中國科學院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS製程上取得進展，成功製造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與製造的22nm組件展現出更高性能與低功耗。

根據中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心表示，這項研發項目並結合來自北京大學、清華大學

、複旦大學以及中科院微係統所的研究人員們經過3年的共同努力，於近期取得了突破性進展。

針對22nm CMOS技術節點的挑戰，該產學研發團隊在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5
、漏電流降低3個數量級以及金屬閘主動功函數距矽晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。

中科院微電子研究所與微係統所、北京大學、清華大學、複旦大學的開發團隊們已完成了1369項專利申請(國際專利申請424項)，其中高K/金屬閘極製程及相關專利、金屬堆棧結構及其它專利已開始在中國製造廠導入開發。

中科院指出
，導入中國自行開發的22nm IC技術，將可為中國節省進口國外芯片或製程技術的龐大費用，並提升中國國產IC的競爭力。

22/20-nm先xian進jin製zhi程cheng技ji術shu才cai剛gang導dao入ru商shang用yong領ling域yu，該gai技ji術shu之zhi以yi受shou到dao重zhong視shi要yao在zai於yu它ta能neng為wei智zhi能neng型xing手shou機ji與yu平ping板ban計ji算suan機ji降jiang低di功gong耗hao
，從cong而er實shi現xian更geng長chang的de電dian池chi壽shou命ming。然ran而er，中zhong國guo在zai22nm晶體管技術開發道路上約落後西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產22nm FinFET 製程組件，而台積電(TSMC)也預計將在2013年量產20nm 平麵 CMOS 製程。

多年來，在 CoCom 輸出條款以及 Wassennaar 協(xie)議(yi)的(de)限(xian)製(zhi)下(xia)，中(zhong)國(guo)先(xian)進(jin)電(dian)子(zi)製(zhi)造(zao)技(ji)術(shu)領(ling)域(yu)一(yi)直(zhi)因(yin)為(wei)無(wu)法(fa)取(qu)得(de)外(wai)來(lai)高(gao)科(ke)技(ji)產(chan)品(pin)與(yu)技(ji)術(shu)而(er)使(shi)其(qi)發(fa)展(zhan)受(shou)阻(zu)。然(ran)而(er)
，近(jin)年(nian)來(lai)，中(zhong)國(guo)已(yi)透(tou)過(guo)一(yi)係(xi)列(lie)的(de)外(wai)來(lai)製(zhi)技(ji)術(shu)授(shou)權(quan)以(yi)及(ji)自(zi)我(wo)教(jiao)育(yu)而(er)逐(zhu)漸(jian)迎(ying)頭(tou)趕(gan)上(shang)。中(zhong)國(guo)本(ben)土(tu)的(de)晶(jing)圓(yuan)代(dai)工(gong)廠(chang)中(zhong)芯(xin)國(guo)際(ji)(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS 製程。

根據中國新華社的報導
，中國展開先進22nm晶體管製造屬於2009年國家重大科技專項的一部份。