公司事件：

• 英飛淩與飛兆半導體之間的專利侵權訴訟已達成和解

行業影響：

• 英飛淩目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判

英飛淩科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛淩向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。

通tong過guo廣guang泛fan的de半ban導dao體ti技ji術shu專zhuan利li交jiao叉cha許xu可ke
，雙shuang方fang就jiu上shang述shu訴su訟song達da成cheng和he解jie。根gen據ju和he解jie協xie議yi，飛fei兆zhao半ban導dao體ti將jiang向xiang英ying飛fei淩ling支zhi付fu許xu可ke費fei
，但dan協xie議yi的de具ju體ti條tiao款kuan和he條tiao件jian保bao密mi。

英飛淩和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，並將申請撤訴。

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