【導讀】MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外
，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外
，還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。

前言

MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外
，所使用的電路方式也多種多樣
，除單獨使用外，還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。

其中，在將開關元件上下串聯連接的橋式結構中
，通常交替地導通與關斷各個元器件。下麵是常規的橋式結構同步方式boost電路，波形圖是根據柵極信號交替地導通/關斷的低邊（LS）MOSFET和高邊（HS）MOSFET的漏極－源極間電壓（VDS）和漏極電流（ID）示例。

tongguokaiguangongzuo，liuguogeyuanjiandedianliuhebianhuadedianyayifuzadefangshixianghuyingxiang。youqishizaichuligaodianyagaodianliudedianluzhong
，shouanzhuangdianlubanhejiexianyinqidejishengfenliangdengyingxiang，chanshengdianyahedianliudedongzuo

，bingyincidaozhigongzuobuwending、效率下降
，從而可能導致損耗增加、產生異常發熱等問題。

近年來

，SiC MOSFET等(deng)高(gao)性(xing)能(neng)功(gong)率(lv)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)應(ying)用(yong)，使(shi)得(de)通(tong)過(guo)高(gao)速(su)開(kai)關(guan)轉(zhuan)換(huan)大(da)功(gong)率(lv)成(cheng)為(wei)可(ke)能(neng)，但(dan)在(zai)操(cao)作(zuo)過(guo)程(cheng)中(zhong)
，需(xu)要(yao)對(dui)開(kai)關(guan)工(gong)作(zuo)有(you)深(shen)入(ru)的(de)了(le)解(jie)。在(zai)該(gai)係(xi)列(lie)文(wen)章(zhang)中(zhong)，我(wo)們(men)將(jiang)著(zhe)眼(yan)於(yu)MOSFET橋式結構中的各MOSFET的柵極－源極間電壓的動作
，以簡單的同步方式boost電路為例
，對以下內容進行探討：

・MOSFET的橋式結構與同步方式boost電路

・柵極驅動電路與導通/關斷工作

・因dVDS/dt
、dID/dt而產生的電流和電壓

・導通時柵極信號的動作

・關斷時柵極信號的動作

（來源：Rohm）

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