【導讀】近日，我國芯片產業傳來重大利好消息——國家標準化管理委員會正式對立項的三項光刻膠相關標準進行公示，其中最引人注目的是《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》。這(zhe)一(yi)標(biao)準(zhun)的(de)製(zhi)定(ding)，標(biao)誌(zhi)著(zhe)我(wo)國(guo)在(zai)攻(gong)克(ke)高(gao)端(duan)芯(xin)片(pian)製(zhi)造(zao)核(he)心(xin)材(cai)料(liao)瓶(ping)頸(jing)上(shang)邁(mai)出(chu)了(le)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)的(de)一(yi)步(bu)，對(dui)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)產(chan)業(ye)自(zi)主(zhu)可(ke)控(kong)發(fa)展(zhan)具(ju)有(you)深(shen)遠(yuan)的(de)戰(zhan)略(lve)意(yi)義(yi)。

光刻膠
，被譽為芯片工業的“血液”，是光刻工藝中不可或缺的關鍵耗材。它通過精密的光化學反應

，將設計好的電路圖形“轉印”到矽片上
，其性能直接決定了芯片的製程水平和良率。隨著半導體技術不斷向更小節點演進，極紫外（EUV）光刻技術已成為突破7nm乃至3nm以下先進製程的唯一量產手段。與之配套的EUV光刻膠，自然也成為了決定能否躋身全球芯片製造第一梯隊的核心材料。

光刻膠（Photoresist）
，又(you)稱(cheng)光(guang)致(zhi)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)，是(shi)一(yi)種(zhong)對(dui)光(guang)敏(min)感(gan)的(de)混(hun)合(he)液(ye)體(ti)，在(zai)光(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)過(guo)程(cheng)中(zhong)
，用(yong)作(zuo)抗(kang)腐(fu)蝕(shi)塗(tu)層(ceng)材(cai)料(liao)。它(ta)的(de)作(zuo)用(yong)就(jiu)像(xiang)一(yi)個(ge)臨(lin)時(shi)保(bao)護(hu)膜(mo)，通(tong)過(guo)感(gan)光(guang)和(he)顯(xian)影(ying)的(de)過(guo)程(cheng)
，將(jiang)納(na)米(mi)級(ji)電(dian)路(lu)圖(tu)精(jing)準(zhun)地(di)“印”到矽片上。

根據曝光光源的波長來劃分，光刻膠大致可以分為：

·  g線光刻膠（436nm）

·  i線光刻膠（365nm）

·  KrF光刻膠（248nm）

·  ArF光刻膠（193nm）

·  EUV光刻膠（13.5nm）

然而，一個嚴峻的現實是，全球EUV光刻膠市場超過95%的份額被日本JSR、dongjingyinghuadengshaoshujijiaqiyelongduan
，woguozaigailingyudeguochanhualvmuqianrengweiling。zhezhonggaoduyilaidegeju，shiwoguogaoduanxinpianchanyedefazhanmianlinzhejudadegongyingliananquanfengxianhe“卡脖子”困境。

在EUV光刻膠研發尚處早期、國產化幾乎空白的背景下，測試標準的建立堪稱一場“及時雨”。此前，國內缺乏統一、科學的測試方法，多依賴國外企業標準
，導致國產材料在晶圓廠的驗證周期漫長，嚴重遲滯了研發和應用進程。

此次立項的《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》，旨在係統性地規範核心性能指標的檢測流程
，如靈敏度、線邊緣粗糙度等。它將與另外兩項針對ArF光刻膠及其浸沒式技術的標準——《ArF光刻膠釋氣測量方法》和《ArF浸沒式光刻膠小分子浸出速率測量方法》——共同構成支撐芯片材料國產化的標準體係骨架。

標biao準zhun落luo地di後hou，將jiang有you力li推tui動dong測ce試shi數shu據ju的de互hu認ren，降jiang低di晶jing圓yuan廠chang導dao入ru國guo產chan材cai料liao的de風feng險xian，促cu進jin測ce試shi設she備bei的de國guo產chan化hua替ti代dai，從cong而er顯xian著zhu壓ya縮suo研yan發fa成cheng本ben

，加jia速su整zheng個ge產chan業ye從cong“依賴進口”到“自主可控”的躍遷。

盡管前路挑戰重重，但我國在光刻膠領域的研發正呈現出積極的加速態勢。2025年以來，多項重要研究成果相繼湧現：

清華大學團隊開發出基於聚碲氧烷的新型EUV光刻膠


，為材料設計提供了創新思路。

華東理工大學與國外頂尖實驗室合作，在先進光刻膠的精確製備和光刻驗證上取得進展。

北京大學團隊利用冷凍電鏡技術，揭示了光刻膠在工藝中的微觀機製，成功提升了晶圓製造的良率。

在產業端，無錫建立了全國首個納米級光刻膠中試線
，據稱其單分子粒徑已達到國際領先水平，並具備支撐國產EUV光刻機研發的潛力。

這些從高校前沿研究到產業中試平台的突破，表明那扇曾經緊閉的技術大門，正在被一點點推開。