隻讀存儲器（ROM）是一種半導體集成電路的功能作為數據和計算機編程的永久存儲設備。

 

簡介

隻讀存儲器（簡稱 ROM）suocunshuju，yibanshizaizhuangruzhengjiqianshixianxiehaode。zhengjigongzuoguochengzhongzhinengcongzhiducunchuqizhongduchushixiancunchudeshuju，erbuxiangsuijicunchuqinayangnengkuaisudi、方便地加以改寫。由於 ROM 所存數據比較穩定、不易改變、即使在斷電後所存數據也不會改變
；其次
，它的結構也比較簡單，讀出又比較方便
，因而常用於存儲各種固定程序和數據。

 

結構

半導體隻讀存儲器中的存儲單元為一個半導體器件，如二極管、雙極型晶體管或 MOS 型晶體管，它位於字線和位線交叉處。以增強型 N 溝道 MOS 晶體管為例
，其柵引出線接字線，漏引出線接位線，源引出線接地。當字線為高電平時，晶體管導通，位線輸出低電平（邏輯“0”）。若交叉點處沒有連接晶體管
，則位線被負載晶體管拉向高電平（邏輯“1”）。qitaweixuanzhongdezixiandouchuyudidianping
，suoyouguazaizixianshangdejingtiguandoushibudaotongde
，suoyibuyingxiangweixiandeshuchudianping。zheyang，yizixianheweixianjiaochadianshifoulianyoujingtiguanlaijuedinggaidian（存儲單元）存儲的數據是“0”還是“1”。

 

隻讀存儲器所存儲的數據功能，是以在製造過程中所用掩模決定的
，所以也稱掩模隻讀存儲器。實際應用中除了少數品種的隻讀存儲器（如字符發生器等）可(ke)以(yi)通(tong)用(yong)之(zhi)外(wai)，不(bu)同(tong)用(yong)戶(hu)所(suo)需(xu)隻(zhi)讀(du)存(cun)儲(chu)器(qi)的(de)內(nei)容(rong)是(shi)不(bu)相(xiang)同(tong)的(de)。為(wei)便(bian)於(yu)用(yong)戶(hu)使(shi)用(yong)，又(you)適(shi)於(yu)工(gong)業(ye)化(hua)大(da)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)，後(hou)來(lai)出(chu)現(xian)了(le)可(ke)編(bian)程(cheng)序(xu)的(de)隻(zhi)讀(du)存(cun)儲(chu)器(qi)。其(qi)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)是(shi)在(zai)每(mei)個(ge)存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)（如肖特基二極管）上都串接一熔絲。正常工作狀態下，熔絲起導線作用；當在與之相連的字線
、位線上加大工作偏壓時，熔絲被熔斷。用這種辦法，用戶可以自己編寫並存儲所需的數據。

 

kebianchengxuzhiducunchuqiderenyidanyuandouzhinengxieyici，zhehaishihenbufangbiande。weilejiejuezheyiwenti
，youchuxianlekecakebianchengxuzhiducunchuqi。zhezhongcunchuqicaiyongzuiduodeshifuzhaxuebengzhuru MOS 單(dan)元(yuan)。當(dang)在(zai)選(xuan)定(ding)單(dan)元(yuan)的(de)源(yuan)引(yin)出(chu)線(xian)或(huo)漏(lou)引(yin)出(chu)線(xian)上(shang)加(jia)足(zu)夠(gou)高(gao)的(de)電(dian)壓(ya)使(shi)器(qi)件(jian)發(fa)生(sheng)雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)時(shi)，高(gao)能(neng)熱(re)電(dian)子(zi)穿(chuan)過(guo)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)注(zhu)入(ru)到(dao)懸(xuan)浮(fu)柵(zha)上(shang)去(qu)，使(shi)浮(fu)柵(zha)帶(dai)電(dian)，從(cong)而(er)改(gai)變(bian)溝(gou)道(dao)導(dao)通(tong)狀(zhuang)態(tai)，達(da)到(dao)寫(xie)入(ru)的(de)目(mu)的(de)：擦去是通過紫外光照射完成的。紫外光的照射使懸浮柵上的電子能得到足夠能量穿透柵氧化層勢壘，從而使浮柵消除帶電狀態。

 

特點

電(dian)可(ke)改(gai)寫(xie)的(de)隻(zhi)讀(du)存(cun)儲(chu)器(qi)是(shi)新(xin)出(chu)現(xian)的(de)一(yi)種(zhong)隻(zhi)讀(du)存(cun)儲(chu)器(qi)。它(ta)的(de)原(yuan)理(li)是(shi)在(zai)強(qiang)電(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)下(xia)
，通(tong)過(guo)隧(sui)道(dao)效(xiao)應(ying)將(jiang)電(dian)子(zi)注(zhu)入(ru)到(dao)浮(fu)柵(zha)上(shang)去(qu)，或(huo)反(fan)過(guo)來(lai)將(jiang)電(dian)子(zi)從(cong)浮(fu)柵(zha)上(shang)拉(la)走(zou)。這(zhe)樣(yang)，就(jiu)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)電(dian)學(xue)方(fang)法(fa)方(fang)便(bian)地(di)對(dui)隻(zhi)讀(du)存(cun)儲(chu)器(qi)進(jin)行(xing)擦(ca)和(he)寫(xie)。

 

可擦可編程序隻讀存儲器的寫入速度比較慢，每位寫入速度約需幾十至幾百毫秒，寫完整片存儲器需要幾十到幾百秒：擦去速度則更慢，在一般紫外光源照射下需幾十分鍾。電可改寫隻讀存儲器擦
、寫速度比之讀出速度尚慢好幾個數量級。

 

分類

半導體隻讀存儲器可以分為以下四種：掩膜式 ROM（MROM），一次可編程 ROM（PROM）
，可擦除可編程 ROM（EPROM），閃速存儲器。