圖1：DDR2 DIMM連接器

DDR2 是現有 DDR 標準的改進版本
，可輕鬆應對目前速度最快的 400MHz 至 500MHz DDR 所麵臨的巨大挑戰。與 DDR 相比，DDR2 可在相同總線頻率下將數據速率提高一倍，因而可有效增加數據帶寬或容量。DDR2 可提供比目前最快的 DDR（約 3.2GB/s）更出色的數據吞吐。這一內存技術催生了新一代更高性能電腦係統的問世，其中包括台式電腦
、工作站、服務器

、便攜設備以及路由器和交換機等新型通訊產品。

Molex 支持 DDR2 標準，並且是 JEDEC 的積極成員

，致力於開發新一代的內存平台。Molex DDR2 內存插座可接受 MO-237 JEDEC 型號的 DDR2 標準模塊。 Molex 可充分滿足高數據吞吐量應用和要求
，並始終致力於高速連接器的開發，可確保連接器設計以最低的應用成本提供最出色的可靠性能。

DDR3 DIMM 插槽

DDR3 DIMM 內存模塊插槽為要求嚴苛的存儲器應用提高了數據帶寬和性能,DDR3 必然會在未來的計算架構中成為現有 DDR2 技術的替代品。

圖2：DDR3 DIMM 插槽連接器

DIMM（Dual Inline Memory Module，雙列直插內存模塊）與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內存模組)相當類似，不同的隻是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號
，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每麵為84Pin，金手指上有兩個卡口
，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀
；DDR2 DIMM則采用240pin DIMM結構
，金手指每麵有120Pin。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。DDR3 DIMM同為240pin DIMM結構
，金手指每麵有120Pin
，與DDR2 DIMM一樣金手指上也隻有一個卡口，但是卡口的位置與DDR2 DIMM稍微有一些不同，因此DDR3內存是插不進DDR2 DIMM的

，同理DDR2內存也是插不進DDR3 DIMM的，因此在一些同時具有DDR2 DIMM和DDR3 DIMM的主板上
，不會出現將內存插錯插槽的問題。

miniDIMM

Molex 是 miniDIMM 連接器的領先開發商。此連接器采用 0.60 毫米的間距和高度可靠的觸點設計，是高端應用中頗受歡迎的解決方案。

圖3：miniDIMM連接器

JEDEC 標準 0.60 毫米（.024 英寸）間距插座常用於小尺寸電腦和小尺寸服務器中
，其中包括 1U、刀片服務器以及高可靠性的網絡路由器。Molex 在現有的垂直 miniDIMM 插座基礎上增加了標準和反向配置的彎角和直角型號。

據 Molex 預計，miniDIMM 模塊將在眾多應用領域中得到廣泛運用
，尤其那些需要在高可靠性設備中提供 ECC 的應用更是如此。類似模塊還可用於麵向電腦和服務器並采用 DIMM 型鎖閂的垂直和彎角連接器中。

[page]
全緩衝 DIMM

Molex 的全緩衝 DIMM (FB DIMM) 開發動力是市場對更大更快內存容量的需求。

圖4：全緩衝 DIMM

DDR DIMM

1.27 毫米（0.050 英寸）間距雙數據速率 DIMM。這種 184 線 DIMM 插槽可提供垂直式和傾斜式。插接JEDEC MO-206 模塊。

圖5：全緩衝 DIMM

DIMM

DIMM 是一種雙列直插式內存模塊
，內含旨在存放內存芯片的小型電路板。它是一種通常在個人電腦中用於提高可靠性、速度和內存係統密度的內存技術。

圖6：全緩衝 DIMM

Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出後出現的新型內存條，DIMM提供了64位的數據通道
，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內存條。它要比SIMM插槽要長一些，並且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言
，適用DIMM的內存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內存芯片的168線內存條除外）
，適用於SIMM的內存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內存芯片）
，二者不能混合使用。

S.O. DIMM

200 電路 DDR/DDR2 SODIMM 插cha座zuo可ke為wei筆bi記ji本ben電dian腦nao設she計ji者zhe提ti供gong良liang好hao解jie決jue方fang案an。其qi輕qing薄bo外wai形xing可ke令ling筆bi記ji本ben電dian腦nao設she計ji者zhe采cai用yong更geng小xiao的de機ji箱xiang，從cong而er進jin一yi步bu開kai發fa更geng輕qing更geng小xiao的de筆bi記ji本ben電dian腦nao。DDR (2.5 V) 和 DDR2 (1.8 V) 型號的 SODIMM 插座幾乎完全相同，區別僅在於電壓鍵的位置有所不同。這樣可有效防止將錯誤的存儲模塊類型與插座配插。DDR2 是 DDR 內存技術的升級版本。它速度更快
，可提供更高帶寬、更低能耗和更出色的熱量管理性能。

圖7：全緩衝 DIMM

Molex 是負責製定存儲器行業標準的 JEDEC 工作小組的積極成員。DDR/DDR2 SODIMM 插座可接受符合 JEDEC MO-224 輪廓線要求的模塊。產品采用無鉛鍍層，並符合 RoHS。

FB-DIMM

因為目前的內存主要是采用傳統的64位並行設計
，即北橋芯片的內存控製器與內存模塊之間均通過64位的並行總線來數據交換

，但此類並行總線設計有一個最大的缺點：就是相鄰線路很容易受到幹擾。這是因為目前的DIMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構。

在(zai)這(zhe)種(zhong)結(jie)構(gou)中(zhong)，每(mei)個(ge)芯(xin)片(pian)與(yu)內(nei)存(cun)控(kong)製(zhi)器(qi)的(de)數(shu)據(ju)總(zong)線(xian)都(dou)有(you)一(yi)個(ge)短(duan)小(xiao)的(de)線(xian)路(lu)相(xiang)連(lian)
，這(zhe)樣(yang)會(hui)造(zao)成(cheng)電(dian)阻(zu)抗(kang)的(de)不(bu)連(lian)續(xu)性(xing)，從(cong)而(er)影(ying)響(xiang)信(xin)號(hao)的(de)穩(wen)定(ding)與(yu)完(wan)整(zheng)，頻(pin)率(lv)越(yue)高(gao)或(huo)芯(xin)片(pian)顆(ke)粒(li)越(yue)多(duo)
，影(ying)響(xiang)也(ye)就(jiu)越(yue)大(da)。這(zhe)也(ye)是(shi)目(mu)前(qian)基(ji)於(yu)此(ci)類(lei)並(bing)行(xing)體(ti)係(xi)的(de)內(nei)存(cun)如(ru)DDR頻率低下的原因。