PIN 二極管廣泛應用於限幅器、開關、衰減器、移相器等控製電路中。與 MESFET 和 PHEMT 器件相比較，PIN 二極管具有插入損耗低、截止頻率高
、功率容量大的特點，特別適合於製作性能優異的寬帶大功率控製電路。文獻[1]就是采用 GaAs PIN 二極管製作了一款寬帶大功率單刀雙擲開關

，但由於是混合集成電路形式，導致開關模塊體積較大。

 

本文采用河北半導體研究所 GaAs PIN 工藝成功開發出一款寬帶大功率單片單刀雙擲開關。該單片開關集成了 GaAs PIN 二極管、電容、電感和電阻元件。在 6～18 GHz 範圍內插入損耗(IL)小於 1.45 dB
，隔離度大於 28 dB;在連續波輸入功率 37 dBm
，12 GHz 條件下測試輸出功率僅壓縮 0.5 dB。由於采用單片製作工藝，在具有大功率處理能力的情況下又大大縮減了電路麵積。

 

1 PIN 二極管製作工藝

本論文的 PIN 二極管采用垂直結構。為使 PIN 二極管具有較好的微波特性，在進行材料外延生長時控製 p+層、n+層的摻雜濃度大於 2.5×1018，降低金屬一半導體歐姆接觸電阻;i 層的厚度為 3 μm
，載流子濃度接近 3×1014，使二極管的 i 層耗盡電容和功率容量達到一個最佳平衡點。圖 1 為最終製作的 GaAs PIN 二極管結構圖(a)和實物照片(b)。

2 單刀雙擲開關電路設計

精確的模型是設計電路的基礎。如圖 2 所示，GaAs PIN 二極管在正壓偏置狀態下等效為電阻 Rp，負壓偏置狀態下等效為電容 Cr 和電阻 Rn 串聯。其中 Rp≈Rn，是 p+層、n+層和 i 層正向導通電阻之和
，Cr 為 i 層反向偏置電容。在進行單片開關電路設計前先進行一次 PIN 二極管模型版流片。二極管分為串聯和並聯兩大類
，每類尺寸由小到大共有 15 種。通過在片測量提取每種二極管正

、反兩個偏置狀態的 S 參數，建立了完整的 PIN 二極管小信號模型。

 

 

單刀雙擲開關通常有串聯式、串並聯混合式
、並聯式三種結構。其中前兩種結構中的串聯 PIN 二極管會使開關電路在小功率狀態下就開始壓縮，要想製作大功率開關隻能采用並聯式結構。圖 3 是並聯式單刀雙擲開關原理圖。輸入端口接一 50 Ω微帶線，C1 是隔直電容，防止兩個輸出支路的偏置電壓互相幹擾;根據公式 Zc=1/jωC
，為了減小導通狀態下的插入損耗，C1 應具有很大的容值。偏置電壓端口加負壓
，二極管 D1 處於反向偏置狀態，等效為一小電容
，D1、微帶線 L1 和 L2 組成帶通濾波器，整個支路處於導通狀態;偏置電壓端口加正壓，D1 處於正向偏置狀態
，等效為一小電阻，D1、微帶線 L1 和 L2 組成的帶通濾波器處於失配狀態，把大部分輸入功率反射回去，整個支路處於隔離狀態。電感 L
、電容 C2 和微帶線 L3 組成輸出匹配電路。整個開關電路采用 AdvancedDesign System 軟件
、原理圖仿真與電磁場仿真相結合的方法進行設計。

 

 

3 小信號與功率特性測試

圖 4 為經過加工後的芯片照片，芯片麵積為 2.3 mm×1.4 mm。圖 5 為微波在片測試係統框圖。在±5 V 條件下

，經過微波在片小信號測試
，該單刀雙擲開關在 6～18 GHz 內尼<1.45 dB，隔離度(ISO)大於 28 dB
，輸入輸出駐波在 6～14 GHZ 內大於 10 dB，在 14～18 GHz 內大於 7.5 dB。圖 6 為小信號測試曲線。

 

 

開關的微波功率特性需要把芯片裝入夾具中進行測試。圖 7 為裝配完成的開關被測件。圖 8 為(wei)功(gong)率(lv)測(ce)試(shi)平(ping)台(tai)框(kuang)圖(tu)，信(xin)號(hao)源(yuan)提(ti)供(gong)的(de)連(lian)續(xu)波(bo)信(xin)號(hao)經(jing)過(guo)行(xing)波(bo)管(guan)放(fang)大(da)器(qi)放(fang)大(da)加(jia)在(zai)開(kai)關(guan)的(de)輸(shu)入(ru)端(duan)口(kou)，隔(ge)離(li)器(qi)防(fang)止(zhi)放(fang)大(da)器(qi)被(bei)開(kai)關(guan)反(fan)射(she)回(hui)來(lai)的(de)功(gong)率(lv)燒(shao)毀(hui)，開(kai)關(guan)的(de)輸(shu)出(chu)端(duan)口(kou)接(jie)衰(shuai)減(jian)器(qi)，用(yong)來(lai)保(bao)護(hu)功(gong)率(lv)計(ji)探(tan)頭(tou)
，通(tong)過(guo)功(gong)率(lv)計(ji)可(ke)以(yi)得(de)出(chu)開(kai)關(guan)的(de)功(gong)率(lv)特(te)性(xing)。圖(tu) 9 為 12 GHz 條件下功率特性測試曲線，可見在 37 dBm 出功率僅壓縮 0.5 dB。

 

 

4 結論

本文報道的寬帶大功率單片單刀雙擲開關芯片是在河北半導體研究所工藝流片完成的。在±5 V 條件下

、6～18 GHz 內測試插入損耗小於 1.45 dB
，隔離度大於 28 dB，反射損耗大於 7.5 dB，12 GHz 頻點測試 P1dB 大於 5 W。在 4 英寸(100 mm)的晶圓上開關成品率達到 70%以上
，具有非常好的工程應用前景。