
，因此目前仍然廣泛的應用於電動自行車。但是鉛酸電池汙染大、笨重、循(xun)環(huan)次(ci)數(shu)少(shao)，隨(sui)著(zhe)世(shi)界(jie)各(ge)國(guo)對(dui)環(huan)保(bao)要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)
，鉛(qian)酸(suan)電(dian)池(chi)的(de)使(shi)用(yong)會(hui)越(yue)來(lai)越(yue)受(shou)到(dao)限(xian)製(zhi)。磷(lin)酸(suan)鐵(tie)鋰(li)電(dian)池(chi)作(zuo)為(wei)一(yi)種(zhong)新(xin)型(xing)的(de)環(huan)保(bao)電(dian)池(chi)，開(kai)始(shi)逐(zhu)步(bu)的(de)應(ying)用(yong)到(dao)電(dian)動(dong)車(che)中(zhong)，並(bing)且(qie)將(jiang)成(cheng)為(wei)發(fa)展(zhan)趨(qu)勢(shi)。通(tong)常(chang)，由(you)於(yu)磷(lin)酸(suan)鐵(tie)鋰(li)電(dian)池(chi)的(de)特(te)性(xing)
，在(zai)應(ying)用(yong)中(zhong)需(xu)要(yao)對(dui)其(qi)充(chong)放(fang)電(dian)過(guo)程(cheng)進(jin)行(xing)保(bao)護(hu)，以(yi)免(mian)過(guo)充(chong)過(guo)放(fang)或(huo)過(guo)熱(re)
，以(yi)保(bao)證(zheng)電(dian)池(chi)安(an)全(quan)的(de)工(gong)作(zuo)。短(duan)路(lu)保(bao)護(hu)是(shi)放(fang)電(dian)過(guo)程(cheng)中(zhong)一(yi)種(zhong)極(ji)端(duan)惡(e)劣(lie)的(de)工(gong)作(zuo)條(tiao)件(jian)，本(ben)文(wen)將(jiang)介(jie)紹(shao)功(gong)率(lv)MOSFET在這種工作狀態的特點，以及如何選取功率MOSFET型號和設計合適的驅動電路。

電路結構及應用特點

電動自行車的磷酸鐵鋰電池保護板的放電電路的簡化模型如圖1所示。Q1為放電管，使用N溝道增強型MOSFET，實際的工作中，根據不同的應用，會使用多個功率MOSFET並聯工作
，以減小導通電阻，增強散熱性能。RS為電池等效內阻
，LP為電池引線電感。
正常工作時，控製信號控製MOSFET打開
，電池組的端子P+和P-輸出電壓，供負載使用。此時，功率MOSFET一直處於導通狀態，功率損耗隻有導通損耗
，沒有開關損耗，功率MOSFET的總的功率損耗並不高，溫升小，因此功率MOSFET可以安全工作。

danshi
，dangfuzaifashengduanlushi
，youyuhuiludianzuhenxiao，dianchidefangdiannenglihenqiang，suoyiduanludianliucongzhengchanggongzuodejishianpeituranzengjiadaojibaianpei，zaizhezhongqingkuangxia，gonglvMOSFET容易損壞。

鋰電池短路保護的難點

（1）短路電流大

在電動車中
，磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V，短路電流隨電池的容量、內阻、線路的寄生電感、短路時的接觸電阻變化而變化
，通常為幾百甚至上千安培。

（2）短路保護時間不能太短

在應用過程中，為防止瞬態的過載使短路保護電路誤動作

，因此，短路保護電路具有一定的延時。且由於電流檢測電阻的誤差、電流檢測信號和係統響應的延時
，通常，根據不同的應用，將短路保護時間設置在200μS至1000μS，這要求功率MOSFET在高的短路電流下，能夠在此時間內安全的工作，這也提高了係統的設計難度。
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鋰電池短路保護

當短路保護工作時，功率MOSFET一般經過三個工作階段：完全導通、關斷、雪崩
，如圖2所示，其中VGS為MOSFET驅動電壓，VDS為MOSFET漏極電壓，ISC為短路電流，圖2(b)為圖2(a)中關斷期間的放大圖。
（1）完全導通階段

