單向型的DC-DCbianhuanqishimuqianyingyongfanweizuiguangdeleixing
，tongchangqingkuangxia
，gongchengshihuianzhaoshuruyushuchujianshifouyoudianqigelijiangqihuafenweiliangzhongleixing。qizhong
，meiyoudianqigelidechengweibugelidezhiliujiaohuanqi，youdianqigelidechengweiyougelidezhiliubianhuanqi。benwenjianghuiyibugelidejibenshengyaDC-DC變換器（圖1）和隔離的半橋直流變換器（圖2）加以比較，來說明兩類DC-DC轉換器在拓撲結構方麵的不同之處。

圖1 不隔離的基本升壓直流變換器

圖2 隔離的半橋直流變換器

 

從上圖所展示的兩個拓撲結構中，我們可以很容易的看出兩者之間的不同之處。圖2所展示的隔離半橋直流變換器結構複雜，所用的元器件數量和種類都比較多，而圈1suozhanshidejibenshengyazhiliubianhuanqidejiegoujiuyaojiandanhenduo
，suoyongdeyuanqijianshulianghezhongleidoubijiaoshao。youyushoudaobianhuanqitijidexianzhi，gelidebanqiaozhiliubianhuanqizaigongzuozhongbixucaiyonggaopinbianyaqi，yincixiangyingde開關管隻能采用功率MOS管。圖1則可以采用IGBT管，IGBT管兼備了MOS管和BJT管兩者的優點，具有驅動簡單
、速度高、通態壓降低、耐壓高和可以承受大電流等優點，因此在大功率的工業應用場合得到了廣泛的應用。

 

除此之外，在MOS管導通方麵兩者也有差距。隔離的半橋直流變換器MOS管導通壓降要高於圖1中基本升壓直流變換器的IGBT管
，且後者的MOS管的導通損耗要低於前者導通損耗，而且圖2中還有2個整流二極管的導通損耗。因此，為了實現雙向能量變換功能，圖1可以很容易地通過與其他的開關元器件相配合采用一套DC-DC變換器來實現

，而圖2則難以采用一套變換器實現，采用兩套變換器會使得整個變換器裝置體積增大。