鎧俠與閃迪發布下一代3D閃存技術,實現4.8Gb/s NAND接口速度
發布時間:2025-02-24 來源:投稿 責任編輯:admin
兩家公司預展第十代3D閃存技術,為性能、能效和位密度設立新標準
舊金山, 國際固態電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯合發布一項尖端3D閃存技術,憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度,樹立了行業新標準。
兩家公司在2025年國際固態電路會議上展示了這項3D閃存創新技術,它與公司突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)技術1相結合,采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA(獨立命令地址)協議2(一種全新的接口命令地址輸入方式),同時還整合了PI-LTT(電源隔離低抽頭終端)技術3(在進一步降低功耗方麵發揮了關鍵作用)。
基於此獨有的高速技術優勢,兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品(BiCS FLASH™ generation 8)實現了33%的NAND接口速度提升,達到4.8Gb/s。此外,該技術也顯著提升了數據輸入/輸出的能效,輸入功耗降低10%,輸出功耗降低34%,成功實現了高性能與低功耗的最優平衡。兩家公司預展第十代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 10)技術時介紹,通過將存儲層數增至332層並優化晶圓平麵布局以提高平麵密度,使位密度提升了59%。
鎧俠首席技術官宮島英史表示:“隨(sui)著(zhe)人(ren)工(gong)智(zhi)能(neng)技(ji)術(shu)的(de)普(pu)及(ji),預(yu)計(ji)產(chan)生(sheng)的(de)數(shu)據(ju)量(liang)將(jiang)顯(xian)著(zhu)增(zeng)加(jia),同(tong)時(shi)現(xian)代(dai)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)對(dui)能(neng)效(xiao)提(ti)升(sheng)的(de)需(xu)求(qiu)也(ye)在(zai)增(zeng)長(chang)。鎧(kai)俠(xia)深(shen)信(xin),這(zhe)項(xiang)新(xin)技(ji)術(shu)將(jiang)實(shi)現(xian)更(geng)大(da)容(rong)量(liang)、更高速度和更低功耗的產品,包括用於未來存儲解決方案的SSD產品,並為人工智能的發展奠定基礎。”
閃迪公司全球戰略與技術高級副總裁Alper Ilkbahar表示:“隨著人工智能的進步,客戶對存儲器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術創新,致力於推出在容量、速度、性能和資本效率方麵達到最佳組合的產品,以滿足各細分市場客戶的需求。”
鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 9)計劃。通過其獨特的CBA技術,兩家公司能夠將新的CMOS技術與現有的存儲單元技術相結合,從而提供資本效率高、性xing能neng優you異yi且qie功gong耗hao低di的de產chan品pin。兩liang家jia公gong司si將jiang繼ji續xu致zhi力li於yu開kai發fa前qian沿yan閃shan存cun技ji術shu,提ti供gong定ding製zhi化hua解jie決jue方fang案an以yi滿man足zu客ke戶hu需xu求qiu,並bing為wei數shu字zi社she會hui的de發fa展zhan做zuo出chu貢gong獻xian。
關於鎧俠
鎧俠是全球存儲器解決方案領導者,致力於開發、生產和銷售閃存及固態硬盤(SSD)。東芝公司於1987年發明了NAND閃存, 在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力於通過提供產品、服務和係統,為客戶創造選擇並為社會創造基於記憶的價值,以“記憶”提升世界。鎧俠的創新 3D 閃存技術 BiCS FLASH™,正在塑造諸多高密度應用的未來存儲方式,其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車、數據中心和生成式AI係統。
關於閃迪
shandizhiliyutigongchuangxindeshancunjiejuefanganhexianjindecunchujishu,manzugerenheqiyeyonghudeguanjianxuqiu,zhulitamentupochuangxinbianjie,chengjiugengduokeneng。shandigongsishixibushuju(納斯達克股票代碼:WDC)的全資子公司。關注閃迪官方社交媒體: Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube。在Instagram上加入 TeamSandisk。
注:
(1)CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優的條件下單獨製造然後鍵合在一起的技術。
(2) 將命令/地址輸入總線與數據傳輸總線完全分離並實現並行運行的技術,可減少數據輸入/輸出所需時間。
(3) 在NAND接口電源中同時使用現有1.2V電源和額外低壓電源的技術,可降低數據輸入/輸出過程中的功耗。
* 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數值是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得,可能會因用戶環境的不同而改變。
* 所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
前瞻性聲明
本新聞稿包含一些根據聯邦證券法所做的前瞻性聲明,包括對閃迪技術和產品的可用性、能neng力li和he影ying響xiang的de預yu期qi聲sheng明ming。這zhe些xie前qian瞻zhan性xing聲sheng明ming基ji於yu管guan理li層ceng目mu前qian的de預yu期qi,受shou風feng險xian和he不bu確que定ding因yin素su的de影ying響xiang,實shi際ji結jie果guo可ke能neng與yu前qian瞻zhan性xing聲sheng明ming中zhong表biao達da或huo暗an示shi的de結jie果guo有you實shi質zhi性xing的de差cha異yi。
可能導致實際結果與前瞻性聲明中明示或暗示的結果存在實質性差異的重要風險和不確定因素包括:在實施西部數據公司向閃迪分拆閃存業務過程中固有的運營、財務和法律挑戰及困難;獨立閃存業務的未來運營結果;分拆能否按預期條款和預期時間表完成,或能否完成,包括分拆條件可能無法滿足的可能性,例如政府機構可能禁止、延遲或拒絕授予必要批準;分拆的預期收益和成本,包括預期收益可能無法在預期時間框架內、完全或根本無法實現;因分拆的宣布和完成而可能導致與客戶、供應商或其他合作夥伴的關係發生潛在不利反應或變化;對分拆的宣布或完成的競爭性反應;因分拆產生的意外成本、負債、費用或支出;與分拆相關的訴訟;因分拆而無法留住關鍵人員;因分拆導致管理層無法專注於持續的業務運營;地緣政治衝突對業務的影響;整體經濟和/或行業特定條件的任何變化;其他可能影響分拆的經濟、競爭、法律、政府、技術和其他因素;以及在閃迪公司於2025年1月27日向美國證券交易委員會(SEC)提交的表格10注冊聲明附件99.1中的最終信息聲明中列出的其他風險和不確定性(該文件可在SEC網站 www.sec.gov. 上查閱)。請(qing)勿(wu)過(guo)度(du)依(yi)賴(lai)上(shang)述(shu)前(qian)瞻(zhan)性(xing)聲(sheng)明(ming),這(zhe)些(xie)聲(sheng)明(ming)的(de)適(shi)用(yong)性(xing)截(jie)止(zhi)於(yu)其(qi)發(fa)布(bu)之(zhi)日(ri)。除(chu)非(fei)法(fa)律(lv)要(yao)求(qiu),否(fou)則(ze)閃(shan)迪(di)不(bu)承(cheng)擔(dan)更(geng)新(xin)或(huo)修(xiu)訂(ding)這(zhe)些(xie)前(qian)瞻(zhan)性(xing)聲(sheng)明(ming)以(yi)反(fan)映(ying)新(xin)信(xin)息(xi)或(huo)事(shi)件(jian)的(de)義(yi)務(wu)。
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