如圖2(a)所示，短路剛發生時，MOSFET處於完全導通狀態，電流迅速上升至最大電流，在這個過程，功率MOSFET承受的功耗為PON=ISC2*RDS(on)，所以具有較小RDS(on)的MOSFET功耗較低。

功率MOSFET的跨導Gfs也會影響功率MOSFET的導通損耗。當MOSFET的Gfs較小且短路電流很大時，MOSFET將工作在飽和區，其飽和導通壓降很大
，如圖3所示，MOSFET的VDS(ON)在短路時達到14.8V

，MOSFET功耗會很大，從而導致MOSFET因過功耗而失效。如果MOSFET沒有工作在飽和區，則其導通壓降應該隻有幾伏
，如圖2(a)中的VDS所示。
（2）關斷階段

如圖2(b)所示，保護電路工作後，開始將MOSFET關斷，在關斷過程中MOSFET消耗的功率為POFF=V*I
，由於關斷時電壓和電流都很高
，所以功率很大，通常會達到幾千瓦以上
，因此MOSFET很容易因瞬間過功率而損壞。同時

，MOSFET在關斷期間處於飽和區
，容易發生各單元間的熱不平衡從而導致MOSFET提前失效。
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提高關斷的速度，可以減小關斷損耗，但這會產生另外的問題。MOSFET的等效電路如圖4所示，其包含了一個寄生的三極管。在MOSFET短路期間，電流全部通過MOSFET溝道流過
，當MOSFET快速關斷時，其部分電流會經過Rb流過，從而增加三極管的基極電壓，使寄生三極管導通
，MOSFET提前失效。

因此，要選取合適的關斷速度。由於不同MOSFET承受的關斷速率不同
，需要通過實際的測試來設置合適的關斷速度。
圖5(a)為快速關斷波形
，關斷時通過三極管快速將柵極電荷放掉從而快速關斷MOSFET
，圖5(b)為慢速關斷電路，在回路中串一隻電阻來控製放電速度，增加電阻可以減緩關斷速度。
AOT266為AOS新一代的中壓MOSFET，其耐壓為60V


，RDS(ON)僅為3.2毫歐
，適合在磷酸鐵鋰電保護中的應用。圖6(a)為AOT266在不正確的設計時快速關斷的波形，AOT266在快關斷過程中失效，失效時其電壓尖峰為68V
，失效後電流不能回零
，其失效根本原因是關斷太快。圖6(b)為使用正確的設計

、放電電阻為1K時的慢速關斷波形，MOSFET的關斷時間達到13.5us，電壓尖峰為80.8V，但MOSFET沒有失效，因此慢速關斷在這種應用中可以提高短路能力。
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（3）雪崩階段

在MOSFET關斷過程的後期
，MOSFET通常會進入雪崩狀態，如圖2(b)中的雪崩階段。關斷後期MOSFET漏極電壓尖峰為VSPIKE=VB+LP*di/dt，回路的引線電感LP和di/dt過大均會導致MOSFET過壓
，從而導致MOSFET提前失效。

功率MOSFET的選取原則

（1）通過熱設計來確定所需並聯的MOSFET數量和合適的RDS(ON)
；
（2）盡量選擇較小RDS(ON)的MOSFET
，從而能夠使用較少的MOSFET並聯。多個MOSFET並聯易發生電流不平衡，對於並聯的MOSFET應該有獨立的並且相等的驅動電阻
，以防止MOSFET間形成震蕩；
（3）基於最大短路電流
、並聯的MOSFET數量
、驅動電壓等選擇合適gFS的MOSFET
；
（4）考慮在關斷後期的電壓尖峰
，MOSFET的雪崩能量不能太小。

本文小結

在電動車磷酸鐵鋰電池保護應用中

，短路保護設計和整個係統的可靠性直接相關，因此不但要選擇合適的功率MOSFET，而且要設計合適的驅動電路，才能保證功率MOSFET的安全工作。

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