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繼電器的振動，可讓MOSFET在開關關閉時被破壞

發布時間：2018-03-16 來源：電子說責任編輯：lina

【導讀】請注意由於與繼電器控製並聯的機械開關而產生的瞬態電壓。當驅動感性負載時，不要將機械開關與MOSFET並聯。當繼電器關閉時，由於繼電器的啟動時間短，產生了高的瞬態電壓(dv/dt)，這通常是由於產生了大量的dv/dt而累積起來的。

潛在問題:

當MOSFET處於關閉狀態時，開關的開啟會導致MOSFET的破壞:由於機械開關的短暫時間，高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪湧的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管，並破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對短路損壞。

Note:由於繼電器的振動，MOSFET也可以在開關關閉時被破壞。

預防措施:

1.使用一個雙極晶體管，用一個穩壓二極管保護來限製振蕩電壓，其值低於VCEmax。39vzener電壓是接受拋負載的推薦值。

2.使用一個zener保護二極管，其電壓低於MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。

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