EPC2014:EPC推出高性能第二代eGaN FET適用於高頻電路
發布時間:2011-09-05 來源:EDN
產品特性:
- 麵積為1.87平方毫米
- 最大結溫額定值提高至150℃
- 柵極電壓為5V 時的RDS(ON)最大值是16mΩ
- 環保、無鉛、無鹵化物、符合RoHS
應用範圍:
- 高速DC/DC電源、負載點轉換器
- D類音頻放大器、硬開關和高頻電路
宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化镓場效應晶體管(eGaN FET)係列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限製)條例要求。
EPC2014 FET是一款麵積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件,當柵極電壓為5V 時,RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優勢,其最大結溫額定值提高至150℃,其性能在更低柵極電壓時也得到全麵增強。
與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2014體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益於eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
“除了性能方麵增強了,新一代增強型氮化镓場效應晶體管-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質限製)條例的要求。”共同創始人兼首席執行官Alex Lidow表示。
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