通常Pmos 放到正端
，Nmos放到負端。在正端
，Pmos正常時候，G極低電平，保護時候高電平；而在負端，Nmos正常時候G極高電平

，保護時候低電平。而最近新出一個芯片，將Nmos放到了正端，通常Nmos會比Pmos成本低，導通阻值會偏小（Nmos導電溝道依靠電子）

，當然目前也有一些Pmos的導通阻值做到很小，比如TPC8107，做到了5.5個mohm左右。采用什麼樣的MOS
，就需要有什麼樣的芯片來驅動。
 
在1-2串的鋰離子電池保護電路中幾乎都用到了Nmos，單cell的比如手機電池內用一個複合Nmos，而常用的保護芯片有S8241,S8261,R5426

，MM3077等。2串鋰離子電池的比如一些DV電池同樣用到了Nmos，而2串鋰離子電池常用保護芯片用S8232
，MM1412等。
   
3-4串主要用筆記本電池，此前所見到的都是在正端用Pmos，那為什麼Nmos相對廉價卻不采用呢？通常Nmos一般放到負端，這樣便於芯片驅動，但是因為筆記本電池需要通訊

，包括SMBUS和HDQ都(dou)需(xu)要(yao)用(yong)到(dao)地(di)線(xian)

，因(yin)此(ci)，當(dang)電(dian)池(chi)保(bao)護(hu)的(de)時(shi)候(hou)

，負(fu)端(duan)中(zhong)斷(duan)，通(tong)訊(xun)無(wu)法(fa)進(jin)行(xing)。當(dang)然(ran)，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)為(wei)了(le)保(bao)證(zheng)通(tong)訊(xun)而(er)將(jiang)通(tong)訊(xun)所(suo)用(yong)到(dao)的(de)地(di)線(xian)獨(du)立(li)出(chu)來(lai)，直(zhi)接(jie)可(ke)以(yi)連(lian)接(jie)到(dao)B-
，而主機端通訊的結構為開漏極，這樣在充電的時候
，當MOSFET關閉的時候，會有漏電流從下圖的D1 D2流過。

圖1 MOSFET關閉時
，漏電流的流向圖

當然也有解決此問題的方法，但是會帶來不穩定，具體方法，請參看下圖。

 

圖2  解決漏電流流向的方法

因此
，在3-4串的筆記本電池中
，通常是用到Pmos，當保護的時候，驅動會在B+ 和P+處拉電。但是最近新出的一個筆記本電池解決方案中

，在正端是采用Nmos。我們知道Nmos
，高電平導通，因此驅動就需要做到比B+ 和P+ 還要高
，芯片內部的驅動必須用到charge pumps。    

下麵羅列一些常用到的3-4串的筆記本電池管理/保護芯片。MM1414，S8254，bq2040,2060,208x家族,20zx0家族。Maxim 有1780 1781 據說最近推出了1785
，Atmel 也出1款ATmega406
，Microchip PS401 PS501，瑞薩M37517家族
，微電通道 GC1318+x3100,還有IC新銳凹凸的oz930等等。    

在5串以上的多串鋰離子電池保護電路方麵，因為目前的應用中隻是輸出1正1負
，還很少見到有通訊電路的，所以相對來講

，大部分都采用了Nmos。而(er)且(qie)鑒(jian)於(yu)動(dong)力(li)鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)在(zai)應(ying)用(yong)中(zhong)電(dian)流(liu)較(jiao)大(da)，一(yi)般(ban)都(dou)采(cai)用(yong)了(le)充(chong)放(fang)電(dian)路(lu)相(xiang)對(dui)分(fen)開(kai)，盡(jin)量(liang)減(jian)少(shao)在(zai)放(fang)電(dian)過(guo)程(cheng)中(zhong)回(hui)路(lu)阻(zu)抗(kang)。當(dang)然(ran)
，在(zai)一(yi)些(xie)高(gao)端(duan)的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)

，采(cai)用(yong)了(le)通(tong)訊(xun)的(de)功(gong)能(neng)，在(zai)解(jie)決(jue)共(gong)地(di)的(de)問(wen)題(ti)上(shang)，采(cai)用(yong)了(le)光(guang)偶(ou)隔(ge)離(li)的(de)方(fang)法(fa)，將(jiang)發(fa)出(chu)指(zhi)令(ling)與(yu)接(jie)受(shou)指(zhi)令(ling)分(fen)開(kai)，采(cai)用(yong)4線結構。