產品特性：

• 集成了OVP、P溝道MOSFET、晶體管和功率MOSFET
• 3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22無鉛小封裝
• 極低的功率耗散和發熱量
  ，延長了壽命
• 設計用於處理大浪湧峰值電流
• 過壓關閉時間短於1.0微秒

應用範圍：

• 手機
  、便攜式媒體播放器(PMP)
• 移動互聯網設備(MID)

安森美半導體(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，將過壓保護(OVP)電路的性能和功能、30 V P溝道功率MOSFET

、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節省空間的一個3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm封裝之中。NUS6189設計用於保護敏感電子電路免受過壓瞬態和電源故障影響。這器件經過優化

，應用於使用外部交流-直流(AC-DC)適配器或車載充電器，如手機
、便攜式媒體播放器(PMP)和移動互聯網設備(MID)。

NUS6189將保護便攜設備通常需要的四種不同器件功能集成至單顆集成電路(IC)中
，減少所需印製電路板(PCB)空間多達40%。此外，這器件的集成設計提供極低的功率耗散，大幅減少發熱量，並延長電池使用時間。NUS6189特別設計用於處理大浪湧峰值電流，與設計用於下一代便攜設備的安森美半導體電源管理IC及領先的碼分多址(CDMA)芯片組相輔相成。這器件的過壓關閉時間短於1.0微秒(µs)，在故障發生時會極快地斷開輸入電源與負載之間的連接，因此它比現有關閉較慢的解決方案能提供更優異的保護性能。

安森美半導體數字及消費產品部副總裁兼總經理Manor Narayanan說：“安森美半導體持續領先業界，提供采用更小、gengbofengzhuangdechuangxingaonengxiaojiejuefangan，bujinmanzuxiayidaiyingyongdechicunyaoqiu，haitigongkehusuoxuqiudexingneng。womenyukehumiqiehezuo，lejietamendexuyao，binghuichixukaifazhenduizhexieyingyongdejiejuefangan

，bangzhukehubaochijingzhengyoushi。”

NUS6189是(shi)安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)針(zhen)對(dui)便(bian)攜(xie)設(she)備(bei)四(si)個(ge)常(chang)見(jian)主(zhu)要(yao)子(zi)係(xi)統(tong)的(de)產(chan)品(pin)陣(zhen)容(rong)中(zhong)重(zhong)要(yao)的(de)新(xin)成(cheng)員(yuan)。這(zhe)器(qi)件(jian)尤(you)其(qi)解(jie)決(jue)了(le)互(hu)連(lian)子(zi)係(xi)統(tong)內(nei)的(de)挑(tiao)戰(zhan)性(xing)要(yao)求(qiu)。除(chu)了(le)互(hu)連(lian)子(zi)係(xi)統(tong)，安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)還(hai)提(ti)供(gong)手(shou)持(chi)便(bian)攜(xie)設(she)備(bei)中(zhong)的(de)顯(xian)示(shi)及(ji)背(bei)光(guang)、電源管理和音/視頻等其它三個主要子係統的解決方案。

封裝和價格

NUS6189采用低厚度的3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22無鉛封裝。每1,000顆批量的預算單價為0.55美元。